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作者

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  • 1篇第四届全国正...

年份

  • 1篇1994
  • 6篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 2篇1990
  • 1篇1989
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
慢正电子束研究N^+注入金属镍中生成的缺陷
1993年
用慢正电子束配合多普勒湮没能谱测量技术研究N^+离子注入镍样品产生的缺陷。由未注入的样品得到了正电子在镍中的扩散参数E_0=4.6keV。比较两个样品的S参数随入射正电子能量变化的曲线给出了95keV、6.4×10^(17)/cm^2剂量的N^+注入镍样品所产生的缺陷分布;缺陷由表面一直延伸到190nm,浓度最大的区域在27—110nm。这些都与由Trim程序的Monte Carlo模拟计算的结果很好地符合。
韩荣典翁惠民徐纪华郭学哲林成鲁俞耀辉
关键词:离子注入
B的K_aX射线谱精细结构的研究
1991年
应用高分辨软X射线弯晶谱仪并结合傅里叶自重卷积解谱技术研究B的K_0X射线谱的精细结构。在解谱过程中采用一种新的动态变迹函数,既能区分叠加的谱峰,提高谱线分辨率,又能保持良好的信噪比。应用这种方法处理B_2O_3中B的K_0X射线谱,从包络线中区分出波长67.657和67.536A的两条谱线,获得该谱线具有精细结构的证据,验证了关于B的sp^2轨道杂化理论。
朱士尧徐纪华赵淑君李醒
关键词:X射线谱
AI/GaAs界面微结构的慢正电子束研究被引量:3
1993年
基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式。测量不同膜厚、不同退火条件下Al/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现Al/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好。通过拟合,得出了界面S参数S_1及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论。
翁惠民周先意徐纪华孙式军朱警生武淑兰韩荣典
关键词:显微结构
一个适用于软X线弯晶谱仪的象增强器
1993年
描述了一个由光阴极、微通道板、荧光屏、光导纤维和自扫描二极管阵列组成的象增强器。并用波长为1.7—7nm的入射光子测试了该象增强器的性能,结果表明它可作为软X射线弯晶谱仪的无窗位置灵敏探测器。
赵淑君徐纪华李醒项志遴
关键词:象增强器微通道板X射线谱仪弯晶
5A-100A软X射线弯晶谱仪的研制及部分元素的特征X射线的测量和研究
徐纪华
真空电子偶素产额法测定正电子在固体中的扩散参数
1990年
本文报告一个新的实验方法,可以从实验上测定正电子在金属中的扩散参数。过去,用加电场E测正电子漂移速度V,由迁移率μ=V/E,通过关系式D_+=μKT/e求出扩散系数D_+。此法只能用于半导体和非金属材料,对于金属只能靠理论估算。本文所述真空电子偶素产额法不但适用于半导体和非金属,而且适用于金属材料。对于金属材料这也是目前唯一能用的方法。
翁惠民郭学哲韩荣典徐纪华孙晓舞
关键词:电子偶素漂移速度电子能量入射能量
慢正电子束研究N#+[+]注入在金属镍中生成的缺陷
翁惠尼徐纪华郭学哲
关键词:离子注入纯金属湮灭
电子偶素(Ps)原子n=2激发态的测量被引量:1
1992年
利用延迟符合技术,以Ps原子的退激信号为起始信号,以退激后基态Ps湮灭γ光子信号为终止信号,测量Psl^3S_1基态寿命谱可以证明Ps原子激发态的存在。根据本实验测量系统探测器的探测效率以及Ps原子束的绝对强度,在考虑了正电子传输磁场对探测器的影响的修正后,本实验给出在产生真空Ps原子时约1%的Ps原子处于n=2的激发态,和国外报道的结果相近。
韩荣典翁惠民徐纪华郭学哲秦敢
关键词:原子束激发态
0.5—10nm软X射线标定光源的研制
1993年
本文描述一个用于标定弯晶谱仪的软X射线(0.5—10nm)光源系统。当阳极靶材料为铁、碳和硼时,相应的分别采用KAP、OHM和LS晶体可以得到铁L.(1.76nm)、碳K.(4.47nm)和硼K.(6.76nm)单色光,实验上测量了这三种单色光亮度随阴极发射电流的变化。
赵淑君徐纪华项志遴王文浩
关键词:X射线源弯晶谱仪
金属玻璃Pd_(79.5)Ni_4Si_(16.5)结晶化过程的慢正电子束研究
1993年
首次用单能慢正电子束研究金属玻璃的晶化过程。测量了金属玻璃Pd_(79.5)Ni_4Si_(16.5)淬火态、结构弛豫和结晶化状态样品的正电子湮没辐射多普勒展宽能谱与正电子入射能量的函数关系,结果表明,淬态金属玻璃Pd_(79.5)Ni_4Si_(16.5)中存在大量的空位型缺陷,其结晶化过程最先开始于表面层。单能慢正电子束是研究金属玻璃晶化过程的有效手段。
韩荣典翁惠民周先意徐纪华朱警生李晓光沙健王景成
关键词:金属玻璃晶化
共2页<12>
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