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沈博侃

作品数:6 被引量:5H指数:1
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇磁畴
  • 3篇磁力
  • 3篇磁力显微镜
  • 2篇成像
  • 2篇成像研究
  • 2篇磁性
  • 2篇磁性薄膜
  • 1篇压电效应
  • 1篇应力
  • 1篇数据探测
  • 1篇探针
  • 1篇探针检测
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电材料
  • 1篇逆压电效应
  • 1篇膜厚
  • 1篇极化
  • 1篇极化特性
  • 1篇矫顽力
  • 1篇薄膜厚度

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇沈博侃
  • 4篇王志红
  • 2篇陈琨
  • 2篇周宇
  • 1篇谢巧英
  • 1篇曾慧中
  • 1篇张万里
  • 1篇黄惠东
  • 1篇杨传仁
  • 1篇蒋洪川
  • 1篇钟智勇
  • 1篇彭斌

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 4篇2007
  • 2篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
磁力显微镜在纳米磁性薄膜磁畴研究中的应用
本论文的工作主要分为两个方面:对磁力显微镜及其检测方法本身的研究和使用磁力显微镜研究薄膜磁畴结构的变化。磁力显微镜及其检测方法部分主要探讨了磁力显微镜的成像原理,着重研究了针尖状态影响磁畴成像的因素,以及减弱或消除这些影...
沈博侃
关键词:磁力显微镜
TbFe磁性薄膜的磁力显微镜成像研究
2007年
利用磁力显微镜(MFM)对TbFe磁性薄膜进行了不同抬举距离(分别为60~780nm)的磁力成像研究.在实验中,比较了低抬举距离(100nm以下)磁力像中样品-针尖的互相干扰;同时发现在高抬举距离磁力像中,随着抬举距离的增大,出现了与高凸起形貌对应的图像衬度特征,并随抬举距离的变化也改变着位置与强度,一直到抬举距离为仪器的极限值780nm时,形貌干扰仍未消失,对其形成机制进行了分析.
王志红周宇沈博侃陈琨
关键词:磁力显微镜
TbFe磁性薄膜的磁力显微镜成像研究
利用磁力显微镜(MFM)对 TbFe 磁性薄膜进行了不同抬举距离(分别为60~780nm)的磁力成像研究。在实验中,比较了低抬举距离(100nm 以下)磁力像中样品一针尖的互相干扰;同时发现在高抬举距离磁力像中,随着抬举...
王志红周宇沈博侃陈琨
关键词:磁力显微镜
文献传递
张应力对FeCoSiB非晶薄膜磁特性的影响被引量:1
2007年
采用磁控溅射方法,在弯曲的玻璃基片上制备出受张应力作用的FeCoSiB非晶薄膜,研究了张应力大小对FeCoSiB薄膜的磁畴、矫顽力、剩磁、各向异性场等磁特性的影响。结果表明,薄膜的畴结构显著依赖于张应力,其磁畴宽度随张应力增加而增加;张应力导致FeCoSiB薄膜内形成较强的磁各向异性,其各向异性随应力的增大而增大。
谢巧英张万里蒋洪川沈博侃彭斌
关键词:应力磁各向异性磁畴矫顽力
非导电探针检测铁电材料微区极性分布的方法
非导电探针检测铁电材料微区极化特性分布的方法,属于材料分析与表征技术领域。包括:准备;聚焦;调光;进针;形貌预扫描,根据形貌预扫描确定是否更换探针;确定检测电场的电压和频率;精确扫描;退针,数据处理和像输出等步骤。其实质...
黄惠东王志红李言荣杨传仁沈博侃
文献传递
利用MFM研究薄膜厚度对Co_(60)Fe_(20)B_(20)薄膜磁畴结构的影响被引量:4
2006年
本文利用磁力显微镜(MFM)主要研究了由磁控溅射法制备的Co60Fe20B20软磁薄膜的厚度变化(2.5nm^400nm)对薄膜磁畴结构的影响。在室温下观察到垂直各向异性随薄膜厚度的增大而增大。从薄膜的表面形貌像观察到在溅射过程中薄膜温度随薄膜厚度增大而升高。当薄膜厚度小于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而增大;当薄膜厚度大于20nm时,磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而减小;厚度在20nm附近时,畴壁尺寸达到一个最小值。
沈博侃王志红钟智勇曾慧中
关键词:磁畴薄膜厚度
共1页<1>
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