王明华
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院原子核科学技术研究所更多>>
- 相关领域：理学核科学技术金属学及工艺更多>>
- 三维定角器的研制
- 沟道效应的研究以及它在固体研究中的应用正日趋深入和广泛。在这些研究中都要求被研究的晶体在空间精确定向。因此晶体必须要安放在定确器上,为此我们对这一装置进行了研制。我们研制的三维定角器由机械和数字控制两部分组成。
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- 三束结合沉积技术及其陶瓷热障涂层
- 简述了离子束电子束原子束结合沉积技术。并就该技术制备的陶瓷热障涂层NiCoCrAlY-ZrO·YO及其1100℃300小时的高温氧化前后微结构作了相应的介绍。
- 黄宁康汪德志冯志蓉王明华王培禄熊兆奎申勇
- 关键词：热障涂层高温氧化离子束混合
- 文献传递
- Si〈111〉和(111)1Mev质子沟道效应研究
- 关于 Si 的沟道效应,国内外发表了很多文章,但缺少1Mev 质子 Si〈111〉的沟道实验数据,由于 Si〈111〉和(111)是不等晶格间距和不等晶面间距,使我们有兴趣来较深入地研究其沟道效应,文献①曾研究过金刚石型...
- 郭华聪何福庆彭秀峰王明华
- 文献传递
- 硅同质外延层的沟道效应研究
- 单晶外延生长技术在半导体领域内已得到广泛应用,为掌握高质量外延层的生长条件,必须研究在不同条件下得到的外延层中缺陷沿纵向分布情况。在这方面研究中,离子沟道效应就是一种十分有利的手段。
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- Cr-Al离子束混合效应的RBS测量
- 1989年
- 离子束混合技术是改善金属表面性质的一种重要方法,为了研究膜和基体的混合状态,我们用N离子束轰击Al基体上的Cr膜,并用背散射方法测量了Cr-Al的离子束混合效应,还利用^(15)N(p,α)^(12)C反应,比较准确地测定了N离子的入射剂量。
- 郭华聪谢必正王明华
- 关键词：离子束混合核反应背散射
- 关于单晶硅的面沟道效应研究
- 在单晶硅中,(111)晶面方向存在两种不同的面间距 a(a)) 和 d(d))=d(b))．Gemmell指出：可以予期在实验上能够观察到(111)面沟道有两个分量,其中一个比另一个具有较小ψ士和较快的退道率等。最近,魏...
- 龙先灌王明华何福庆彭秀峰
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- 〈100〉单晶Si薄膜的沟道一背散射研究
- 迄今为止,国内外已利用沟道效应对单晶 Si 作了大量研究。而单晶硅薄膜,最近又在表面及介面科学中与沟道技术一起成为一种独特的研究手段。因此对 Si 薄膜本身的性质进行探讨仍然有其实际意义。
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- α-LiIO3、LiNbO3晶体的沟道效应研究
- 沟道效应技术已大量用于单原子晶体的研究,也有少部份双原子晶体的研究工作,但用于研究多原子复杂晶体的工作却很少见到。为了把这种技术扩展到多原子晶体,并检验现有沟道理论对多原子
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