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刘飞飞

作品数：10 被引量：8H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：中山市科技计划项目国家自然科学基金国家科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇电子迁移率
  • 5篇迁移率
  • 5篇晶体管
  • 5篇高电子迁移率
  • 5篇高电子迁移率...
  • 4篇二维电子
  • 4篇二维电子气
  • 3篇电荷
  • 3篇沟道
  • 3篇沟道电流
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电荷分布
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇欧姆接触特性
  • 2篇接触特性
  • 2篇光电
  • 2篇光电效应
  • 2篇光电阴极
  • 1篇等离激元
  • 1篇电极

机构

  • 10篇北京工业大学
  • 4篇电子科技大学
  • 1篇武警部队

作者

  • 10篇刘飞飞
  • 8篇朱彦旭
  • 8篇于宁
  • 8篇杜志娟
  • 7篇王岳华
  • 6篇宋会会
  • 4篇邓叶
  • 4篇王红航
  • 3篇郭伟玲
  • 2篇孙捷
  • 2篇曹伟伟
  • 1篇王晓东

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇激光技术
  • 1篇仪表技术与传...

年份

  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法
本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，...
朱彦旭刘飞飞杜志娟郭伟玲于宁邓叶王岳华宋会会
文献传递
AlGaN/GaN HEMT器件的工艺制备及接触特性研究
GaN基材料禁带宽度大、电子饱和速率高、击穿电场高并且具有较好的耐腐蚀性、抗辐射性以及较高的热导率，在高频、大功率、辐射、高温条件下拥有巨大的优势。由于AlGaN/GaN HEMT内部存在很强的自发极化和压电极化效应使得...
刘飞飞
关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气
Ag/Au与n-ZnO的欧姆接触特性的研究被引量：1
2014年
为了更好实现ZnO材料在光电器件方面的应用,研究了Ag/Au和n-ZnO薄膜的欧姆接触。通过半导体特性分析系统测出欧姆接触的I-V特性曲线和采用挖补圆盘法测试了欧姆接触的接触电阻率,研究了退火温度对接触特性的影响。利用俄歇电子能谱(AES)研究了欧姆接触的微观结构,比较了不同的金属电极的反射特性。结果表明,Ag(50nm)/Au(100nm)和n-ZnO薄膜的欧姆接触在退火温度为500℃时最好,欧姆接触电阻率仅为5.2×10-4Ω·cm-2,且其反射特性比其它金属电极好。
邓叶王晓东朱彦旭曹伟伟刘飞飞杜志娟于宁
关键词：AGAU欧姆接触
一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法
本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，...
朱彦旭刘飞飞杜志娟郭伟玲于宁邓叶王岳华宋会会
多层Ti/Al电极结构对Ga N/AlGaN HEMT欧姆接触特性的影响被引量：1
2016年
研究了多层Ti/Al结构电极对GaN/AlGaN HEMT欧姆接触特性及表面形态的影响。采用传输线模型对各结构电极的比接触电阻率进行了测量,采用扫描电子显微镜对电极表面形态进行扫描。实验结果显示,在同样的退火条件下,随着Ti/Al层数的增加,比接触电阻率逐渐减小,表面形态趋于光滑;降低Ti/Al层的厚度会加剧Au向内扩散而增加比接触电阻率,但能稍微改善表面形态;Ti比例过高会影响Ti N的形成导致比接触电阻率增加,但能明显改善表面形态。
于宁王红航刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷
关键词：高电子迁移率晶体管欧姆接触比接触电阻率
GaN HEMT器件结构的研究进展被引量：6
2015年
Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)具有大的禁带宽度、高电子饱和速度、异质结界面的高二维电子气浓度、高击穿电压以及高的热导率,这一系列特性使它在高频、高功率、高温等领域得到了广泛的认可。本文首先论述了制约氮化镓高电子迁移率晶体管器件性能提高所遇到的问题及解决方法;然后,着重从优化材料结构设计和器件结构设计的角度,阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管器件在高频高功率领域的最新研究进展;最后,讨论了器件进一步发展的方向。
于宁王红航刘飞飞杜志娟王岳华宋会会朱彦旭孙捷
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓高频
GaN基微腔传感器悬空隔膜的力电转换的ANSYS研究
2016年
为了深入研究氮化镓薄膜的压电效应和机械特性,基于气体直接吸收红外辐射的原理,将基于氮化镓悬空隔膜的充气微腔红外传感器项目作为背景,以氮化镓/铝镓氮薄膜作为敏感单元,在材料力学以及压电效应方面,采用有限元分析软件ANSYS 14.0进行了理论分析和验证,取得了薄膜形状、厚度和面积等尺寸与压电薄膜输出电压以及薄膜灵敏度的逻辑关系数据,验证了薄膜力-电信号转换机制可行性。结果表明,GaN薄膜材料具有良好的压电特性以及线性度,有助于对探测器输出信号进行准确的预测,并进行温度补偿,突出GaN材料在应用中的优势。此研究对设计性能良好、灵敏度高的微腔红外传感器是有帮助的。
朱彦旭杜志娟刘飞飞于宁王岳华宋会会王红航
关键词：输出电压ANSYS压电效应
高压LED阵列电学特性的优化方法的研究
2016年
高压LED制备工艺中,优化电极参数是获得均匀分布电流,改善电流输运特性,提高器件出光效率的主要方法之一。改进不同隔离层制备工艺参数与电极参数,抽样检测样品,对结果分析发现,Cr/Au电极厚度分别达到500 nm/300 nm后,总体提高了高压LED的电流输运特性,减少了高压LED漏电现象,增强了高压LED的电学稳定性,改善了金属电极厚度对高压LED的影响。通过二步法制备隔离层,改变LED工艺参数及隔离层倾角,制备出正向电压约12 V的串联高压LED。
王红航杜志娟刘飞飞于宁朱彦旭王岳华宋会会曹伟伟
关键词：氮化镓电极参数光输出功率电学特性
基于HEMT结构调制沟道电流的光探测器
本发明用于半导体光电子领域，涉及一种基于HEMT结构调制沟道电流的光探测器。本探测器包括：处于最下方的具有HEMT器件结构的半导体层；在HEMT栅电极位置处沉积一层光感应层；沉积在光感应层上的一层金属电极层；在栅电极两侧...
朱彦旭于宁刘飞飞郭伟玲杜志娟邓叶王岳华
文献传递
杂化型等离激元纳米结构、器件及其光物理学研究
表面等离激元纳米结构因其独特的光物理学特性而得到广泛的关注。杂化型等离激元纳米结构，即利用不同等离激元间或等离激元与其它光学共振模式间耦合效应的复合纳米结构，能够进一步优化和丰富等离激元纳米结构的光物理学特性，从而进一步...
刘飞飞
关键词：光子器件
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