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江方

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电镀
  • 2篇短路
  • 2篇短路问题
  • 2篇金属
  • 2篇金属基板
  • 2篇化学法
  • 2篇基板
  • 2篇衬底
  • 1篇电极
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇反射率
  • 1篇高反射率
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN基发光...

机构

  • 3篇厦门大学

作者

  • 3篇江方
  • 2篇蔡丽娥
  • 2篇张江勇
  • 2篇张保平

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
GaN基垂直结构LED关键工艺研究
GaN基发光二极管(LED)是发展固态照明、实现人类照明革命的关键性光源，具有广阔的应用前景。由于其衬底蓝宝石为绝缘体，以及结构上的原因，不可避免地存在电流的横向扩展，从而极易产生电流拥挤效应，导致器件散热不良、出光率低...
江方
关键词：GAN基发光二极管
GaN基外延薄膜自分裂转移方法
GaN基外延薄膜自分裂转移方法，涉及用于光电器件中的GaN基薄膜。先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属，使之成为欧姆接触层，其中加入高反射率金属起到反射镜作用，再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶；在样...
张保平蔡丽娥张江勇江方
文献传递
GaN基外延薄膜自分裂转移方法
GaN基外延薄膜自分裂转移方法，涉及用于光电器件中的GaN基薄膜。先在GaN基外延薄膜上蒸镀或溅射一层或多层金属，使之成为欧姆接触层，其中加入高反射率金属起到反射镜作用，再利用光刻方法在金属表面上制作出图形化光刻胶；在样...
张保平蔡丽娥张江勇江方
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