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曾波

作品数:6 被引量:12H指数:3
供职机构:郑州大学信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 3篇电容
  • 3篇输出电容
  • 3篇非线性
  • 3篇MOSFET
  • 2篇晶体管
  • 2篇均压
  • 2篇变换器
  • 2篇E类
  • 1篇电路
  • 1篇电源
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇振荡
  • 1篇振荡频率
  • 1篇振荡器
  • 1篇软开关
  • 1篇损耗
  • 1篇逆变
  • 1篇逆变器
  • 1篇谐波
  • 1篇谐波分量

机构

  • 6篇郑州大学
  • 1篇大连理工大学

作者

  • 6篇曾波
  • 5篇刘平
  • 2篇刘晓芳
  • 1篇王洋
  • 1篇宋慧娜
  • 1篇刘晓芳
  • 1篇宋慧娜
  • 1篇宋惠娜

传媒

  • 2篇电力电子技术
  • 2篇微计算机信息
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 6篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种E类逆变器及其IGBT串联均压问题的研究被引量:3
2007年
介绍了一种利用IGBT作为开关器件,可用于感应加热的单端E类软开关逆变器;分析了它的工作原理;给出频率为20kHz,输出功率达6kW时的系统相关参数。为了提高开关的耐压级数,该逆变器采用两个IGBT的串联。此外还分析了因串联IGBT开关不一致所引起的串联均压问题,并探讨了解决办法。最终给出了系统的仿真及实验结果。
王洋刘平曾波
关键词:逆变器
MOSFET输出电容非线性对振荡器工作状态影响
2007年
由于MOSFET漏源极间的非线性寄生电容,也即输出电容Co的存在会影响振荡器的工作状态及效率。因此,构建了包含非线性电容的振荡电路模型,并以ARF461A射频功率MOSFET为例,用Matlab分析了非线性电容Co对振荡器的工作状态及其效率的影响。实验结果与理论分析保持了很好的一致性。理论分析和实验均表明,利用Co的非线性,可以提高振荡器的工作效率。
刘平曾波刘晓芳宋慧娜
关键词:振荡器
带隔离的E~2类DC//DC变换器
直流-直流变换/(DC/DC变换/)电源在工业和日常生活中的应用已经非常广泛。各种开关电源已经占据了主要地位。开关电源技术研究的重要内容是进一步提高功率密度,即减小体积。而提高功率密度与变换效率又会产生矛盾。本文的主要目...
曾波
关键词:开关电源E类IGBT串联均压
文献传递
MOSFET输出电容的非线性对振荡频率的影响被引量:4
2007年
MOSFET的寄生参数会影响振荡器的性能指标。例如:漏极与源极之间的寄生电容(输出电容COSS)的存在会影响振荡器的频率。而且,COSS呈非线性特性。本文独具创新,以MOSFET的寄生电容作为振荡器的谐振电容。在这篇文章中,构造了包含非线性电容的电路等效模型,借助Matlab软件分析了非线性电容COSS对振荡频率的影响。分别获得了振荡频率随输出射频电压幅度变化和随直流电源电压变化的曲线。
刘平刘晓芳曾波宋惠娜
关键词:输出电容非线性振荡频率
MOSFET输出电容的非线性对振荡谐波的影响被引量:5
2007年
MOSFET的输出电容COSS具有非线性。在射频震荡器中,电容的这一非线性会影响振荡器的谐波分量。本文选取不同直流电源电压和输出电压,对在不同工作状态下振荡器的输出谐波分量进行了Matlab数值分析。实验结果验证了数值分析的结论。
刘平宋慧娜刘晓芳曾波
关键词:输出电容非线性谐波分量
E类放大电路中晶体管的功率损耗
2007年
在理想情况下,E类放大电路的效率可以达到100%,因此E类放大电路适用于高功率,高频率电路的设计,但在实际情况下,由于所有的器件都不是理想的。例如,电感、电容中会有寄生电阻的存在,晶体管的饱和电压,饱和电阻以及集电极电流的下降时间不为零,这些因素的存在都会导致E类放大电路的效率降低,但当电路的负载匹配且处于谐振状态,则引起电路功率损耗的主要因素也就是晶体管中的功率损耗。对E类放大电路中由晶体管引起的损耗进行分析,并得出简单的估算方法,并用实验的方法验证。
刘平曾波
关键词:E类放大器晶体管功率损耗DC-DC变换器
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