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朱文化

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇SOI
  • 3篇离子注入
  • 3篇SIMOX
  • 3篇TEM研究
  • 2篇退火
  • 2篇外延层
  • 2篇埋层
  • 2篇光学
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇半导体
  • 2篇SOI材料
  • 1篇多层结构
  • 1篇氧离子
  • 1篇氧注入
  • 1篇应变层
  • 1篇应变层超晶格
  • 1篇砷化镓
  • 1篇退火温度
  • 1篇迁移

机构

  • 8篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 9篇林成鲁
  • 9篇朱文化
  • 5篇邹世昌
  • 3篇倪如山
  • 2篇张顺开
  • 1篇卢江
  • 1篇俞跃辉
  • 1篇周祖尧
  • 1篇杨云洁

传媒

  • 1篇核技术
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇电子科学学刊
  • 1篇首届中国功能...

年份

  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 3篇1992
  • 2篇1991
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究
1994年
以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格。用剖面电子显微学（ＸＴＥＭ）对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失配，引起晶格畸变，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）超晶格内存在的位错与ＳＩＭＯＸ衬底内的位错密度有关。
倪如山朱文化林成鲁
关键词：分子束外延SLS
SIMOX上外延层的TEM研究
1993年
氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜。由于SIMOX衬底与体材料硅相比有许多潜在的优点,如有较高的开关速度、较强的抗辐照能力和避免闭锁效应等,正受到人们越来越多的关注。SIMOX衬底上分子束外延生长GaAs或Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格薄膜,具有异质外延材料和SIMOX的全部优点。可把GaAs光电器件和硅集成电路集成在一块芯片上。SIMOX中氧化物埋层由氧离子注入单晶硅形成,注入能量为200kev,剂量为1.8×10~_(18)/cm^2。注入后试样在1300C干氮气氛中退火6小时。
倪如山朱文化林成鲁
关键词：砷化镓TEM
离子注入形成AIN埋层的分析与计算机模拟被引量：1
1993年
以离子背散射和二次离子质谱分析了大剂量N^+离子注入A1形成的A1/A1N/A1多层结构。基于离子注入形成A1N埋层的机理,利用计算机程序动态模拟A1N层的形成过程及终态结构。研究发现,N/A1原子比饱和于A1N化学组分比,模拟与实验结果符合得很好;低能注入能降低形成A1N层的临界剂量,且A1/A1N界面更陡。
施左宇林成鲁朱文化U.BussmannP.L.F.Hemment邹世昌
关键词：AIN离子注入计算机模拟半导体
退火温度对SOI材料与器件性能的影响
1992年
在注氧形成的SOI衬底上制作了P型MOSFET。本文研究了不同退火温度对材料形成与器件性能的影响。结果表明,1300℃以上的退火有利于改善SIMOX(Separation by ImplantedOxygen)材料性能,MOS晶体管具有非常低的漏电流。
施左宇林成鲁朱文化邹世昌李金华
关键词：SOI退火迁移率半导体材料
SOI上分子束外延GaAs的结构与光学性质研究
我们采用离子束沟道背散射技术(RBS)、光荧光(PL)技术研究了新结构GaAs/ SOI的结构和光学性质。SOI(Silicon—on—Insulator)衬底是由高剂量的氧离子注入形成的。研究表明用分子束外延方法可在S...
朱文化施左宇杨云洁林成鲁
文献传递
N^+注入SOI材料上层硅的注入损伤和退火行为研究
1992年
对注N^+形成的SOI材料,在不同条件下注入Si^+,分别使上层硅的表面、与埋层的界面及整个上层硅区域无定形化;再注入B^+:能量为25keV,剂量为1×10^(15)/cm^2,并在500—900℃的温度范围内退火30min。掠角背散射沟道测试表明:上层硅的表面或与埋层的界面区域被无定形化后,在后续热退火过程中分别存在由上层硅的内部向表面及由表面向内的固相外延过程;当上层硅被全部无定形化后,在500—600℃的温度范围内,上层硅由无定形相转变成多晶相,改变退火温度没有出现固相外延过程;扩展电阻测试发现:注入硼杂质在注N^+形成SOI材料上层硅中的激活率比其在单晶硅中的激活率低,利用Si^+注入使上层硅的表面或与理层的界面区域无定形化及在后续热退火过程中的固相外延再生长过程能提高注入硼杂质在注N^+形成SOI材料上层硅中的激活率。
张顺开林成鲁周祖尧朱文化邹世昌
关键词：SOI离子注入硅
离子束合成SOI多层结构的研究
1991年
本文报道了借助高剂量离子注入、高温退火等技术获得不同类型SOI(Silicon on Insulator)材料的形成过程及其多层结构。以离子背散射和沟道技术、Auger能谱、透射电子显微镜、扩展电阻测试以及红外透射和反射等分析方法对这些SOI结构进行表征。比较了注O^+和注N^+两种SOI材料的优缺点。研究表明,高质量的SOI材料能够通过离子束合成技术获得。
林成鲁张顺开朱文化邹世昌李金华P.L.F.Hemment
关键词：SOI离子束合成多层结构
SIMOX上外延层的TEM研究
氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅...
倪如山朱文化林成鲁
文献传递
氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质
1991年
本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O^+(200keV,1.8×10^(18)/cm^2)和N^+(180keV,4×10^(17)/cm^2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O^+和N^+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异。通过对波数范围在5000—1700cm^(-1)的红外反射谱的计算机模拟,得到了该绝缘埋层的折射率、厚度等有关的参数值,这些结果与离子背散射谱的分析结果相一致。本文还讨论了绝缘埋层的形成特征。
俞跃辉林成鲁朱文化邹世昌卢江
关键词：离子注入绝缘埋层微观结构光学
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