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  • 3篇弯晶谱仪
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作者

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  • 1篇第四届全国正...

年份

  • 1篇1994
  • 6篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1989
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
慢正电子束研究N^+注入金属镍中生成的缺陷
1993年
用慢正电子束配合多普勒湮没能谱测量技术研究N^+离子注入镍样品产生的缺陷。由未注入的样品得到了正电子在镍中的扩散参数E_0=4.6keV。比较两个样品的S参数随入射正电子能量变化的曲线给出了95keV、6.4×10^(17)/cm^2剂量的N^+注入镍样品所产生的缺陷分布;缺陷由表面一直延伸到190nm,浓度最大的区域在27—110nm。这些都与由Trim程序的Monte Carlo模拟计算的结果很好地符合。
韩荣典翁惠民徐纪华郭学哲林成鲁俞耀辉
关键词:离子注入
B的K_aX射线谱精细结构的研究
1991年
应用高分辨软X射线弯晶谱仪并结合傅里叶自重卷积解谱技术研究B的K_0X射线谱的精细结构。在解谱过程中采用一种新的动态变迹函数,既能区分叠加的谱峰,提高谱线分辨率,又能保持良好的信噪比。应用这种方法处理B_2O_3中B的K_0X射线谱,从包络线中区分出波长67.657和67.536A的两条谱线,获得该谱线具有精细结构的证据,验证了关于B的sp^2轨道杂化理论。
朱士尧徐纪华赵淑君李醒
关键词:X射线谱
AI/GaAs界面微结构的慢正电子束研究被引量:3
1993年
基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式。测量不同膜厚、不同退火条件下Al/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现Al/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好。通过拟合,得出了界面S参数S_1及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论。
翁惠民周先意徐纪华孙式军朱警生武淑兰韩荣典
关键词:显微结构
一个适用于软X线弯晶谱仪的象增强器
1993年
描述了一个由光阴极、微通道板、荧光屏、光导纤维和自扫描二极管阵列组成的象增强器。并用波长为1.7—7nm的入射光子测试了该象增强器的性能,结果表明它可作为软X射线弯晶谱仪的无窗位置灵敏探测器。
赵淑君徐纪华李醒项志遴
关键词:象增强器微通道板X射线谱仪弯晶
5A-100A软X射线弯晶谱仪的研制及部分元素的特征X射线的测量和研究
徐纪华
真空电子偶素产额法测定正电子在固体中的扩散参数
1990年
本文报告一个新的实验方法,可以从实验上测定正电子在金属中的扩散参数。过去,用加电场E测正电子漂移速度V,由迁移率μ=V/E,通过关系式D_+=μKT/e求出扩散系数D_+。此法只能用于半导体和非金属材料,对于金属只能靠理论估算。本文所述真空电子偶素产额法不但适用于半导体和非金属,而且适用于金属材料。对于金属材料这也是目前唯一能用的方法。
翁惠民郭学哲韩荣典徐纪华孙晓舞
关键词:电子偶素漂移速度电子能量入射能量
慢正电子束研究N#+[+]注入在金属镍中生成的缺陷
翁惠尼徐纪华郭学哲
关键词:离子注入纯金属湮灭
电子偶素(Ps)原子n=2激发态的测量被引量:1
1992年
利用延迟符合技术,以Ps原子的退激信号为起始信号,以退激后基态Ps湮灭γ光子信号为终止信号,测量Psl^3S_1基态寿命谱可以证明Ps原子激发态的存在。根据本实验测量系统探测器的探测效率以及Ps原子束的绝对强度,在考虑了正电子传输磁场对探测器的影响的修正后,本实验给出在产生真空Ps原子时约1%的Ps原子处于n=2的激发态,和国外报道的结果相近。
韩荣典翁惠民徐纪华郭学哲秦敢
关键词:原子束激发态
飞行时间法测量真空电子偶素产额研究低能离子溅射诱导的缺陷损伤
1994年
利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ps产额.该方法比通常的峰法和峰-谷法准确、简单:利用该方法研究了Ar+溅射在Si(100)面上诱导的缺陷损伤及退火行为。
朱警生麻茂生刘先明吴建新周先意徐纪华南征翁惠民韩荣典
关键词:溅射正电子
傅里叶自重卷积解谱技术中一种新的变迹函数被引量:1
1992年
傅里叶自重卷积解谱技术可以有效地提高实验谱的分辨率,然而解谱后的信噪比明显下降。本文提出一种新的变迹函数(动态变迹函数),它可以在提高分辨率的同时使信噪比基本保持不变,用它来处理由软X射线弯品谱仪得到的Fe的Lα和Lβ实验谱线获得了十分满意的结果,解谱后得到了Lα和Lβ之间的许多短波伴线,跟理论计算值符合很符合。
李醒徐纪华赵淑君朱士尧
关键词:傅氏变换
共2页<12>
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