刘乃鑫
- 作品数：31 被引量：37H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委重点学科建设项目博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程理学更多>>
- 镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响被引量：2
- 2006年
- 利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜,Mg流量应处于一个合适的范围,Mg流量过低,薄膜的空穴浓度低,电学特性不好;Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,晶体质量与表面形貌变差,Mg的活化率也降低,并且自补偿效应更加严重,最终使得空穴浓度降低,电学特性变差。将优化的条件应用于蓝光发光管的外延生长,并制备了器件,在20mA的注入电流下,输出功率为6.5mW,正向压降3V,反向击穿电压为20V。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫刑燕辉韩军邓军沈光地
- 关键词：氮化镓掺杂金属有机物化学气相淀积
- 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法
- 本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中激活效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的金属钛，然后在N<Sub>2</Sub>气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V...
- 纪攀峰李京波闫建昌刘乃鑫刘喆王军喜李晋闽
- 文献传递
- 透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件
- 本发明公开了一种透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件，其中，透明单晶AlN的制备方法包括：在PVT法生长的AlN单晶衬底上生长一层牺牲层，该牺牲层为：导电的多孔结构、热应力自分解的多孔结构或者低温生长得到的多晶缓...
- 刘乃鑫魏同波魏学成王军喜李晋闽
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- InGaN/GaN量子阱中v型缺陷的研究（英文）
- The influence of the growth conditions,such as temperature,TMIn flow and NH3 flow on the v-defects of InGaN/Ga...
- 纪攀峰王军喜刘乃鑫Yan Jianchang刘喆路红喜曾一平王国宏李晋闽
- 关键词：NH3TEMPERATURE
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- 生长停顿改善MOCVD生长InGaN/GaN多量子阱的特性被引量：2
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQWs)结构,研究了生长停顿对InGaN/GaN MQWs特性的影响。结果表明,采用生长停顿,可以改善MQWs界面质量,提高MQWs的光致发光(PL)与电致发光(EL)强度;但生长停顿的时间过长,阱的厚度会变薄,界面质量变差,不仅In组分变低,富In的发光中心减少,而且会引入杂质,致使EL强度下降。
- 牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫邢燕辉韩军邓军沈光地
- 利用InGaN做垒对LED多量子阱材料质量及光电性能影响
- 利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）系统,在蓝宝石衬底上外延生长以InGaN做垒的多量子阱蓝光发光二极管（LED）材料。本文对比了GaN垒和InGaN垒样品材料质量和发光特性。结果表明,材料界面的质量变化不大,但利用...
- 张宁姬小丽刘乃鑫刘喆王军喜
- 关键词：LED高分辨X射线衍射光致发光量子效率
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- 一种氮化镓系发光二极管
- 一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分...
- 马平王军喜刘乃鑫路红喜王国宏曾一平李晋闽
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- p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究被引量：23
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p-GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高,但正向电压只是略有升高.
- 刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉韩军沈光地
- 关键词：氮化镓发光二极管金属有机物化学气相淀积
- 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法
- 一种利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延衬底；步骤2：在外延衬底上外延一致密薄层，该致密薄层作为后续氮化镓外延的成核层；步骤3：暂停生长，使致密薄层发生分解，得到疏松薄层；步骤4：在...
- 冯向旭张宁刘乃鑫付丙磊朱绍歆张连魏同波王军喜李晋闽
- 文献传递
- AlInGaN四元合金的MOCVD生长及InGaN/AlInGaN LED器件性能研究
- 本论文以AlInGaN的生长优化及相关器件制备为研究对象，工作主要分为以下三个方面：首先，采用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)技术外延生长AlInGaN四元合金，并且采用多种检测手段进行了测试分析，深入研究了不同实验...
- 刘乃鑫
- 关键词：四元合金
