刘林林
- 作品数：14 被引量：80H指数：5
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省科学技术研究发展计划项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 交直流混联系统对距离保护暂态超越的影响及解决措施被引量：13
- 2010年
- 针对传统的距离保护应用于交直流混联系统,特别是当直流系统发生换相失败时存在暂态超越的问题,分析发现交直流混联系统直流侧发生换相失败时,故障暂态信号中含有大量衰减缓慢的低频分量、非周期分量及高频分量,这是引起距离保护暂态超越的根本原因.同时,给出一种先利用分布参数模型将保护安装处的电压、电流补偿至整定点,再采用R-L线路模型建立微分方程,识别出整定点与故障点之间距离的保护方案.动模数据仿真结果表明,该方案在特高压、长线路末端故障时能够有效地防止暂态超越,不受线路分布电容、低频分量以及非周期分量的影响,提高了长线距离保护的动作可靠性.
- 索南加乐张健康刘林林谈树峰杨忠礼
- 关键词：交直流混联距离保护换相失败暂态超越
- 基于参数识别的时域长线距离保护被引量：22
- 2009年
- 对于传统距离保护用于远距离输电时受线路分布电容影响存在暂态超越的问题,给出了一种基于参数识别的时域距离保护新算法。在分布参数线路模型下,根据保护安装处电压、电流计算出保护整定点的电压、电流,再根据微分方程距离保护算法判别区内、区外故障,并利用插值法解决了长线距离保护在低采样频率下无法计算沿线电压、电流分布的问题。仿真结果表明,在特高压长线路末端故障情况下仍能够正确判别区内、区外故障,有效地防止了暂态超越。该方法对采样频率要求不高,不受线路分布电容和非周期分量的影响,提高了长线距离保护的动作可靠性。
- 宋国兵刘林林索南加乐袁晓辉杜斌
- 关键词：距离保护分布参数线性插值暂态超越
- 围栅金属氧化物半导体场效应管电流模型被引量：2
- 2010年
- 针对深亚微米级围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)处于堆积或反型时自由载流子对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET表面势和电流解析模型.考虑耗尽电荷和自由载流子的影响,采用逐次沟道近似法求解电势泊松方程,得到围栅MOSFET从堆积到耗尽,再到强反型的表面势模型,最后通过源漏两端的表面势得到了围栅器件从线性区到饱和区的连续电流模型,并利用器件数值仿真软件Sentaurus对表面势和电流模型进行了验证.研究结果表明,表面势在堆积区和强反型区分别趋于饱和,在耗尽区和弱反型区随栅压的增加而增加,同时漏压的增加将使得沟道夹断,此时表面势保持不变.增加掺杂浓度导致平带所需的负偏压变大,表面势增加.与现有的阈值电压模型相比,该模型的精确度提高了16%以上.
- 徐进朋尤一龙李尊朝刘林林
- 关键词：载流子表面势漏电流
- 一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型被引量：2
- 2010年
- 针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.
- 尤一龙李尊朝刘林林徐进朋
- 关键词：阈值电压表面势
- 基于工业PC的软PLC的设计与实现被引量：18
- 2009年
- 选取软PLC作为研究对象,在理解软PLC系统的功能、组成和编程方法基础上,基于IEC61131-3国际标准的编程规则,采用面向对象的思想,设计出了一套完整易用的数据结构,给出了一种基于工业PC的软PLC设计方案并在VC6.0环境下实现。最后,通过实验室被控对象验证了方案的可行性。
- 陈佳刘林林熊伟张仁远甘永梅郑明
- 关键词：软PLCIEC控制系统
- 基于插值法长线分布参数模型的误差与适用频带研究
- 针对分布参数模型下采样频率较低时,不能计算出线路沿线任意点电压电流的问题,本文在分布参数模型下引入线性插值推导出沿线电压电流的时域计算公式,分析了分布参数模型的插值法适用频带以及影响适应频带的因素,并将理论误差数值与实际...
- 宋国兵刘林林袁晓辉索南加乐
- 关键词：线性插值误差分析
- 文献传递
- 基于变压器中性点零序电流的方向元件被引量：4
- 2009年
- 零序方向元件测得的零序电压实际为变压器的零序分压。随着电力系统的发展,变压器容量越来越大,其零序阻抗越来越小,导致保护上零序电压很小,不满足灵敏度要求,零序方向元件误动或者拒动。针对这一缺陷,通过分析变压器中性点零序电流和保护零序电流的相位关系,提出一种基于变压器中性点零序电流的方向元件。该元件以变压器中性点零序电流为参考,与保护零序电流进行比相,进而判断故障方向。经仿真验证,该方向元件动作准确、可靠。
- 索南加乐杜斌许立强张军民孙成谈树峰刘林林
- 关键词：继电保护方向元件变压器中性点
- 输电短线路的相间自适应距离保护被引量：5
- 2010年
- 针对常规距离保护应用到传统意义的短线路时常常因为末端故障时残压小造成保护超越而退出工作的情况,简要分析了影响距离元件测量误差的因素,并利用仿真数据定量分析了短线路保护范围末端故障时,阻抗测量误差与系统阻抗和线路阻抗比(电源线路阻抗比)的关系。在此基础上提出一种根据系统阻抗和线路阻抗比自适应调整距离保护动作范围的短线路相间距离保护方案。该方案在线路发生故障时,假定故障发生在保护末端,结合实测的电源线路阻抗比按可能出现的最大测量误差调整保护范围,从而消除了短线路末端相间故障时距离保护的超越问题,保证了选择性。EMTP仿真验证,说明该方法可以有效地避免短线路末端故障时距离保护的超越问题,改善了短线路距离保护的性能。
- 康小宁赵选宗索南加乐刘志良刘林林张军民
- 关键词：距离保护短线路自适应
- 一种只取两端电气量的两端带并联电抗器输电线路永久性故障判别方法
- 提出了一种适用于两端带并联电抗器的超/特高压输电线路单相自适应重合闸瞬时性和永久性故障判别方法。在分析单相瞬时性和永久性故障回路特点的基础之上,利用电流差动原理实现单相故障性质判别。在故障发生单相跳闸后,将瞬时性故障视为...
- 宋国兵袁晓辉邵文权刘林林
- 关键词：输电线路自适应重合闸并联电抗器电流差动
- 文献传递
- 全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型被引量：1
- 2011年
- 针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显,以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽围栅MOSFET二维模型.同时考虑耗尽电荷和自由电荷的影响,结合沟道与氧化层界面处的边界条件,求解一维泊松方程,得到一维电势分布模型,然后结合器件源漏处的边界条件求解拉普拉斯方程,最终得到全耗尽围栅MOSFET精确的二维表面势模型,并在此基础上得到了阈值电压、亚阈值斜率等电学参数的解析模型.利用Sentaurus软件对解析模型进行了验证,结果表明:该模型克服了本征模型在重掺杂情况下失效和仅考虑耗尽电荷的模型在强反型区失效的缺点,在不同沟道掺杂情况下从亚阈值区到强反型区都适用;与原有模型相比,该阈值电压模型的误差减小了45.5%.
- 刘林林李尊朝尤一龙徐进朋
- 关键词：表面势阈值电压短沟道效应
