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曹昕

作品数：5 被引量：7H指数：2
供职机构：西安交通大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇砷化镓
  • 3篇ALN薄膜
  • 3篇MESFET
  • 2篇钝化
  • 2篇半导体
  • 2篇ALN
  • 2篇GAAS功率
  • 1篇钝化膜
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇势垒
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇肖特基势垒栅...
  • 1篇晶体管
  • 1篇快速热退火
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备

机构

  • 5篇西安交通大学
  • 4篇南京电子器件...

作者

  • 5篇曹昕
  • 4篇罗晋生
  • 4篇陈堂胜
  • 4篇陈克金

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 2篇1999
  • 3篇1998
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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用于GaAs贯穿注入和包封退火的AIN薄膜
1998年
用直流反应溅射淀积的AIN薄膜作包封介质对GaAs进行了贯穿注入和包封退火。用电化学C－V法测量了载流子的分布。实验结果与TRIM模拟结果符合得很好。用50nm的AIN包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率。应用AIN包封层后，当注入能量180keV，注入剂量7．5×10~13cm~－2时，所得到的最高载流子浓度为1．84×10~18cm~－3，样品方块电阻为118Ω／□。
曹昕罗晋生陈堂胜陈克金
关键词：快速热退火热退火ALN薄膜砷化镓
用于GaAs功率MESFET的新型钝化膜被引量：3
1998年
用直流反应溅射淀积的AlN薄膜对GaAs功率MESFET进行了钝化。给出了钝化后器件的直流特性。器件的直流参数BVGD、IDSS和Vp在钝化后几乎没有改变。还给出了器件的微波特性。实验证明，AlN钝化的器件性能较好，它是一种很有前途的GaAs钝化材料。
曹昕罗晋生陈堂胜陈克金
关键词：功率MESFET钝化ALN薄膜砷化镓
直流磁控溅射制备用于G aA s M E SFET钝化的AlN的工艺研究被引量：3
1999年
室温下，用直流磁控反应溅射方法在 Ｎ２ ／ Ａｒ 混合气体中淀积了 Ａｌ Ｎ 薄膜，所用衬底是（１００）面的半绝缘 Ｇａ Ａｓ 单晶片．研究了反应条件，如反应气压、反应气体配比、直流功率，对薄膜的物理性质和化学性质的影响．为了得到适于 Ｇａ Ａｓ Ｍ Ｅ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 钝化的薄膜，还对反应条件进行了优化．
曹昕罗晋生陈堂胜陈克金
关键词：MESFET直流磁控溅射
AlN/GaAs界面的AES和XPS研究被引量：2
1999年
在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了ＡｌＮ薄膜．用ＡＥＳ方法和ＸＰＳ方法分析了ＡｌＮ膜和ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面．在ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面发现了Ｏ—Ａｌ键，没有发现Ｏ—Ｇａ键或Ｏ—Ａｓ键．本文通过实验证明，ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素在ＡｌＮ淀积过程中从ＧａＡｓ表面转移到ＡｌＮ膜中．这与通过ＰＥＣＶＤ方法淀积ＡｌＮ薄膜形成的ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面完全不同．由于ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素是与Ａｌ结合的，因此有较好的界面特性．
曹昕罗晋生陈堂胜陈克金
关键词：砷化镓AESXPS半导体薄膜技术
GaAs功率MESFET钝化的研究
该文系统地研究了钝化与器件性能和可靠性的关系;进行了用射频磁控反应溅射方法制备AlN薄膜的研究,并研究了AlN薄膜的特性;进行了将AlN薄膜用于GaAs功率MESFET钝化的研究.该研究从理论上对GaAs功率MESFET...
曹昕
关键词：肖特基势垒栅场效应晶体管半导体表面ALN薄膜
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