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张林: 作品数：116 被引量：113H指数：6; 供职机构：长安大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

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微型核电池制作方法: 本发明公开了一种微型核电池，主要解决制作核电池易于SiC工艺实现的问题。该微型核电池是在N型高掺杂SiC衬底(1)的上下分别设有低掺杂外延层(2)和欧姆接触电极(3)，其中，低掺杂外延层(2)的上面淀积圆形肖特基接触层(...; 张林郭辉张义门韩超张玉明; 文献传递

采用深度学习的全寿命周期锂电池荷电状态估计: 2024年; 针对锂离子电池的健康状态(SOH)随着充放电循环次数的增加而持续退化,导致在整个寿命周期内准确估计电池的荷电状态(SOC)难度较高的问题,提出了一种采用深度学习的全寿命周期内锂离子电池SOC估计模型。该模型采用被估计时刻及之前多个历史时刻的电流、电压和温度组成的序列数据作为模型的输入,先采用一维卷积神经网络(1D CNN)提取序列的特征,再用门控循环单元(GRU)建立特征与SOC之间的非线性关系,然后采用贝叶斯优化方法(BO)对网络超参数进行寻优以提升预测的精度。采用两个公开数据集对所提出的模型进行验证,实验结果表明:所提模型在较宽的SOH范围内实现了精确的SOC预测,且预测精度显著优于采用单个深度学习模型的预测精度;与CNN和BiLSTM模型相比,所提模型的均方根误差分别平均降低了15.16%和45.22%;当输入序列的长度为10、数据采样间隔时间为1 min时,在两个数据集上预测的均方根误差均低于2%。; 张林巫春玲黄鑫蓉李艳波; 关键词：锂离子电池荷电状态估计

一种Pm-147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法: 本发明公开了一种Pm‑147碳化硅缓变N区同位素电池及其制造方法，该同位素电池的结构自下而上包括N型欧姆接触电极，N型高掺杂SiC衬底，N型SiC外延层，N型SiC外延层，在N型SiC外延层上部采用离子注入形成P型SiC...; 张林程鸿亮胡笑钏; 文献传递

Ti／4H-SiCSBD中子辐照效应的研究被引量：1: 2013年; 采用1MeV的中子对Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的辐照效应进行研究,观察了常温下的退火效应。实验的最高中子剂量为1×l015n/cm2,对应的γ射线累积总剂量为33kGy(Si)。经过1×1014 n/cm2的辐照后,Ti/SiC肖特基接触没有明显退化;剂量达到2.5×1014n/cm2后,观察到势垒高度下降;剂量达到1×1015 n/cm2后,势垒高度从1.00eV下降为0.93eV;经过常温下19h的退火后,势垒高度有所恢复,表明肖特基接触的辐照损伤主要是由电离效应造成的。辐照后,器件的理想因子较辐照前有所上升;器件的正向电流(VF=2V)随着辐照剂量的上升而下降。; 邱彦章张林; 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管中子辐照

n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的研究: 本文采用器件仿真软件ISETCAD模拟了采用n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/N+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单,性能优良的优点.; 张林张义门张玉明汤晓燕; 关键词：SIC 欧姆接触多晶硅异质结; 文献传递

采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底和设置在所...; 张林谷文萍胡笑钏张赞

电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响被引量：1: 2015年; 采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。辐照后未钝化器件的正反向栅电流有所增加,而且肖特基势垒高度随着辐照注量的增加而降低。几种结构HEMT器件的辐照结果表明,电子辐照后只有未钝化器件的特性有所退化,随着辐照注量增加,器件漏电流和跨导下降越明显,而且线性区退化大于饱和区,而阈值电压变化很小。分析表明,HEMT器件参数性能退化的主要原因是栅源和栅漏间隔区辐照感生表面态负电荷的产生。此外实验结果也说明Si N钝化、MOS结构和场板结构都是很好的抗辐照加固的手段。; 谷文萍全思张林徐小波刘盼芝杨丽媛; 关键词：GA N 电子辐照表面态辐照加固

N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法: 本发明公开了一种N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和...; 张林张赞高恬溪朱玮; 文献传递

P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法: 本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和...; 张林张赞朱玮高恬溪; 文献传递

碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法: 本发明公开了一种碳化硅横向肖特基结型微型核电池及其制造方法，其核电池包括衬底和设在衬底上部的N型SiC外延层，N型SiC外延层上设有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上部设有欧姆接触电极，N型SiC外延层...; 张林李清华邱彦章巨永锋; 文献传递