宋德王
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 供职机构：北京交通大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- ZnS(111)表面掺杂Mn的电子结构和磁性的第一性原理研究被引量：2
- 2013年
- 应用基于密度泛函理论的第一性原理,研究Mn原子掺杂在ZnS(111)表面的电子结构和磁性.对于单原子的掺杂组态,替位表面第一层的Zn原子时体系形成能最低,说明该层是最稳定的掺杂位置.体系总磁矩取决于Mn原子的局域环境.而对于双掺杂组态,当Mn与Mn之间呈短程铁磁耦合作用时体系最稳定.这可由Mn原子和近邻S原子的p-d杂化作用解释.此时,体系的居里温度估算值为469 K,明显高于室温,具有理论指导意义.Mn原子和受主半导体之间的相互作用是自旋极化产生的主要原因.计算结果表明,该掺杂材料可以很好的用来制作稀磁半导体,具有良好的应用前景.
- 宋德王牛原肖黎鸥李丹
- 关键词：第一性原理电子结构稀磁半导体
- Mn掺杂ZnS(110)表面的电子结构和磁性被引量：9
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究Mn掺杂ZnS(110)表面的电子结构和磁性.计算分析不同掺杂组态的几何参数、形成能、磁矩、电子态密度以及电荷密度.结果表明:单个Mn原子掺杂,替位于表面第二层的Zn原子时体系形成能最低,说明该层是最稳定的掺杂位置.对于两个Mn原子的掺杂,当Mn与Mn之间呈反铁磁耦合时体系最稳定.体系的总磁矩和自由Mn原子的磁矩差别很小,但是Mn原子的局域磁矩却依赖于Mn原子的3d态和近邻S原子的3p态的杂化作用,即受周围S原子环境的变化影响较大.此外,分析电荷密度图得出Mn原子替换Zn原子后与S原子形成了更强的共价键.
- 宋德王牛原肖黎鸥李丹
- 关键词：MN掺杂第一性原理稀磁半导体
- 稀磁半导体ZnS掺杂Mn薄膜的研究
- 摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,本文系统研究了过渡金属Mn原子掺杂的半导体ZnS(110)和(111)表面的电子结构和磁性性质。由于Mn原子之间存在磁致耦合的情况,我们分别计算了单个Mn原子和两个Mn原子的掺...
- 宋德王
- 关键词：电子结构磁性稀磁半导体第一性原理方法
- 文献传递
