史霄
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 移相器用BST基铁电材料的均匀性研究
- 作为相控阵雷达的关键部件,移相器的性能对器件的性能影响极大。作为介质移相器的代表,铁电移相器由于具有众多优点,受到众多学者的青睐。为了满足移相器的设计要求,铁电材料必须具有适中的介电常数、低的损耗角正切以及较高的可调率。...
- 史霄
- 关键词：相控阵雷达掺杂改性
- 文献传递
- SiO_2掺杂对BST-MgO陶瓷微观结构和介电性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用普通陶瓷工艺制备了0.4Ba0.6Sr0.4TiO3-0.6MgO-xSiO2(0≤x≤5.0%)陶瓷,研究了SiO2含量对所制BST-MgO(BSTM)陶瓷微观结构以及低频、微波介电性能的影响。XRD分析表明,随着掺杂量的增加,SiO2在BSTM陶瓷中首先以SiO2的形式存在,然后与MgO反应生成Mg2SiO4。质量分数x为0.5%的SiO2掺杂提高了BSTM陶瓷的致密度及可调率,并降低了其微波损耗,此时,陶瓷样品的可调率为16.21%,Q.f=109.5 GHz。随着SiO2掺杂量的进一步增加,BSTM陶瓷的可调率有所提高,介电常数逐渐降低,微波品质因数先降后升。在x=3.0%时,BSTM陶瓷的可调率达17.6%,Q.f=89 GHz。
- 汪小红史霄何建平吕文中
- 关键词：无机非金属材料钛酸锶钡介电性能
- 不同含锰化合物掺杂对BST-MgO陶瓷介电性能的影响被引量：1
- 2012年
- 采用普通固相反应法制备了0.45Ba0.55Sr0.45TiO3-0.55MgO-Mn(NO3)2/MnCO3(简称BST-MgO)陶瓷,通过XRD和SEM研究了不同形态含锰化合物(固态MnCO3及液态Mn(NO3)2)掺杂对所制BST-MgO陶瓷致密化及微波介电性能的影响。结果表明,液态Mn(NO3)2掺杂可以增加锰离子进入BST晶格的几率,同时抑制镁离子进入BST晶格,提高BST-MgO陶瓷的致密度,降低介质损耗,获得较高的综合性能:10 kHz下r=116,tan=0.003 8,可调率(Tu)为19.64%,优值K=51.68;3 GHz时Q.f值达788 GHz。
- 史霄汪小红吕文中
- 关键词：钛酸锶钡锰掺杂介电性能
