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领域

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主题

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机构

  • 5篇哈尔滨工业大...

作者

  • 5篇李助鹏
  • 3篇杨学栋
  • 3篇陈志来
  • 3篇陈小凡
  • 1篇侯春风
  • 1篇孟庆鑫
  • 1篇韩权
  • 1篇孙芳魁
  • 1篇李青峰
  • 1篇张宇

传媒

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  • 1篇物理通报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2001
  • 1篇2000
7 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
相对论重离子碰撞中π对相对动量分布被引量:4
2001年
在π源动量分布的高斯分布下,给出了相对论重离子碰撞中非关联π对和关联π对的相对动量分布.用关联π对的相对动量分布得到球形高斯分布π源参数与椭球形高斯分布π源参数的解析关系,与相对论重离子中心碰撞1.8AGeV Ar+Pb的实验结果进行了对比.当π源温度更高时,应当用 p1(p)=N·exp(-m2+p2/T)进行计算.
陈小凡陈志来杨学栋李助鹏
关键词:相对论重离子碰撞
相对论非对称重离子碰撞中小相对动量区域2π干涉学被引量:7
2000年
用小相对动量区域 2π干涉学分析方法研究了相对论非对称重离子碰撞中π介子的吸收存在时对 2π干涉学分析所得π源参数的影响 ,得到了不考虑和考虑π的吸收情况下所得到的源的参数的解析关系 与相对论非对称重离子碰撞 1
陈小凡陈志来杨学栋李助鹏
关键词:相对论2Π干涉学
计及多π关联效应的小相对动量区域2π干涉学被引量:7
2001年
给出了相对论重离子碰撞中在关联nπ和非关联nπ的选取中存在多π关联效应时nπ关联函数的一般表达式.用这一表达式研究了计及多π关联效应的小相对动量区域2π干涉学,得到了从3π干涉学分析得到的π源参数与计及多π关联效应后,从2π干涉学分析得到的π源参数的解析关系,与相对论重离子中心碰撞 1. 8A GeV Ar+ Pb的实验结果进行了对比.
陈小凡陈志来杨学栋李助鹏
关键词:2Π干涉学
一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片
一种基于硅基图形化衬底的复合缓冲层LED芯片,属于硅基发光二极管芯片技术领域。针对现有硅基LED衬底层和外延层之间的热失配和晶格失配导致的出光效率及产品质量低的现状,本发明提供的芯片自下而上依次由硅衬底、复合协变缓冲层、...
孙芳魁李青峰李助鹏
文献传递
利用通识课程《物理学史》来传递物理文化和培养物理思维——通识课程《物理学史》建设及改革初探被引量:1
2016年
通过问卷调查深入了解学生对《物理学史》课程的需求,分析了将《物理学史》建设为本科生通识课程的可行性.根据学生对该课程的需求,对物理学史课程的教学理念、教学内容和考核手段等方面都做了改革,实践结果表明:物理学史课程的教学可以实现其传递物理文化、培养物理思维模式的教学目标.
孟庆鑫侯春风李助鹏张宇韩权
关键词:通识课程物理学史教学内容教学目标
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