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李树花

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：华南理工大学理学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

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  • 2篇多晶硅薄膜晶...
  • 2篇隧穿
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  • 1篇隧穿效应
  • 1篇区带
  • 1篇P-SI
  • 1篇TFTS

机构

  • 2篇华南理工大学

作者

  • 2篇李斌
  • 2篇李树花
  • 1篇吴为敬

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电子产品可靠...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
P-SiTFTs带间隧穿电流的建模研究
2008年
介绍了多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFTs)中的带间隧穿(BBT)效应的产生机理,分析了BBT对P-SiTFT电流特性的影响,总结了关于P-SiTFT带间隧穿效应的研究现状,并提出建立更为完善的BBT电流模型的建模思路。
李树花李斌
关键词：多晶硅薄膜晶体管
多晶硅薄膜晶体管泄漏区带间隧穿电流的建模被引量：1
2009年
讨论了带间隧穿(BBT)效应在多晶硅薄膜晶体管所有的泄漏机制中占主导地位的条件因素,说明了在高场或低温情况下,泄漏电流主要来自带间隧穿.考虑了BBT的两个产生区域——栅漏交叠处和靠近漏端的PN结耗尽区,分析了陷阱态密度以及掺杂浓度对BBT电流的影响,最后提出了一个适用于多晶硅薄膜晶体管泄漏区的带间隧穿电流模型.
李树花李斌吴为敬
关键词：多晶硅薄膜晶体管
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