彭军
- 作品数：32 被引量：84H指数：5
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术交通运输工程更多>>
- 制备氧化铁酒敏薄膜的方法
- 本发明涉及敏感技术领域，特别是一种制备酒敏薄膜的方法。该方法是用等离子增强型化学气相淀积法制备氧化铁酒敏薄膜，其关键是参加化学气相淀积反应的源物质采用了金属有机化合物五羰基铁[Fe(CO)<Sub>5</Sub>]。用此...
- 彭军严北平柴常春
- 文献传递
- 非晶硅薄膜对器件噪声特性的改善
- 朱兆宗张鹤鸣彭军
- 关键词：集成电路工艺半导体器件自钝化噪声控制
- 复合氧化物半导体氧敏材料的研究
- 有氧敏性的ＴｉＯ<,2>与Ｎｂ<,2>Ｏ<,5>复合化，得到的复合材料分别比这２种单纯的材料的氧敏特性有所改善和提高，对复合材料的结构进行了初步的分析。
- 彭军刘笃仁
- 关键词：气敏器件氧发动机
- 制备氧化钛-氧化铌复合氧化物氧敏材料的方法
- 本发明涉及一种氧敏复合材料的制备方法。主要解决目前制备单一氧化物半导体氧敏材料需要贵金属催化剂，且氧敏特性差的问题，提出了采用氧化钛-氧化铌两种氧化物为源物质，制备复合氧敏材料的方法，其操作步骤为：(1)将两种不同比例的...
- 彭军
- 文献传递
- Ti-Nb系复合氧化物氧敏响应特性的研究
- 1997年
- 将ＴｉＯ２与Ｎｂ２Ｏ５氧化物氧敏材料复合化，研究氧敏响应特性及其与环境温度、气流转换频率的关系，并指出采样方法对响应时间的影响，在无贵金属催化条件下，烧结型复合氧敏材料的响应时间约为６０ｍｓ．
- 彭军刘笃仁
- 关键词：复合氧化物氧化钛气敏特性氧化铌
- TiO_2-Nb_2O_5复合氧化物氧敏响应特性及结构研究被引量：2
- 1997年
- 将ＴｉＯ２和Ｎｂ２Ｏ５氧化物氧敏材料复合，研究氧敏响应特性及其与环境温度、气流转换频率的关系，并指出采样方法对响应时间的影响。在无贵金属催化条件下，烧结型复合氧敏材料的响应时间约为６０ｍｓ。对材料的结构与响应机理进行了分析与初步探讨。
- 彭军刘笃仁
- 关键词：复合氧化物气敏传感器
- Ti-Nb系复合氧化物的氧敏响应特性被引量：1
- 1997年
- 介绍动态响应测试系统和Ti-Nb系复合氧化物氧敏材料响应时间与环境温度、气流转换频率的关系、指出采样方法时响应时间的影响。在无贵金属催化时，烧结型复合氧敏材料的响应时间可达60ms。
- 彭军刘笃仁
- 关键词：复合氧化物贫燃
- 蓝宝石复合衬底上生长的碳化硅薄膜的结构分析
- 在蓝宝石衬底上预淀积一层缓冲层,在其上用APCVD法外延生长SiC薄膜。对生长的薄膜进行了四晶衍射分析和PL谱分析,结果表明以蓝宝石C面上AIN为复合衬底生长的薄膜为6H-SiC,其带隙约为3.0eV。
- 张永华彭军
- 关键词：碳化硅复合衬底X射线衍射光致发光
- 文献传递
- SiC单片集成电路工艺技术
- 2000年
- 对宽禁带半导体材料碳化硅的异质外延技术以及碳化硅集成电路单项工艺技术进行了讨论 ,比较了不同的工艺对集成电路制造的影响 .介绍了工作于 5V电压下的碳化硅数字互补型金属氧化物半导体集成电路工艺技术 .
- 王剑屏郝跃彭军
- 关键词：碳化硅集成电路
- 发展中的SiCOI技术被引量：1
- 2002年
- Si COI技术是 Si C材料与 SOI技术结合而形成的一种新的微电子技术 ,它的产生与发展不仅推动 Si C半导体技术的发展 ,还将弥补 Si SOI技术应用的局限性 ,并将在高温、高频、大功率、抗辐射等电子学领域得到应用和发展。文章介绍了近年来 Si
- 张永华彭军
- 关键词：注氧隔离晶片键合微电子技术碳化硅半导体
