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孟素慈

作品数:18 被引量:65H指数:4
供职机构:江苏大学化学化工学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金吉林省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学文化科学电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇理学
  • 4篇文化科学
  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇密度泛函
  • 8篇泛函
  • 6篇分子
  • 5篇量子化学
  • 5篇密度泛函理论
  • 5篇泛函理论
  • 4篇子结构
  • 3篇电致发光
  • 3篇电致发光材料
  • 3篇电子结构
  • 3篇配合物
  • 3篇光材料
  • 3篇光谱
  • 3篇发光
  • 3篇发光材料
  • 2篇大学化
  • 2篇大学化学
  • 2篇电池
  • 2篇电性质
  • 2篇动力学

机构

  • 11篇江苏大学
  • 8篇南京大学
  • 5篇东北师范大学
  • 1篇徐州医学院

作者

  • 18篇孟素慈
  • 8篇谢吉民
  • 4篇黄宗浩
  • 3篇马晶
  • 3篇阚玉和
  • 3篇陈敏
  • 2篇朱禹
  • 2篇夏昌坤
  • 2篇左然
  • 2篇唐前林
  • 2篇徐栋
  • 2篇殷秀莲
  • 1篇姜德立
  • 1篇杨晓
  • 1篇杨桂霞
  • 1篇苏忠民
  • 1篇师珺草
  • 1篇陈鹏
  • 1篇倪良
  • 1篇马淑荣

传媒

  • 3篇高等学校化学...
  • 3篇教育教学论坛
  • 2篇分子科学学报
  • 2篇无机化学学报
  • 2篇化学学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇江苏大学学报...
  • 1篇中国科学:技...
  • 1篇新课程教学(...

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
石墨负极充放电过程的DFT研究被引量:3
2005年
用量子化学DFT-B3LYP/6-31G(d)方法计算了锂沿石墨层堆积的Z ig-zag和Arm-chair方向嵌脱及在石墨表面附着和脱附的过程.结果表明,锂嵌入过程是体系能量升高的储能过程,势垒最高点是锂在碳原子正投影位置,即在C—C键投影位置,而在苯环中心投影位置最低,为嵌锂的最佳位置,锂嵌脱的最佳途径应为arm-chair方向;锂在石墨表面附着也是储能过程,苯环中心上方是石墨表面近距离附着机率最高的位置.
黄宗浩阚玉和徐栋马淑荣杨桂霞孟素慈苏忠民
关键词:锂离子二次电池石墨充放电过程密度泛函理论
醌型D-π-A类化合物AMTOE在不同溶剂中吸收和发射光谱的蓝移现象被引量:1
2016年
采用连续介质模型(PCM)以及明确/连续的混合溶剂模型,运用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)方法,研究了溶剂极性对D-π-A类两性离子化合物1-(4-aza-4-methylphenyl)-2-trans-(4-oxyphenyl)ethane(AMTOE)分子几何、电子结构以及光谱性质的影响.计算结果表明,随着溶剂极性和超分子簇大小的增加,AMTOE基态(S0)分子几何从醌式结构向芳式结构转化.从基态(S0)到激发态(S1),化合物AMTOE醌式结构增强.从弱极性的氯仿溶液到强极性的水溶液,AMTOE分子的吸收光谱和发射光谱均发生蓝移,并且吸收光谱的蓝移程度大于发射光谱的蓝移程度,与实验现象定性一致.吸收光谱和发射光谱发生蓝移的原因是随着溶剂极性增强,HOMO轨道能级与LUMO轨道能级之间的能隙增大.对于具有明显电荷转移的AMTOE分子的溶剂化显色效应,长程矫正的含时密度泛函TD-CAM-B3LYP方法比传统的含时密度泛函TD-B3LYP方法更为合理.另外,明确/连续的混合溶剂模型能更好的描述该类体系在强极性溶剂中的溶剂化显色效应.
殷媛赵岑谢吉民孟素慈
关键词:密度泛函理论溶剂化效应分子间相互作用电子结构
以N,N′-二异丁基-2,3-二胺基喹喔啉为配体的钴和锌配合物的合成、晶体结构以及性质研究(英文)
2014年
以2,3-二氯喹喔啉和异丁胺为原料,合成了N,N′-二异丁基-2,3二胺基喹喔啉(L),并合成了两个标题配合物([Co(DIDAQX)Cl2])(1,DIDAQX=N,N′-Diisobutyl-2,3-(1H,4H)-diaminoquinoxaline)和([Zn(DIDAQX)Cl2])(2)。并对其进行了红外、元素分析、单晶衍射、热重、荧光、电化学性质等性质研究。且对1做了密度泛函理论(DFT)计算。单晶结构分析表明1和2同构,都属于正交晶系,Pbca空间群,1的晶胞参数:a=1.408 2(3)nm,b=1.462 8(3)nm,c=1.797 0(4)nm;V=3.701 7(14)nm3,Z=8。2的晶胞参数:a=1.408 2(3)nm,b=1.464 8(3)nm,c=1.796 9(4)nm;V=3.706 5(14)nm3,Z=8。在配合物结构中每个金属原子以四配位的形式分别与2个Cl原子和来自配体的2个N原子配位,形成了一个扭曲的四面体结构。
杨晓A M Showkot Hossain朱禹孟素慈夏昌坤谢吉民
关键词:晶体结构
基于双希夫碱配体的两个过渡族配合物的合成、表征和晶体结构被引量:2
2016年
以一个新型的双希夫碱五齿配体N,N'-二-[(苯并咪唑)亚乙基]二乙撑三胺(LA)分别和Zn Cl2和Cd Cl2反应,得到了两个过渡族配合物.在Zn(Ⅱ)配合物中,五齿配体发生了水解,变成一个单希夫碱配体,配位中心呈现一个五配位的配位模式.而Cd(Ⅱ)配合物中的配体却是完整的,配位中心呈现一个六配位的配位模式.结果表明金属中心对配位模式和配体的水解有较大的影响.晶体结构分析表明:两个配合物中心的过渡金属离子与LA或LB的多齿配体螯合,端基的卤素离子协同参与配位,配位中心分别表现出三角双锥和八面体的配位构型.苯并咪唑上未参与配位的N—H基团和水分子产生了大量的氢键作用,最终形成了三维的堆积结构.
吴云龙朱稳夏昌坤孟素慈谢吉民
关键词:苯并咪唑晶体结构氢键作用
二聚(2,5-噻吩乙烯撑)基态和激发态的电子结构:桥基和芳环取代的影响
2009年
采用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)方法,在B3LYP/TZVP水平下,研究了一系列给电子基团(—NH2,—OCH3和—CH3)和吸电子基团(—CCH,—CN和—NO2)在二聚(2,5-噻吩乙烯撑)(2TV)的桥基和芳环上取代对基态和激发态电子结构的影响.结果表明,取代基的给/吸电子能力和取代位置对衍生物的几何结构以及吸收发射光谱均有重要影响,其中氨基(—NH2)和硝基(—NO2)取代对2TV电子结构的影响较为显著.此外,对于桥基和芳环取代,随着取代基吸电子能力的增强,衍生物的前线分子轨道HOMO和LUMO的能级均呈逐渐降低的趋势.
蒋洁孟素慈马晶
关键词:取代基效应电子结构激发态
顺、反式结构对MPV异构体的分子构型和吸收光谱的影响被引量:25
2003年
 采用量子化学B3LYP/6-31G 方法,分别优化、计算了MPV三种异构体的几何和电子结构.结果表明,在异构体中反式结构为平面构型,顺式结构为非平面构型,反式结构增加可使异构体的UV最大吸收峰有规则红移.解释了实验现象,并对烷氧基取代聚对苯乙炔中的顺、反异构及其对相关性质的影响进行了有益的讨论.
黄宗浩段雪梅孟素慈阚玉和
关键词:吸收光谱量子化学密度泛函分子构型电致发光材料
物理化学教学方法初探被引量:2
2012年
本文针对物理化学学科特点,从三个方面探讨了高校物理化学课程有效教学模式的几点心得和体会。作者阐明在物理化学教学中,要注重逻辑推理的思维方法和数学推导技能技巧的训练,要注重理论联系实际,并提倡采用多种教学方法和模式,从而有效提高教学水平和质量。
孟素慈谢吉民陈敏
关键词:物理化学教学方法
PBL理念下计算化学在次级键教学中的应用
2023年
结构化学中次级键结构理论抽象难懂,是化学教学的难点。本研究基于PBL理念,借助量子化学计算和分子动力学模拟,以1,8-萘酰亚胺类化合物在不同极性溶剂中的溶致变色现象为例,将计算结果可视化,从宏观到微观讲解溶液微观结构、分子间相互作用及溶剂化显色效应的关系和本质。使抽象的化学理论变得形象直观,增强理论知识的生动性,有效地激发学生的学习兴趣;启发学生从分子水平上理解化学物质的结构与性能关系,了解微观与宏观现象之间的联系,同时加深对分子间相互作用力的认识。
殷秀莲吴静波孟素慈曹清华
关键词:PBL分子动力学模拟计算化学
-CF<,3>取代的PPV类电致发光材料光电性质的TD-DFT理论研究
近年来,电致发光聚合物的分子设计、合成及聚合物发光机理和EL器件的研究成为最具有活力的研究领域.聚对苯乙炔(PPV)不仅是一种导电高分子材料,同时也是一种性能良好的电致发光材料.由于PPV自身难溶于有机溶剂,使其应用受到...
孟素慈
关键词:聚对苯乙炔含时密度泛函
文献传递
MOCVD生长GaN加合反应路径的密度泛函理论研究被引量:2
2013年
基于量子化学的密度泛函理论,对MOCVD中以TMG和NH3为源气体生长GaN的加合反应路径进行研究.依据NH3过量和不过量两种情况,提出了加合反应的5条分解或聚合路径,并计算了各路径的分子构型和势能面.计算结果表明:在NH3不过量时,加合物TMG:NH3在生成氨基物DMGNH2后,继续分解的几条路径均势垒过高,而生成低聚物[DMGNH2]x(x=2,3)的低聚反应势垒为零.由于低聚物倾向于继续聚合,很容易导致纳米颗粒的形成.当NH3过量时,NH3与TMG:NH3可生成配位键加合物H3N:TMG:NH3或氢键加合物TMG:NH3NH3,形成后者的能量更低.通过对比各种加合反应路径,给出如下推测:在MOCVD的生长条件下,形成氢键加合物TMG:NH3NH3,然后重新可逆分解,可能是薄膜生长的主要路径;而氨基物聚合生成低聚物的路径,可能是纳米颗粒形成的主要路径.
师珺草左然孟素慈
关键词:MOCVDGAN加合反应量子化学计算密度泛函理论
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