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张洋洋

作品数:22 被引量:30H指数:3
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 9篇陶瓷
  • 6篇压电
  • 6篇热释电
  • 5篇介电
  • 5篇红外
  • 5篇红外探测
  • 5篇厚膜
  • 4篇丝网印刷
  • 4篇探测器
  • 4篇陶瓷粉
  • 4篇化学计量
  • 4篇红外探测器
  • 4篇粉料
  • 4篇瓷粉
  • 3篇压电厚膜
  • 2篇低损耗
  • 2篇压电陶瓷
  • 2篇压电微马达
  • 2篇油醇
  • 2篇有机混合物

机构

  • 22篇华中科技大学
  • 1篇玉溪师范学院

作者

  • 22篇张洋洋
  • 14篇姜胜林
  • 13篇曾亦可
  • 7篇张光祖
  • 6篇张海波
  • 4篇张清风
  • 3篇邓传益
  • 3篇谢甜甜
  • 3篇陈亚波
  • 2篇钟南海
  • 2篇胡勇
  • 2篇刘耀平
  • 2篇卢琳
  • 2篇喻研
  • 1篇任伏龙
  • 1篇郭婷
  • 1篇易飞
  • 1篇谢静菁
  • 1篇邵坤
  • 1篇刘岚

传媒

  • 6篇压电与声光
  • 2篇功能材料
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇计算机与数字...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 5篇2010
  • 4篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
22 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
低声阻抗0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料的研制被引量:1
2010年
压电陶瓷材料的高声阻抗制约着其在水听器和超声成像方面的应用。为了对压电陶瓷材料的声阻抗和声速进行调节,本研究以聚偏氟乙烯(PVDF)及钛酸铅(PT)和锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷粉体为原料,经过流延、热压等工艺制得了4种含有不同量PT及PZT的0—3型PZT/PT/PVDF压电复合材料。研究了所制压电复合材料的声学、压电和介电性能。结果表明:所制压电复合材料的声阻抗均小于140 MPa.s/m,最优压电应变常数d33达43 pC/N,相对介电常数为185~210,介质损耗约为2×10–2。
熊贵张洋洋
关键词:压电复合材料PVDF
PZT压电陶瓷的强场效应研究被引量:3
2009年
实验选取一种性能较好的二元系锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷配方,通过测试PZT陶瓷样品在强场下的介电性能表明,随着外加电场强度的增大,样品介温曲线的斜率变小;材料的介电损耗随着外加电场的增大而增大,当外加电场从0升至400 V/mm时,介电损耗从0.16%增至0.38%,损耗仍在较小范围内,可见本材料较适合作为大功率压电材料在强场下应用。对其强场效应及损耗机理进行了初步探讨。
陈亚波张洋洋刘岚易飞刘耀平
关键词:低损耗强场效应
非制冷红外探测器夹层厚膜工艺及介电性能研究
2009年
以钡、锶和锰醋酸盐为原料,采用新型溶胶-凝胶法制备锰掺杂4%mol、Ba/Sr分别为60/40、65/35和70/30的纳米粉体,均匀分散于组分相同的BST溶胶中,形成稳定的厚膜先体凝胶。浓度0.4mol/L钛酸钡凝胶薄膜种子层,作为不同组分厚膜之间的中间夹层。利用旋转涂覆工艺在LNO/Pt/Ti/SiO2/Si复合底电极上,制备出厚度约为6~10μm的BST介电增强型夹层厚膜。XRD测试结果表明,650℃热处理2h后的夹层厚膜为单一钙钛矿相,750℃热处理后2h的夹层厚膜在室温、环境温度25℃、频率1kHz下相对介电常数εr和介质损耗tanδ分别约为1200和0.03,室温25℃附近较宽范围介温变化率>1.2%/℃;BST夹层厚膜无裂纹出现,表面平整,致密,是制备大阵列非制冷红外焦平面阵列(UFPA)的优选材料。
范茂彦姜胜林谢甜甜张洋洋张丽芳
关键词:红外
多孔场致热释电陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种制备多孔钛酸锶钡场致热释电陶瓷的方法,先将原料按各自化学式中的化学计量比进行混合,再对混合物进行预烧,温度为800~1200℃,保温时间为1~6小时,得到预烧后的陶瓷粉体;然后加入有机物造孔剂,混合均匀后...
张光祖姜胜林曾亦可张洋洋张清风喻研
文献传递
铈掺杂对PZT压电陶瓷性能的影响被引量:9
2008年
研究了铈掺杂对PZT(锆钛酸铅)压电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响,并对实验结果做出物理机理的解释。实验结果表明,适量的铈掺杂有利于材料结构的致密,提高了体电阻率,解决了材料在高温高场下极化困难的问题,在铈掺杂量为0.4%(摩尔分数)时,制备出综合性能良好的PZT压电陶瓷:室温时rε=958,tgδ=0.24%,d33=239pC/N,Kp=0.45,Qm=886,适合制备大功率压电陶瓷。
陈亚波张洋洋姜胜林刘耀平郭婷
关键词:PZT相结构低损耗
铁电材料I-V特性测试系统
2006年
本文介绍了铁电材料的I-V特性及测量原理、测试系统的组成,并给出了测试软件的流程图。用该测试系统对PZT10铁电陶瓷进行I-V特性测试,测量结果与有关报道相符合。本文设计的系统软件不仅可以对所测的铁电样品进行参数计算、修改和保存数据,而且可以对铁电样品的漏电导和线性感应电容进行补偿,从而获得接近本征特性的I-V曲线。利用该测试系统,可以更加方便地对不同的铁电材料进行研究。
曾亦可陈刚张洋洋邓传益俞丹
关键词:铁电材料Ⅰ-Ⅴ特性数据采集
BST陶瓷场致热释电性能的研究被引量:3
2009年
采用改进的电子陶瓷工艺,制备了高密度Ba0.6Sr0.4TiO3热释电陶瓷样品。研究发现,在1 340℃下烧结的样品,其密度可达到理论密度的98.3%。室温下测得样品的介电损耗为0.2%。外加直流偏场对材料的介电和热释电性能影响显著。样品的场致热释电系数为3.4×10-8C/cm2.℃,探测率优值为10.0×10-5Pa-1/2。
张光祖姜胜林张洋洋张清风张先云
关键词:介电性能
钛酸铋钠钾无铅压电厚膜的制备及表征被引量:2
2009年
采用传统固相法制备(Na0.82K0.18)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷粉体,将质量分数5%的乙基纤维素溶入到质量分数为92%的松油醇中配制粘合剂溶液,加入质量分数2%的二乙二醇丁醚醋酸酯作分散剂,质量分数1%的邻苯二甲酸二丁酯作增塑剂,将陶瓷粉体与粘合剂溶液按3∶1的质量比混合碾磨,用320目筛印刷至带有Pt电极的氧化铝衬底上,经放平、烘烤、预烧、加压及烧结后,制备出厚度约40μm的BNKT厚膜,平均晶粒尺寸为1.1μm,介电常数也达到最大为782,损耗最小为3.6%(10 kHz),剩余极化为24.8μC/cm2矫顽场为71.6 kV/cm,纵向压电系数为79 pC/N。
张海波姜胜林曾亦可张洋洋
关键词:压电厚膜丝网印刷电滞回线
红外探测器用PLCT热释电陶瓷的研究
2007年
通过改变材料组分制备了系列Pb_(1-x-y)La_xCa_yTi_(1-x/4)O_3(PLCT)热释电陶瓷,对其烧结工艺、介电性能和热释电性能等进行了研究。结果表明:最佳烧结温度1200℃,x=0.1、y=0.1这一组分的PLCT热释电陶瓷性能最优,室温热释电系数为6.0×10^(-8),探测率优值为4.32×10^(-5),符合红外探测器件的性能要求。
胡勇曾亦可张洋洋任伏龙
关键词:陶瓷
基于数字正交的压电材料参数测试系统研究被引量:4
2011年
将数字正交采样法引用到压电测试中,对压电参数的测试方法、正交采样的理论两方面进行了研究,完成系统结构设计并给出了相应的软硬件实现方式,最后计算出机械品质因数和机电耦合系数等压电参数,并对测试结果进行了误差分析。测试结果表明,此方法能测量谐振频率与机械品质因数等压电参数,谐振频率测量误差在1%内,且能在一定范围内准确的记录材料的阻抗变化趋势。
陈亚波张洋洋邵坤张清风张光祖
关键词:数字正交阻抗
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