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刘晓艳

作品数:61 被引量:388H指数:11
供职机构:河北工程大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学文学更多>>

文献类型

  • 51篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 3篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 49篇金属学及工艺
  • 40篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 1篇文学

主题

  • 41篇合金
  • 14篇流变应力
  • 14篇镁合金
  • 13篇热压缩
  • 13篇铝合金
  • 13篇ZK60镁合...
  • 12篇热压缩变形
  • 10篇时效
  • 10篇显微组织
  • 10篇AL-CU-...
  • 9篇再结晶
  • 8篇热变形
  • 8篇耐热铝合金
  • 8篇AL-CU-...
  • 6篇动态再结晶
  • 6篇超高强
  • 5篇力学性能
  • 5篇高强
  • 5篇力学性
  • 5篇SC

机构

  • 53篇中南大学
  • 9篇河北工程大学
  • 7篇湖南城市学院
  • 4篇教育部
  • 2篇湖南化工职业...
  • 2篇湖南信息工程...

作者

  • 61篇刘晓艳
  • 45篇潘清林
  • 38篇何运斌
  • 35篇李文斌
  • 11篇覃银江
  • 10篇陆智伦
  • 9篇曹素芳
  • 8篇梁文杰
  • 6篇范曦
  • 6篇梁顺星
  • 5篇刘俊生
  • 5篇郑立允
  • 5篇高飞
  • 4篇肖艳苹
  • 3篇路聪阁
  • 3篇杨兵初
  • 3篇尹丽霞
  • 3篇高飞
  • 3篇周坚
  • 3篇陈琴

传媒

  • 12篇中国有色金属...
  • 6篇材料科学与工...
  • 5篇材料工程
  • 5篇中南大学学报...
  • 4篇航空材料学报
  • 3篇Transa...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇金属学报
  • 2篇机械工程材料
  • 2篇半导体光电
  • 2篇材料科学与工...
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  • 1篇金属热处理
  • 1篇特种铸造及有...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2012
  • 18篇2011
  • 17篇2010
  • 6篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
61 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
含Ag的Al-Cu-Mg基合金的断续时效特征被引量:2
2012年
采用维氏硬度、拉伸力学性能测试、扫描电镜和透射电子显微镜分析手段,研究了断续时效对含Ag的Al-Cu-Mg基合金的组织和性能的影响。结果表明:185℃高温欠时效Al-Cu-Mg-Ag合金在低温进行二次时效时,会发生二次析出现象,合金塑性显著提高。随着185℃欠时效时间的延长,合金二次时效初始硬度升高,峰值时间缩短,峰值硬度增量降低。二次时效温度为65℃时,合金中主要强化相为G.P.区和少量的Ω相,其峰值强度硬度低于T6态,提高二次时效温度至150℃,合金主要强化相为Ω相和少量的G.P.区,其峰值强度硬度略高于T6态。
曹素芳潘清林刘晓艳陆智伦何运斌
关键词:AL-CU-MG-AG合金显微组织
掺铜TiO2薄膜的制备及结构与光学性能的研究被引量:5
2009年
采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。结果表明:掺Cu能够改善薄膜的表面形貌与结晶质量,提高薄膜的光吸收性能。随着掺铜量的增加,TiO2薄膜的锐钛矿(101)衍射峰越来越强,且吸收边逐渐红移。Cu靶的溅射功率大于3 W,薄膜中就会出现CuO晶相。掺Cu后,TiO2薄膜的光催化性能明显增强。随着Cu的溅射功率的增大,TiO2薄膜的光催化性能先增强,后减弱。Cu的溅射功率为5 W的样品光催化性能最好。
高飞吴再华刘晓艳
关键词:TIO2薄膜铜掺杂
Al-Cu-Mg-Ag合金热压缩变形行为的预测被引量:6
2011年
采用了热模拟实验机研究了Al-Cu-Mg-Ag耐热铝合金的热压缩变形行为。实验的温度和应变速率分别为340~500℃,0.001~10 s-1。分别用了本构方程和人工神经网络来对Al-Cu-Mg-Ag合金的流变行为进行了分析和模拟。神经网络的结构是3-20-1;输入参数是温度,应变速率和应变;输出参数是流变应力。结果表明该合金的流变曲线出现加工硬化、过渡、软化和稳态流变这4个阶段,流变应力随着应变速率的增加而增大,随着变形温度的下降而减少。用所建立的神经网络模型预测了变形温度和应变速率对流变应力的影响,预测的结果与热压缩变形的基础理论吻合得很好,而且该模型可以很好地描述Al-Cu-Mg-Ag合金的流变应力,在应变速率为0.001~10 s-1的条件下,其平均相对误差分别为3.68%,3.98%,1.53%,3.53%和2.04%。这表明神经网络的预测性能优良,具有很强的推广能力。同时通过本构方程和神经网络的预测结果比较看出神经网络模型的相关系数比较高,而且神经网络比本构方程有更好的预测性能。神经网络可以预测不同应变下的相应的流变应力,但是本构方程只可以根据不同的应变速率和温度来预测峰值应力。
陆智伦潘清林曹素芳刘晓艳
关键词:AL-CU-MG-AG合金本构方程人工神经网络热压缩变形流变应力
ZK60镁合金加工图的构建及失稳分析被引量:11
2011年
采用Gleeble-1500热模拟试验机对ZK60镁合金在变形温度为150~400℃,应变速率为0.001~10 s-1条件下的热变形行为进行研究,利用双曲正弦关系式描述了该合金在热变形过程中的稳态流变应力;根据合金动态模型,计算并分析了该合金的加工图.研究表明:利用加工图可确定出该合金热变形的流变失稳区,导致变形失稳的原因主要是孪生和局部流变;试验条件下热变形的最佳工艺参数为变形温度350℃,应变速率0.001 s-1,在该条件下合金发生完全再结晶,具有较好的塑性.
何运斌潘清林刘晓艳李文斌
关键词:ZK60合金流变应力再结晶
ZK60镁合金均匀化过程中的组织演变被引量:6
2011年
采用光学显微镜、扫描电镜、能谱分析和X射线衍射研究了ZK60镁合金铸态的显微组织以及均匀化过程中的组织演变与成分分布。结果表明:ZK60铸态合金中枝晶偏析严重,在晶界和枝晶边界处存在大量的非平衡共晶相,其主要成分为α-Mg和Mg7Zn3;经过均匀化处理后,合金中的非平衡相随温度的升高和时间的延长逐渐溶解,但温度高于420℃后发生过烧,最佳均匀化处理制度为400℃/12h,该制度与均匀化动力学方程所得结果基本一致。
何运斌潘清林刘晓艳李文斌
关键词:ZK60镁合金枝晶偏析显微组织动力学方程
镁合金等通道转角挤压过程中的晶粒细化机制被引量:36
2011年
采用金相显微镜、背散射电子衍射(EBSD)和透射电子显微镜(TEM)分析ZK60镁合金在等通道转角挤压(ECAP)过程中不同部位的显微组织特征。结果表明:ZK60镁合金经240℃ECAP变形1道次后,合金的晶粒得到明显细化,但组织仍不均匀。剪切变形前,合金组织主要为粗大晶粒并伴有大量孪晶,剪切区的组织主要为剪切变形带和少量再结晶组织;剪切变形后,合金的晶粒组织主要为再结晶组织;合金ECAP过程的晶粒细化主要为机械剪切和动态再结晶的综合作用。
何运斌潘清林刘晓艳李文斌
关键词:ZK60镁合金ECAP动态再结晶
强化固溶对含Sc超高强铝合金组织性能的影响
2010年
为了提高含Sc超高强Al-Zn-Cu-Mg-Zr合金的固溶程度,减少未溶结晶相的数量,用极差分析方法对强化固溶处理制度进行了优化.采用拉伸试验、金相和透射电镜分析、扫描电镜观察和能谱分析等方法研究了强化固溶对合金力学性能和组织的影响.结果表明,与常规固溶相比,强化固溶后合金的屈服强度和抗拉强度分别提高了28MPa和18MPa,合金的断口形貌呈现晶内韧窝与沿晶破裂的混合断裂,强化固溶后合金的力学性能有所改善,残余的第二相数量明显减少,η′析出相也更细小、弥散.
李文斌潘清林刘俊生梁文杰刘晓艳何运斌
关键词:强化固溶显微组织
ZnO薄膜的制备与发光性能的研究
ZnO是一种宽禁带半导体材料,为六方晶体/(纤锌矿/)结构,与GaN的晶格结构相同。室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV左右,激子束缚能为60meV,是继GaN之后的又一理想的光电材料。 本文利用直流磁...
刘晓艳
关键词:ZNO薄膜光致发光
文献传递
论索尔·贝娄小说中的流浪意识——以《雨王汉德森》和《赫索格》为例
本文试图运用史蒂芬·格林布莱特的文化诗学理论,对贝娄的《雨王汉德森》和《赫索格》这两部小说中的流浪意识进行文化解读。 全文共分为四章。第一章探讨贝娄文学创作的文化资源之一,即“流浪意识”及其对贝娄作品的影响。第...
刘晓艳
关键词:赫索格
文献传递
预变形对新型含钪Al-Cu-Li-Zr合金剥蚀性能的影响被引量:5
2008年
采用剥落腐蚀实验、电化学阻抗测试等方法,研究预轧变形对新型含钪Al-Cu-Li-Zr合金剥蚀性能的影响。研究结果表明:合金在EXCO溶液中剥落腐蚀敏感性由高到低依次表现为过时效→峰时效→欠时效;时效前,预轧变形不改变合金的腐蚀规律;T1相和无沉淀析出带(PFZ)是引起合金腐蚀的主要因素,预轧变形促进T1相的形核与长大;预轧变形后的合金,T1相粗化,PFZ变宽,剥落腐蚀程度更加严重。
潘清林李运春梁文杰何运斌周迎春路聪阁刘晓艳
关键词:铝锂合金剥落腐蚀电化学阻抗谱
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