丁琨
- 作品数：44 被引量：65H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院研究生院院长基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程机械工程更多>>
- 用硅离子注入方法制备的纳米硅的拉曼散射研究被引量：1
- 1999年
- 在直角散射配置下测量了纳米硅样品的拉曼散射谱及其退火温度的关系。结果表明，在８００℃以下退火的样品只观察到单晶硅衬底的光学声子模，在９００℃以上退火，才观察到纳米硅的特征拉曼散射峰。在１２００℃下退火后，纳米硅的特征拉曼散射峰消失，观察到类似于非晶硅的光学声子特征峰，可能表示纳米硅不能承受这样的高温热退火。这些结果进一步证实了光致发光谱的结果。
- 汪兆平丁琨韩和相李国华
- 关键词：纳米硅离子注入热退火拉曼散射
- In_(1-x-y)Ga_xAl_yAs四元混晶的喇曼散射被引量：2
- 1998年
- 报道了ＭＢＥ生长的Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中光学声子的喇曼散射实验结果．光学声子模的频率与强度的组分关系表明Ｉｎ１－ｘ－ｙＧａｘＡｌｙＡｓ四元混晶中有３种光学声子模，即类ＩｎＡｓ、类ＧａＡｓ和类ＡｌＡｓ模．喇曼光谱的偏振分析表明３种光学声子在退偏振条件下是喇曼活性的，而在偏振条件下是喇曼非活性的．由于混晶中的无序效应，可观察到泄漏的ＴＯ模叠加在ＬＯ的低能侧使喇曼峰显现出非对称形状．
- 韩和相汪兆平李国华李国华丁琨徐仕杰丁琨
- 关键词：喇曼散射光学声子
- ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱
- 2003年
- 研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着
- 方再利苏付海马宝珊刘南竹朱作明丁琨韩和相李国华葛惟锟苏萌强
- 关键词：电子陷阱
- 静压下ZnS∶Te中Te等电子陷阱的发光被引量：2
- 2004年
- 研究了 4块ZnS∶Te薄膜样品 (Te组分从 0 .5 %到 3.1% )的光致发光谱在常压下的温度特性 .对于Te组分较小的 2块样品观察到 2个发光峰 ,分别来自Te1和Te2 等电子陷阱 ;而对Te组分较大的 2块样品则只观察到 1个来自Te2 等电子陷阱的发光 .我们还研究了这些发光峰在低温 15K下的流体静压压力行为 .观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多 ,而与Te2 有关的发光峰压力系数则比带边小 .根据Koster Slater模型 ,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因 ,而Te1和Te2
- 方再利苏付海马宝珊丁琨韩和相李国华苏萌强葛惟锟
- 关键词：光致发光硫化锌
- RF-PECVD高速沉积优质过渡区微晶硅薄膜被引量：1
- 2005年
- 利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选择优化的沉积参数,在非晶到微晶的过渡区得到了沉积速率为0.3～0.4nm/s的μc-Si:H薄膜.薄膜的暗电导在10-7S/cm量级,光暗电导比近2个量级,电导激活能在0.52eV左右,薄膜结构致密,达到了器件级质量.
- 周炳卿朱美芳刘丰珍刘金龙谷锦华张群芳李国华丁琨
- 关键词：微晶硅薄膜PECVD
- InAs/GaAs单量子点激子发光光谱调谐技术
- 窦秀明丁琨江德生孙宝权
- 大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱被引量：2
- 2005年
- 在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.
- 马宝珊王晓东骆军委苏付海方再利丁琨牛智川李国华
- 关键词：凝聚态物理学光致发光砷化铟量子点
- 压电驱动金刚石对顶砧加压装置的研制和应用
- 2019年
- 金刚石对顶砧加压装置广泛用于物理、化学、材料等许多科学领域。自Bridgman发明金属对顶砧及随后发展金刚石对顶砧以来,对顶砧装置设计和加压技术得到不断发展。文章介绍采用压电驱动金刚石对顶砧来产生高压,实现低温20 K下原位连续加压,连续加压范围约2-4 GPa。该加压装置具有体积小、操作方便,可装在小型低温恒温器中使用等优点。
- 丁琨窦秀明孙宝权
- 关键词：金刚石对顶砧压电驱动
- 电驱动金刚石对顶砧低温连续加压装置被引量：2
- 2016年
- 采用电驱动压电陶瓷取代传统机械螺丝给金刚石对顶砧施加压力,设计制备了低温下可连续增加流体静压的金刚石对顶砧压力装置,实现了低温(19±1)K连续加压达到4.41 GPa.该装置具有电驱动方便灵活、调谐精度高的低温连续加压功能.利用该装置实现了InAs单量子点发光与微腔腔模的共振耦合调谐过程.该装置将在原位压力精确调谐及测量样品信号跟踪等实验得到应用.
- 丁琨武雪飞窦秀明孙宝权
- 关键词：金刚石对顶砧压电陶瓷
- 纳米硅薄膜光学性质的测定与研究被引量：8
- 2005年
- 通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙。计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好。在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势。
- 钟立志张维佳崔敏吴小文李国华丁琨
- 关键词：纳米硅薄膜折射率
