曾丽珍
- 作品数：37 被引量：30H指数：4
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学天文地球更多>>
- 一种全介质纳米圆环阵列结构的宽色域颜色滤波器
- 本发明公开了一种全介质纳米圆环阵列结构的宽色域结构色滤波器，该结构由介质材料基底层及其上周期结构圆环阵列组成。其中单个周期结构是以一个方形石英衬底上的硅环组成。通过调节本结构的圆环的内环直径以及圆环的高度可以对可见光进行...
- 肖功利陈剑云杨宏艳曾丽珍欧泽涛徐燕萍李海鸥李琦张法碧傅涛孙堂友陈永和刘兴鹏王阳培华
- 文献传递
- 基于CAF-WAS的单片三维集成电路层间通孔测试电路及方法
- 本发明属于的测试电路领域，具体涉及基于CAF‑WAS的单片三维集成电路层间通孔故障测试方法。所述公共测试单元，用于切换不同的测试模式，以检测MIV内是否存在开路故障、短路故障；所述开路测试单元，用于测试MIV电路中是否存...
- 尚玉玲耿龙禄李春泉曾丽珍姜辉段阁飞张晋滔李俊机
- 移动自组网典型路由协议的性能分析与比较
- 2006年
- 分析了移动自组网的先应式路由协议DSDV和按需路由协议AODV与DSR,并通过网络仿真软件ns2进行了仿真实验,对其分组投递率,端到端平均时延、吞吐量、路由开销等方面的性能进行了分析和比较。实验结果表明,按需路由协议具有更好的性能。
- 曾丽珍李思敏
- 关键词：移动自组网路由协议网络仿真
- 基于谐振腔耦合金属波导结构全光等离子体开关
- 本实用新型公开一种基于谐振腔耦合金属波导结构全光等离子体开关，包括附着在绝缘介质上的金属层，以及镂空嵌设在金属层中的传输波导、谐振腔和共振波导；传输波导位于金属层的中部；该传输波导呈直条状，其两端分别延伸至金属层两对边的...
- 曾丽珍窦婉滢肖功利
- 文献传递
- 基于改进YOLOv5算法的PCB表面缺陷检测方法
- 本发明提出一种基于改进YOLOv5算法的PCB表面缺陷检测方法。该方法包括：对原始的PCB数据集进行预理，建立YOLOv5算法的网络结构；根据GIoU确定YOLOV5网络损失函数和性能评价指标；改进了网络结构的处Neck...
- 尚玉玲叶晓静侯杏娜韦淞译曾丽珍
- 一种基于多模干涉耦合器的4×4热光开关
- 本发明提出一种基于多模干涉耦合器的4×4热光开关，可应用于光通信、光互联、光计算中，属于光电技术领域。整个光开关器件基于多模干涉耦合器结构，从左至右沿光传播方向，依次由输入波导、多模干涉分束器、连接波导、多模干涉合束器、...
- 尚玉玲周谨倬李春泉曾丽珍何翔叶晓静梅礼鹏胡玉凤姜辉
- 移动自组网服务区分的QoS策略研究
- 移动自组网的应用环境随着当今互联网多媒体业务如VoIP、视频会议等的迅速发展和商业化,个人通信系统的宽带化,逐渐从原有的军用应用中扩展到更多的民用领域。然而无线信道固有的特点及节点的移动性、多跳性、空间复用及自组织特性,...
- 曾丽珍
- 关键词：移动自组网QOS体系仿真验证
- 文献传递
- 应用于LTE的高效率高线性功率放大器被引量：3
- 2021年
- 基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器。采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真,实现了高线性度;利用二次谐波终端电容改变电路工作模式,减少时域电压电流的重叠损耗功率,提高了功率附加效率。结果表明,在3.4 V电源电压、2.8 V偏置电压时,在工作频带815~915 MHz范围内,该功率放大器的增益大于29.5 dB,输入回波损耗小于-13.2 dB;在10 MHz LTE输入调制信号、28 dBm回退输出功率时,功率附加效率为39%~41%,第一相邻信道泄漏比ACLR;小于-38.1 dBc,第二相邻信道泄漏比ACLR_(1)小于-44.8 dBc。
- 曾丽珍李杰尹怡辉赵灏谢志远张卫陈永和孙堂友刘兴鹏李琦李海鸥
- 关键词：功率放大器模拟预失真相位补偿功率附加效率
- 基于分压器的单片三维集成电路层间通孔故障检测方法
- 基于分压器的单片层间通孔故障检测方法，属于高密度集成电路测试领域。本发明为解决目前多数提出的基于时序冲突的MIV测试架构，根据MIV缺陷的类型表现出不同的充电/放电时间来检测故障，容易受到工艺电压温度变化和噪声的影响。因...
- 尚玉玲张晋滔李春泉曾丽珍姜辉段阁飞耿龙禄李俊机
- 2 GHz~4.2 GHz MMIC低噪声放大器设计被引量：4
- 2021年
- 本次设计采用0.25 um GaAs E-Mode p HEMT工艺,利用ADS仿真软件设计了一款工作在2 GHz~4.2 GHz的MMIC低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)。该放大器采用单电源供电的两级放大结构,通过在晶体管源极加入高精度的小电感负反馈元件改善输入回波损耗,以及采用栅极与漏极之间并联RCL负反馈的结构改善增益平坦度和拓宽带宽。仿真结果表明,在2 GHz~4.2 GHz频带内,增益大于30.7 dB,增益平坦度为±0.282 d B,噪声系数小于1.524 dB,输出1 dB压缩点大于16 d Bm,输入输出回波损耗均大于16 dB,芯片面积为0.94×1.05 mm^(2)。
- 李海鸥朱蒙洁谢仕锋张卫曾丽珍
- 关键词：微波单片集成电路PHEMT砷化镓
