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汪洁

作品数：22 被引量：13H指数：2
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金浙江省重点科技创新团队项目更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 7篇表面势
  • 4篇电路
  • 4篇信号
  • 3篇无人机
  • 3篇线性电路
  • 3篇抗ESD
  • 3篇二极管
  • 3篇非线性电路
  • 3篇飞行
  • 2篇电力
  • 2篇电力电子
  • 2篇电力电子系统
  • 2篇电流
  • 2篇电子调速
  • 2篇电子调速器
  • 2篇短路
  • 2篇短路点
  • 2篇在片测试
  • 2篇位错
  • 2篇无人机飞控

机构

  • 20篇杭州电子科技...
  • 2篇西安交通大学
  • 2篇浙江大学
  • 1篇桂林理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 21篇汪洁
  • 8篇刘军
  • 7篇孙玲玲
  • 3篇吕幼华
  • 3篇高明煜
  • 3篇张海鹏
  • 2篇徐文杰
  • 2篇王大威
  • 2篇许杰萍
  • 1篇汪沁
  • 1篇刘卫华
  • 1篇贺永宁
  • 1篇刘来君
  • 1篇李文钧
  • 1篇李永东
  • 1篇王领航
  • 1篇林崟
  • 1篇吴玲
  • 1篇刘国华
  • 1篇张浩源

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国激光
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微波学报

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
亚太赫兹频段介电性能的共面波导测量被引量：2
2019年
利用共面波导的S参数建立了一种计算亚太赫兹频率下材料介电常数实部和虚部的模型,并给出了该模型的详细推导过程和应用实例。基于该模型,利用测试得到的共面波导的S参数计算了200GHz下衬底材料的介电常数,计算值与理论结果相符。建立的模型可广泛应用于各类材料在亚太赫兹频段介电性能的表征。
许吉苏江涛刘来君汪洁贺永宁李永东王领航王大威
关键词：介电常数共面波导S参数
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法被引量：5
2006年
为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.
张海鹏汪沁孙玲玲高明煜李文钧吕幼华刘国华汪洁
关键词：ESDSOIPIC
一种基于表面势的GaAs工艺pHEMT紧凑型模型的建模方法
一种基于表面势的GaAs工艺pHEMT紧凑型模型的建模方法包括：建立基于表面势的GaAs pHEMT紧凑型本征模型；建立基于表面势的GaAs pHEMT紧凑型非本征模型；结合GaAs pHEMT器件的物理结构和行为机理，...
汪洁陈展飞刘军
考虑位错散射的砷化镓HEMT器件表面势模型的建模方法
本发明公开一种考虑位错散射的砷化镓HEMT器件表面势模型的建模方法，包括以下步骤：S1、基于砷化镓HEMT器件的准弹道输运机理，使用通量计算虚源处的电荷密度；S2、由砷化镓HEMT器件异质结引入的位错散射建立迁移率模型；...
刘军汪洁王金叶
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOILIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、栅氧化层、...
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜吕幼华汪洁
文献传递
一种Ⅲ-Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法
本发明公开一种Ⅲ‑Ⅴ族HEMT表面势基集约型模型的建模方法。该方法是首先建立Ⅲ‑Ⅴ族HEMT本征结构和非本征结构模型，结合器件的物理结构和行为机理，构建拓扑结构，再将建立的模型嵌入商用EDA工具；然后对实际耗尽型器件进行...
汪洁刘军孙玲玲
文献传递
基于表面势的GaN HEMT器件模型研究
氮化镓高电子迁移率晶体管/(GaN HEMT/)模型是GaN微波单片集成电路/(MMIC/)CAD的基础。现有的GaN HEMT物理模型未能解决载流子传输方程与新效应联立自洽求解带来的数值算法问题、异质结界面处量子力学效...
汪洁
关键词：表面势极化效应
文献传递
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、栅氧化层...
张海鹏徐文杰许杰萍高明煜吕幼华汪洁
文献传递
基于STM32的新型安全强化版无人机飞控
本实用新型公开基于STM32的新型安全强化版无人机飞控。本实用新型包括电源模块、姿态检测模块、主控模块、无线模块、下载模块；电源模块为主控模块供电，姿态检测模块的信号输出端、下载模块的信号输出端分别与主控模块的两个信号输...
袁瑞阳赵星伦刘宇寒王仁军汪洁
文献传递
基于STM32+FPGA的新型高稳定性版无人机飞控
本实用新型公开基于STM32+FPGA的新型高稳定性版无人机飞控。本实用新型包括电源模块、姿态检测模块、主控模块、无线模块、下载模块、FPGA模块、其它传感器接口模块、电子调速器；采用FPGA模块进行姿态信息处理，增强原...
刘新宇刘宇寒孙玲玲汪洁赵星伦
文献传递
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