王怀义
- 作品数：21 被引量：32H指数：4
- 供职机构：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院双百人才基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 制备非晶及纳米微晶薄膜的基片低温冷却装置
- 制备非晶态及纳米微晶态薄膜的基片低温冷却装置，包括：基片冷却腔、基片冷却腔液氮注入管、液氮瓶口密封橡胶塞装置、液氮瓶氮气注入管、数字化气体流量控制器、流量显示仪、高压氮气瓶，冷却腔液氮排出口位于溅射室外，冷却腔液氮注入管...
- 刁训刚王怀义杜心康杨海刚郝维昌王天民
- 文献传递
- 液氮冷却法全无机智能窗器件的制备及其性能研究被引量：4
- 2009年
- 为降低溅射过程中基片温度的上升,进而成功制备非晶多孔、纳米微晶态电致变色薄膜和非晶态离子导电薄膜,介绍了一种配置于磁控溅射设备的液氮冷却装置。利用该装置制备了由WO_3、NiO_x和LiNbO_3薄膜组成的单基片全无机电致变色智能窗器件。采用分光光度计对该器件的电致变色性能进行了测试,并计算了它的漂白和着色态在400 nm到800 nm波长范围内的平均透射率。实验结果表明,经过50次循环后,该器件的漂白和着色态的平均透射率分别为61.5%和5.5%。X射线衍射和扫描电镜(SEM)图像显示,组成该器件的WO_3、NiO_x和LiNbO_3薄膜分别为非品多孔、纳米微晶和非品态结构。
- 王怀义刁训刚王武育杨海刚郝维昌王聪王天民
- 关键词：磁控溅射全固态电致变色智能窗
- 基于磁控溅射制备纳米微晶NiO_x薄膜的方法被引量：1
- 2009年
- 使用一种配套于磁控溅射设备的基片液氮冷却装置制备了小颗粒度纳米微晶NiO_x电致变色薄膜.当溅射参数完全相同时,借助于对基片的冷却可有效控制并降低NiO_x薄膜的晶粒尺度.冷却基片所制备的NiO_x薄膜的电致变色性能明显优于室温时制备的薄膜,且该薄膜的O/Ni比率也明显高于室温时制备的NiO_x薄膜的O/Ni比率.
- 王怀义刁训刚王武育郝维昌王聪王天民
- 关键词：无机非金属材料磁控溅射电致变色
- 磁控溅射真空室H<Sub>2</Sub>O内外压差逐级导入装置
- 磁控溅射真空室H<Sub>2</Sub>O内－外压差逐级导入装置包括：密封抽滤瓶、H<Sub>2</Sub>O气化导流管、至少三级H<Sub>2</Sub>O气化用浮标式流量计、数字流量控制器和混气室，密封抽滤瓶通过H<...
- 刁训刚王怀义杜心康杨海刚郝维昌王天民
- 文献传递
- 平面式磁控溅射便携插件式增磁装置
- 平面式磁控溅射便携插件式增磁装置，包括：附加中心圆柱形永磁强磁体、附加环形永磁强磁体、内散热环和外散热环、阴极罩和阳极罩，附加中心圆柱形永磁强磁体和附加环形永磁强磁体分别和设备阴极靶位固有的内置中心圆柱形永磁强磁体和内置...
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- 文献传递
- 基底沉积温度对WO_3薄膜电致变色特性的影响被引量：1
- 2007年
- 分别在室温和基片温度低于223 K的条件下,采用直流反应磁控溅射法制备WO3薄膜。对两种条件下制备的薄膜晶体结构、透射光谱特性及电致变色性能进行对比分析。结果表明,低温沉积有利于WO3薄膜非晶化,使得Li^＋的抽取更加容易,进而显示出良好的变色性能。低温制备的WO3薄膜在可见光400-800nm范围内着色态和漂白态平均透光率差值达70%以上,在690 nm处的着色系数达到了48.7 cm^2/C,具有良好的变色效率。
- 张金伟刁训刚王怀义黄俊舒远杰
- 关键词：三氧化钨电致变色非晶态
- 基于WO_3和NiO_x的单基片全无机智能窗器件的快速制备及其性能的研究被引量：1
- 2009年
- 介绍了利用磁控溅射和一种液氮冷却装置，制备非晶态WO3薄膜、非晶态LiNbO3薄膜和纳米微晶态NiOx薄膜的有效方法。进而，使用这种液氮冷却装置，采用全程基片冷却方法，制备了单基片无机全固态智能窗——G｜ITO｜NiOx｜LiNbO3｜WO3｜ITO器件。实验结果表明，在400800nm的可见光范围内，该器件经过1000次循环后，它的漂白态透射率为63．0％，而着色态透射率为10．6％，这一初步工作表明，基片冷却方法应该是制备有优异性能的无机全固态电致变色智能窗的有效方法。
- 王怀义刁训刚王武育郝维昌王聪王天民
- 关键词：磁控溅射电致变色智能窗
- 一种无机全固态电致变色元件及其制备方法
- 本发明提供一种无机全固态电致变色元件及其制备方法，该元件的结构为：在掺锡氧化铟玻璃基片上依次沉积的氧化钨薄膜、偏硼酸锂和硫酸锂混合物薄膜、镍氧化物薄膜、掺锡氧化铟薄膜；其制备方法的步骤如下：将掺锡氧化铟导电玻璃切割出适合...
- 王聪杨海刚刁训刚王怀义朱开贵王天民
- 文献传递
- 磁控溅射真空室H<Sub>2</Sub>O内外压差逐级导入装置
- 磁控溅射真空室H<Sub>2</Sub>O内-外压差逐级导入装置包括：密封抽滤瓶、H<Sub>2</Sub>O气化导流管、至少三级H<Sub>2</Sub>O气化用浮标式流量计、数字流量控制器和混气室，密封抽滤瓶通过H<...
- 刁训刚王怀义杜心康杨海刚郝维昌王天民
- 文献传递
- 一种增磁装置在磁控射频溅射制备薄膜中的应用被引量：1
- 2011年
- 为提高射频溅射成膜率,本文报道了一种配置于磁控溅射装置的射频(RF)增磁装置。基于此装置的实验结果表明,在不对原有装置作任何改动的情况下,在完全相同的溅射参数下,采用此装置可使射频溅射成膜率增大为原来的4倍左右。进而,该装置提供了一种能有效地节省溅射制备时间,改善薄膜结构的简便易行的新型手段。
- 王怀义刁训刚王聪郝维昌王天民
- 关键词：射频磁控溅射沉积速率
