何美林
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华中科技大学更多>>
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器存储特性的比较被引量：2
- 2013年
- 本文对比研究了LaON/SiO2和HfON/SiO2双隧穿层MONOS存储器的存储特性.实验结果表明,LaON/SiO2双隧穿层MONOS存储器具有较大的存储窗口,快的编程/擦除速度及好的疲劳和保持特性.其机理在于LaON较大的介电常数有效提高了编程/擦除过程中载流子的注入效率,较小的O扩散系数减少了界面陷阱,从而减少了保持期间存储电荷通过陷阱辅助隧穿的泄漏.而且N的结合在界面附近形成了强的La-N,Hf-N和O-N键,可有效降低编程/擦除循环应力对界面的损伤,使器件具有好的疲劳特性.此外,研究了退火温度对存储特性的影响,结果表明800 C退火样品的存储特性比700 C退火的好,这是因为800 C时NO退火可在LaON(HfON)中引入更多的N,且能更好释放应力,使介质中缺陷减少.
- 何美林徐静平陈建雄刘璐
- 关键词：HFON
- SONOS存储器阻挡层结构及隧穿层退火工艺的研究
- 随着3D-Flash技术的兴起，基于深能级陷阱存储电荷的非易失性存储技术受到了更加广泛的关注。然而，电荷陷阱型存储器在工艺节点缩小时，器件的可靠性将面临很大的挑战。此外，随着多值存储技术MLC(Multi Level C...
- 何美林
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