华雪梅
- 作品数：65 被引量：7H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
- 无电极光助化学腐蚀法制备GaN棱锥及其系统研究
- GaN基发光二极管(LED)目前己在显示、信号指示和白光照明等领域起到十分重要的作用,然而其量子效率仍然较低,已成为制约其发展的瓶颈.LED的外量子效率主要由内量子效率和提取效率共同决定.
- 张士英修向前林增钦华雪梅谢自力张荣郑有炓
- 一种宽光谱白光LED结构及生长方法
- 宽光谱白光LED结构，蓝宝石衬底或硅衬底上具有GaN缓冲层、厚度在50-2000nm以上的GaN支撑层，厚度为20-1000nm的N型GaN，浓度为5*10<Sup>18</Sup>cm<Sup>-1</Sup>；在N型...
- 张荣谢自力刘斌修向前华雪梅赵红傅德颐陈鹏韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- 利用PDS谱检测Ar＃+[＋]激光结晶a-Si∶H膜隙态吸收
- 黄信凡华雪梅陈坤基
- 关键词：激光辐照硅膜
- 一种非极性面InN材料的生长方法
- 一种非极性面InN材料的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，在铝酸锂LiAlO<Sub>2</Sub>(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，所述m面是非极性面的一种，...
- 谢自力张荣刘斌修向前华雪梅赵红傅德颐韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- MOCVD生长InGaN/GaN量子阱特性研究
- 本文研究了采用MOCVD在c面蓝宝石上保持垒层温度固定阱层生长温度不同时生长InGaN/GaN多量子阱结构。通过高分辨XRD对样品进行w-2theta扫描并对扫描结果进行拟合,得到量了阱结构每一层厚度和In组分:采用AF...
- 谢自力张荣刘斌修向前韩平赵红华雪梅施毅郑有炓
- 关键词：MOCVDINGAN/GAN多量子阱晶体生长
- 基于SiO2/Si3N4介质薄膜分布式布拉格反射镜的紫外波段带通滤波器的制备与研究
- 文中利用光学传输矩阵方法设计了紫外波段SiO2/Si3N4分布式布拉格反射镜(DBR),并在此基础上,通过等离子体增强型化学气相沉淀(PECVD)技术在(0001)取向蓝宝石衬底上制备了基于SiO2/Si3N4介质膜分布...
- 高望谢自力张荣刘斌修向前韩平赵红华雪梅郑有炓
- 阳极多孔氧化铝的斜孔形成过程及机理
- 2010年
- 研究了在草酸、磷酸不同电压条件下,阳极氧化铝(AAO)的孔结构特点。在较高电压下(60～120V),孔发生倾斜,并随电压的增大而加剧。通过建立与阻挡层/金属界面的应力有关的流模型对这一现象进行解释,并发现孔倾斜是AAO从无序到有序的一个自组织的现象。
- 于治国刘荣海周建军赵红华雪梅刘斌谢自力修向前宋雪云陈鹏韩平张荣郑有炓
- 关键词：斜孔应力流模型
- 无电极光助化学腐蚀法制备GaN微/纳米结构及其物性研究
- 2015年
- 利用K2S2O8作为氧化剂,通过无电极光助化学腐蚀GaN外延层制备多种形貌的GaN微米/纳米结构.采用扫描电子显微镜(SEM)、阴极射线发光图(CL mapping)、高分辨X射线衍射(HRXRD)、拉曼光谱(Raman spectra)和光致发光谱(PL)等先进的表征手段研究腐蚀样品的形貌、晶体结构和光学性质.结果表明:在高浓度的KOH(1 mol/L)和低强度的紫外光照下,腐蚀出高质量的腐蚀坑、微米/纳米柱和纳米线;在低浓度KOH(0.4 mol/L)和高强度的紫外光照下,制备出GaN棱锥,研究发现此微米/纳米锥体阵列为包裹了位错的GaN晶体.在腐蚀液KOH浓度低至0.1 mol/L时,GaN腐蚀样品表面形成大量的晶须,聚集成束,晶须揭露了位错;并探讨了多形貌微米/纳米GaN的形成机理.腐蚀温度和GaN外延层极性对腐蚀形貌也具有明显的影响.
- 张士英修向前徐庆君王恒远华雪梅谢自力刘斌陈鹏韩平陆海顾书林张荣郑有炓
- 予非晶化硅中注入硼的异常扩散
- 鲍希茂华雪梅
- 关键词：硅离子注入硼扩散
- 一种原位制备自支撑氮化镓衬底的方法
- 原位制备自支撑氮化镓衬底的方法，采用HVPE生长方式在蓝宝石上生长GaN缓冲层薄膜，反应源材料为金属镓，高纯HCl或三甲基镓或其它有机镓源，载气N<Sub>2</Sub>及NH<Sub>3</Sub>；生长温度为550－...
- 修向前张荣华雪梅陆海谢自力顾书林施毅朱顺明韩平胡立群郑有炓
- 文献传递
