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朱丽娜

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇单晶
  • 4篇碳化硅
  • 4篇晶体
  • 3篇单晶生长
  • 3篇碳化硅单晶
  • 3篇硅单晶
  • 3篇包裹物
  • 2篇碳膜
  • 2篇体缺陷
  • 2篇气保护
  • 2篇热处理温度
  • 2篇氩气
  • 2篇氩气保护
  • 2篇晶体缺陷
  • 2篇半导体
  • 2篇SIC晶体
  • 1篇第三代半导体
  • 1篇多型性
  • 1篇碳化钙
  • 1篇退火

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇朱丽娜
  • 6篇陈小龙
  • 5篇倪代秦
  • 4篇彭同华
  • 4篇胡伯清
  • 3篇杨慧
  • 3篇吴星
  • 2篇李河清
  • 1篇李龙远
  • 1篇张贺
  • 1篇王皖燕
  • 1篇王文军
  • 1篇许燕萍
  • 1篇鲍慧强
  • 1篇刘春俊
  • 1篇王波

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第14届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 3篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
PVT法生长SiC晶体的新缺陷研究
本文研究了物理气相传输方法(PVT)生长的SiC晶体缺陷。SiC晶体在熔融KOH腐蚀后,用光学显微镜和扫描电镜进行观察发现了新缺陷,包括4H-SiC晶体中的三角形腐蚀坑、浅六角形腐蚀坑和具有枝晶结构的硅包裹物。具有枝晶结...
朱丽娜李河清胡伯清吴星陈小龙
关键词：碳化硅晶体缺陷多型性微管
文献传递
PVT法SiC单晶生长传热分析(英文)被引量：1
2004年
研究了PVT法生长SiC过程中的传热行为 ,以优化生长条件、获得高质量单晶。该研究是针对坩埚盖 (籽晶粘附于坩埚盖上 )和炉盖之间的传热行为进行的。研究认为 ,坩埚盖上部石墨毡开孔形状和大小对坩埚盖的径向温度场有很大影响。采用本文简化的模型可以估算坩埚在不同位置下、不同的石墨毡开孔形状和大小时坩埚盖和炉盖之间总的辐射热阻和传热量。对影响坩埚盖和炉盖之间传热的因素进行了讨论。另外 ,讨论了在生长过程中动态调整坩埚盖散热条件的可行性。
李河清倪代秦吴星胡伯清朱丽娜陈小龙
关键词：SIC晶体生长碳化钙坩埚传热量
碳化硅晶体制备技术
陈小龙吴星胡伯清李龙远彭同华王皖燕倪代秦鲍慧强张贺刘春俊王波王文军许燕萍朱丽娜
碳化硅(SiC)作为重要的第三代半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料，在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值，因此成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。物理气相传输...
关键词：
关键词：半导体材料
一种碳化硅单晶生长后的热处理方法
本发明公开了一种碳化硅单晶生长后的热处理方法，该方法将覆碳膜的SiC单晶和粉料置于坩埚中，在加热炉中氩气保护下升至预定热处理温度，并保温一定时间，随炉冷却，即可通过热处理过程中的SiC晶体重结晶和固态扩散来消除部分微管和...
朱丽娜陈小龙倪代秦杨慧彭同华
文献传递
一种碳化硅单晶生长后的热处理方法
本发明公开了一种碳化硅单晶生长后的热处理方法，该方法将覆碳膜的SiC单晶和粉料置于坩埚中，在加热炉中氩气保护下升至预定热处理温度，并保温一定时间，随炉冷却，即可通过热处理过程中的SiC晶体重结晶和固态扩散来消除部分微管和...
朱丽娜陈小龙倪代秦杨慧彭同华
文献传递
第三代半导体碳化硅单晶的缺陷研究
本论文对物理气相传输法(PVT)法制备的碳化硅(SiC)单晶的主要缺陷进行了系统研究，旨在认识SiC单晶中各种缺陷的形成、发展、分布规律以及它们之间的相互作用等降低SiC单晶质量的关键问题。同时，通过对SiC单晶进行退火...
朱丽娜
关键词：碳化硅晶体缺陷退火处理第三代半导体
文献传递
SiC晶体多型界面处的微结构分析
朱丽娜杨慧彭同华倪代秦胡伯清陈小龙
文献传递
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