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王筱珍

作品数：19 被引量：141H指数：9
供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程化学工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电气工程
  • 9篇化学工程
  • 9篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 15篇陶瓷
  • 7篇介质陶瓷
  • 6篇介电
  • 5篇压电
  • 5篇微波介质
  • 5篇微波介质陶瓷
  • 4篇压电陶瓷
  • 4篇BA
  • 3篇电性能
  • 3篇改性
  • 2篇压电性
  • 2篇压电性能
  • 2篇正电子
  • 2篇正电子湮没
  • 2篇陶瓷压电
  • 2篇介电常数
  • 2篇介电特性
  • 2篇BAO
  • 2篇MNO
  • 1篇导电

机构

  • 16篇华中理工大学
  • 6篇浙江大学
  • 2篇华中科技大学

作者

  • 19篇王筱珍
  • 18篇张绪礼
  • 6篇陈昂
  • 6篇智宇
  • 4篇姜胜林
  • 3篇李标荣
  • 3篇汤清华
  • 3篇金霞
  • 2篇潘晓光
  • 2篇叶龙
  • 1篇李婷
  • 1篇石康源
  • 1篇韩家平
  • 1篇周国良

传媒

  • 4篇硅酸盐学报
  • 4篇电子元件与材...
  • 3篇功能材料
  • 3篇压电与声光
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电子科技导报
  • 1篇华中理工大学...

年份

  • 3篇1998
  • 7篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响
本文研究了MnO对改性钛酸铅陶瓷PbSr[(Sb)yTi]O的压电性能的影响。实验表明,适当的MnO添加量,可以得到介电常数ε=240,机电耦合系数k_t=48.5%,机械品质因数Q=1500,居里温度Tc=435℃的高...
姜胜林王筱珍张绪礼
关键词：压电性能机械品质因数MNO
文献传递
受主杂质Mn对(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC热敏陶瓷的影响被引量：2
1993年
本文研究了(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC半导体陶瓷中半导化与其烧结工艺、铅空位、钡空位和施、受主杂质等相互之间的关系。着重分析讨论了引入受主杂质Mn对材料的半导化的影响,并采用复合缺陷模型自洽地解释了实验现象。
智宇陈昂张绪礼周国良王筱珍
关键词：PTC陶瓷半导体陶瓷
BaO－TiO_2系中Ba_2Ti_9O_（20）相形成的研究被引量：31
1996年
研究了ＢａＯ－ＴｉＯ_２系中Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相的形成规律。结果表明：ＢａＯ－ＴｉＯ_２系中，不加任何添加剂可以合成Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相；在ＢａＯ－ＴｉＯ_２系中Ｂａ：Ｔｉ＝２：９附近存在一个很窄的单相Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）区；烧结阶段Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相的最终合成并不依赖于预烧阶段部分此相的形成；通氧烧结对Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）相的形成影响不大，但可以抑制钛的变价。实验还发现，Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_（２０）陶瓷化学计量比的偏离将导致微波下介电常数的下降。
韩家平张绪礼王筱珍智宇陈昂
关键词：微波介质陶瓷氧化钡氧化钛
Cr_2O_3改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究
1996年
研究了Ｃｒ２Ｏ３作为改性添加剂对（ＰｂＳｍ）（ＴｉＭｎ）Ｏ３系压电陶瓷介电及压电性能的影响．实验表明，添加适量的Ｃｒ２Ｏ３能得到压电性能好、压电各向异性大、压电稳定性高的优良材料，其ｋｔ＝４５％～５０％，ｋｔ／ｋｐ＝１５～１８，ＴＣｆｔ３＝－０．８～－６ｐｐｍ／℃．因此，在研究、开发高性能压电材料过程中，Ｃｒ２Ｏ３不失为一种优良的改性材料．
姜胜林张绪礼王筱珍万向红
关键词：压电陶瓷改性添加剂
镧锶铋钛陶瓷的介电性能与缺陷机构被引量：2
1993年
研究了镧锶铋钛系陶瓷的介电性能与缺陷机构。结果表明,镧含量低时,材料中存在复合缺陷,且材料的介电常数随镧含量增加呈现峰值;当镧含量较高时,镧在锶铋钛系中的替代位置由A位向B位移动,呈现施-受主补偿,使得材料中复合缺陷解体,材料的介电常数下降。在缺陷机构发生改变的过程中,材料的电子密度变化不大。此外.根据正电子湮没寿命谱的结果,对材料中缺陷机构的进一步分析证实了上述缺陷模型的合理性。
智宇陈昂张绪礼王筱珍李标荣
关键词：介质陶瓷正电子湮没寿命谱
热敏传感器的现状与发展被引量：1
1996年
热敏传感器品种繁多，用途广泛。本文根据热敏传感器优质性能的判据，着重对陶瓷热敏电阻型及晶体管型热敏传感器的概况、现状与发展分别进行了分析讨论。
王筱珍张绪礼
关键词：热敏传感器传感器PTCR
Sr_(1-x)La_xTiO_3陶瓷的介电特性与缺陷机构被引量：9
1992年
研究了组份为Sr_(1-x)La_xTiO_3(其中x=0—0.06)陶瓷的介电特性与缺陷机构。发现:当x=0.0005—0.01时,在频率为10~5—10~7Hz范围内,材料出现了介电弛豫现象;而当0.02≤x≤0.05时,在频率为10~3—10~7Hz范围内,材料没有发生介电弛豫。材料的电阻率与La含量的关系呈“U”型曲线变化。作者采用La替代Sr后而产生的电子补偿与锶空位缺陷补偿分別存在或共同存在,以及空间电荷极化机制对上述现象作出了解释。另外由正电子湮没寿命谱得到的有关材料缺陷机构的结论则进一步证明了该解释的合理性。
智宇陈昂张绪礼王筱珍李标荣
关键词：陶瓷钛酸锶电特性
微波介质陶瓷的低频介电特性被引量：16
1998年
通过对一系列BLT系陶瓷材料的低频（103～107Hz）介电频谱和介电温谱的测试和分析，不仅为在低频下测试介电常数ε和介电常数的温度系数。来估计其微波性能提供理论依据，也为检验微波介质陶瓷工艺完善性提供一种方法．
金霞张绪礼王筱珍
关键词：微波介质陶瓷介电常数介电损耗
钛酸锶铋介电陶瓷中复合缺陷的正电子湮没研究被引量：1
1992年
用正电子湮没技术测量了 Bi-Sr-Ti-O 系介电陶瓷的正电子寿命谱.基于正电子理论,对该系样品中的寿命谱参数与材料中的缺陷机构进行了分析.结果表明,在固溶区内,当 Bi 含量较低时,材料中仅存在锶空位;而当 Bi 含量较高时,锶空位(V_(Sr))之间及锶空位(V_(Sr))与杂质 Bi_(Sr)之间可缔合成复合缺陷.另一方面,正电子寿命谱也能反映出 Bi 在 SrTiO_3中替代的固溶限.实验表明,正电子湮没技术是研究掺杂改性的介电陶瓷中微观缺陷机构的有效手段.
陈昂智宇张绪礼王筱珍
关键词：介电陶瓷正电子湮没
MnO对改性钛酸铅陶瓷压电性能的影响被引量：12
1995年
ＭｎＯ对Ｐｂ_（１－ｘ）Ｓｒ_ｘ［（Ｓｂ_（１／２）Ｎｂ_（１／２））_ｙＴｉ_（１－ｙ）］Ｏ_３改性钛酸铅压电陶瓷兼有“软性”和“硬性”改性作用。实验表明，添加适当的ＭｎＯ可以得到介电常数εｒ＝２４０，机电耦合系数是ｋｔ＝２４８．５％，机械品质因数Ｑｍ＝１５００，居里温度Ｔｃ＝４３５℃的高稳定性压电陶瓷材料。该材料在高温及高频器件的应用方面有重要的应用价值。
姜胜林王筱珍张绪礼
关键词：改性压电陶瓷压电性能
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