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文宸宇

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电磁
  • 4篇电磁场
  • 4篇电流
  • 4篇磁场
  • 3篇漏极
  • 2篇导体
  • 2篇电荷
  • 2篇电机
  • 2篇电流灵敏度
  • 2篇电阻
  • 2篇压电
  • 2篇氧化层
  • 2篇栅绝缘层
  • 2篇散射
  • 2篇屏蔽保护
  • 2篇氢离子
  • 2篇阻挡层
  • 2篇离子
  • 2篇埋设
  • 2篇纳米

机构

  • 11篇复旦大学

作者

  • 11篇文宸宇
  • 10篇吴东平
  • 9篇张世理
  • 4篇曾瑞雪
  • 2篇张卫
  • 2篇皮朝阳
  • 1篇李辉
  • 1篇张有为
  • 1篇仇志军
  • 1篇刘冉

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
离子敏感场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底202，以及位于半导体衬底202上通过掺杂形成的源极101和漏极102，源极101和漏极102之间有一个被刻蚀到半导体衬底202内部的...
吴东平张世理文宸宇
文献传递
基于PVDF-TrFE薄膜的柔性压电纳米发电机被引量：3
2014年
实验制备的柔性压电纳米发电机用旋涂得到的PVDF-Tr FE薄膜作为有源层来实现机电转换。纳米发电机的有源层PVDF-Tr FE薄膜在外加电场和温度场下被极化。在极化过程中,PVDF-Tr FE薄膜的部分顺电相(α相)转变成铁电相或压电相(β相)。纳米发电机上下电极间的电压分布经过Comsol Multiphysics的数值分析,发现其垂直于PVDF-Tr FE薄膜方向。纳米发电机产生的峰值开路输出电压值VOC为7 V,短路输出电流密度ISC/AE为0.53μA/cm2。实验发现纳米发电机的短路输出电流ISC与有效工作面积间AE近似有线性关系,而物理模型计算得到的ISC也揭示了ISC和AE两者间的线性关系,实验结果验证了物理模型计算结果的准确性。因此,增加纳米发电机的有效工作面积AE可以增强其短路输出电流和输出功率。
皮朝阳张敬维文宸宇吴东平
关键词：纳米发电机压电
离子敏感场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备方法。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底，场氧化层，位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极，源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构，位于凹槽外围并与源极...
吴东平文宸宇曾瑞雪张世理
文献传递
半导体器件及其制备方法
本发明涉及半导体领域，公开了一种半导体器件及其制备方法。本发明中，通过在晶体管的源极和漏极形成金属半导体化合物接触区，同时在对应位置上的绝缘介质层中形成的通孔内，形成金属半导体化合物，将源极和漏极引出。由于金属半导体化合...
吴东平文宸宇张卫张世理
文献传递
离子敏感场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备方法。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底，场氧化层，位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极，源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构，位于凹槽外围并与源极...
吴东平文宸宇曾瑞雪张世理
一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法
本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法。本发明通过在薄膜晶体管结构的一类电子器件的栅极上施加极性交变的脉冲激励，以消除晶体管转移特性曲线中的迟滞现象。所施加的交变脉冲信号极性交替，这种正...
仇志军文宸宇李辉张有为张世理刘冉
文献传递
离子敏感场效应晶体管及其制备工艺
本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备工艺。包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道，埋设沟道位于半导体衬底内靠近上表面处，且埋设沟道与半导体衬底...
吴东平曾瑞雪文宸宇张世理
PVDF-TrFE薄膜制备的柔性压电纳米发电机
压电聚合物如PVDF, PVDF-TrFE，具有较好的柔性，较高的压电系数，在柔性纳米发电机中具有重要的应用。采用合聚物PVDF-TrFE薄膜作为压电材料，可以获得比聚合物PVDF更好的压电效应，比PVDF-TrFE纤维...
皮朝阳张敬维文宸宇吴东平
文献传递
离子敏感场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底202，以及位于半导体衬底202上通过掺杂形成的源极101和漏极102，源极101和漏极102之间有一个被刻蚀到半导体衬底202内部的...
吴东平张世理文宸宇
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离子敏感场效应晶体管及其制备工艺
本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备工艺。包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道，埋设沟道位于半导体衬底内靠近上表面处，且埋设沟道与半导体衬底...
吴东平曾瑞雪文宸宇张世理
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