周幼华
- 作品数：38 被引量：58H指数：4
- 供职机构：江汉大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金武汉市青年科技晨光计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 钛酸铋热力学分析被引量：4
- 1997年
- 利用Ｌａｎｄａｕ－Ｇｉｎｚｂｕｒｇ－Ｄｅｖｏｎｓｈｉｒｅ的自由能函数和点群４／ｍｍｍ的对称性质给出了钛酸铋的弹性吉布斯自由能的表达式，并确定了能量函数表达式的系数，计算出零应力条件下Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２晶体的自发应变、自发极化、介电常数与温度的关系．
- 顾豪爽周幼华田虎永李晓萱
- 关键词：钛酸铋唯象理论介电常数自由能热力学
- 光谱检测系统
- 本发明公开了一种光谱检测系统，属于光谱检测领域。所述系统包括：脉冲激光器，用于产生至少两束相交于一点的激光脉冲；至少两个光偏振器，与激光脉冲一一对应设置且每个光偏振器设置在对应的激光脉冲的光路上；样品台，设置在至少两束激...
- 魏锋李雯慧郑万泉周幼华鲁望婷
- 文献传递
- 铁熔体快速冷却过程的分子动力学模拟
- 2014年
- 利用LAMMPS建立8×8×8原子箱,采取EAM模拟大量铁原子体系。先对体系升温,让体系充分均匀,然后对体系进行不同冷却速度下的降温。经过分子动力学模拟得到能量温度曲线、径向分布函数(RDF)和体系结构。结果表明:冷却速度低于1.8×1010K/s时,结晶相变点和熔点基本重合;冷却速度超过1012K/s时,生成物为非晶;铁熔体的过冷度可达到700 K;冷却速度在1011K/s附近时,能够生成体心立方的Fe单晶。
- 周幼华李雯慧陶蕾郑广
- 关键词：分子动力学模拟
- 脉冲激光沉积β-FeSi_2/Si(111)薄膜的工艺条件被引量：11
- 2006年
- 用FeSi2合金靶作为靶材，采用准分子激光沉积法在Si（111）单晶基片上制备了单相的p-FeSi2薄膜，并将飞秒脉冲激光沉积法（PLD）引入到β-FeSi2薄膜的制备工艺中；用X射线衍射仪（XRD），场扫描电镜（FSEM），能谱仪（EDS），紫外可见光光谱仪研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能。基片温度为500℃，采用KrF准分子脉冲激光沉积法可获得单相的β-FeSi2薄膜。衬底温度为550℃时，β-FeSi2出现迷津状薄层。采用飞秒脉冲激光法β-FeSi2薄膜的合成温度比准分子脉冲激光沉积法制备温度低50～100℃；薄膜的晶粒分布均匀连续，没有微米级的微滴；飞秒脉冲激光沉积效率比准分子激光的高1000倍以上，是一种快速高效的β-FeSi2薄膜沉积技术。
- 周幼华陆培祥龙华杨光郑启光
- 关键词：Β-FESI2脉冲激光沉积法飞秒激光
- 大学物理课程中科学时尚与元典精神的教学设计
- 当今的大学物理教学存在如下问题:1、学时压缩给教学内容的安排、课堂教学的组织带来了极大的挑战.2、紧随时代的节奏当代大学生学习物理的动力和热情不足.3、教师个人内在的素质、能力难以跟上时代需求作者认为当今以素质教育为目标...
- 周幼华
- 一种聚苯并咪唑类阴离子交换膜的制备方法
- 本发明公开了一种聚苯并咪唑类阴离子交换膜的制备方法，属于离子交换膜技术领域。所述聚苯并咪唑类阴离子交换膜的制备方法包括以下步骤：向聚苯并咪唑溶液中添加环氧季铵盐；将反应后的混合溶液倒入低沸点溶剂中析出沉淀产物；将沉淀产物...
- 鲁望婷李雯慧魏锋程坤周幼华
- 文献传递
- 基于γ_(51)的电光调制器的可行性研究被引量：1
- 2011年
- 通过对不同晶系线性电光系数矩阵的分析计算,研究了利用晶体电光系数γ51实现电光调制的可能性.结果分析表明,在电场中的γ51引起折射率的变化与x方向电场强度E12成正比;利用KTa0.35Nb0.65O3晶体的巨大γ51参数引起的二次电光效应,可以获得较低的半波电压;在立方-四方相变点附近的KTa1-xNbxO3晶体有极大克尔系数的现象,同时γ51参数电光效应也得到了解释.
- 周幼华顾豪爽
- 关键词：电光调制器电光晶体钽铌酸钾
- Sol-Gel工艺合成Bi_4Ti_3O_(12)超微粉被引量：6
- 1997年
- 采用一种新的溶胶凝胶（Ｓｏｌｇｅｌ）技术成功地合成了Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２超细粉末．用差热热失重分析（ＤＴＡＴＧＡ）和Ｘ射线衍射研究了ＢｉＴｉ干凝胶的晶化过程及晶相转变温度．发现在４００～８００℃的热处理过程中粉体经历了游离态的氧化物（ＴｉＯ２，βＢｉ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ２３３）———氧化物＋焦绿石相———纯钙钛矿相Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２的转变过程．４５０℃开始合成Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７相，５５０℃开始合成Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２相，８００℃全部转变为纯钙钛矿相Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２．粉体平均直径约３５５ｎｍ，平均比表面积约６７６ｍ２·ｇ－１．
- 周幼华顾豪爽田虎永邝安祥陈娴娟陈沛智
- 关键词：超微粉钛酸铋
- β-FeSi_2半导体薄膜的研究进展被引量：3
- 2007年
- 综述了半导体β-FeSi2薄膜的制备、薄膜的表征、能带的特点、电学、光学性质等方面的研究进展,讨论了几种用于Si衬底上外延生长β-FeSi2薄膜方法的优缺点,分析了制备高品质β-FeSi2薄膜所存在的理论和技术上的难题,展望了β-FeSi2薄膜作为新光电材料的应用前景.
- 周幼华童恒明乔燕
- 关键词：Β-FESI2半导体薄膜
- Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜溶胶凝胶法制备过程中Bi-Ti溶胶的匀胶规律研究被引量：2
- 1998年
- 介绍了Ｓｏｌｇｅｌ法制备Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的工艺过程，研究了ＢｉＴｉ溶胶在Ｓｉ基片上的匀胶规律；用ＴＧＤＴＡ和ＴＥＭ技术研究了ＢｉＴｉ干凝胶的形态，并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ基片上制备了ｃ轴取向的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜．
- 周幼华顾豪爽田虎永赵敏邝安祥
- 关键词：铁电薄膜钛酸铋溶胶凝胶法
