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注意缺陷多动障碍患儿事件相关电位N400研究被引量：3: 2015年; 目的:探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿汉语句子结尾词匹配和非匹配语言时相关电位(ERP)N400的变化。方法:应用ERP仪,采用汉语正常句子结尾词匹配与非匹配的范式,对35例ADHD患儿(ADHD组)和41名正常儿童(正常对照组)进行视觉诱发电位N400检测。结果:在Cz脑区匹配及非匹配条件下,ADHD组N400潜伏期[(384±45)ms,(436±35)ms]比正常对照组[(348±32)ms,(399±29)ms]显著延迟(P均<0.01);波幅ADHD组[(4.2±4.5)μV,(7.5±5.1)μV]显著低于正常对照组[(7.6±5.0)μV,(12.4±6.5)μV](P均<0.01)。结论:ADHD患儿N400异常,N400检测可能成为判断注意缺陷多动障碍的客观指标。; 吕坚黄军斌吴荣琴李桦孙复林徐璐钱玲萍陈兴时杜亚松; 关键词：注意缺陷多动障碍视觉诱发电位 N400

注意缺陷多动障碍儿童哌醋甲酯治疗前后错误监控功能的动态观察被引量：2: 2014年; 目的探讨注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位(error-related negativity,ERN)变化与治疗的关系。方法应用德国Brain Products公司的ERP记录与分析系统,对38例ADHD和30名健康儿童作了ERN检测。结果 (1)注意缺陷多动障碍组的正确反应率明显低于健康儿童组,正确反应和错误反应的反应时明显比健康儿童组长。(2)与健康儿童组相比,注意缺陷多动障碍ERN潜伏期在Cz、Oz、C3和C4上明显延迟,波幅(Cz、C3、Oz、Pz)较健康儿童组低。(3)患者组在治疗后6月、18月随访时,ERN潜伏期和波幅差异无显著性(P>0.05)。结论注意缺陷多动障碍儿童的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了本组儿童内在错误监控机制存在缺陷。随访ERN变化可能是一种属性标志。; 吕坚宋立升黄军斌吴荣琴李桦孙复林徐璐钱玲萍陈兴时杜亚松; 关键词：注意缺陷多动障碍事件相关脑电位生物学标记

重复经颅磁刺激对精神分裂症患者事件相关电位的影响被引量：1: 2014年; 目的观察重复经颅磁刺激(rTMS)治疗前后精神分裂症患者的失匹负波(MMN)及P300的变化特点。方法对78例精神分裂症患者(精神分裂症组)在rTMS治疗前后进行了P300和MMN检测,观察rTMS治疗前后P300和MMN的变化。另对62名正常对照者(对照组)进行P300和MMN检测,并将两组结果进行比较。结果与对照组相比,精神分裂症组的MMN潜伏期延迟和波幅降低(分别P<0.05和P<0.01),P300中的靶波幅P3降低(P<0.05)。精神分裂症组经过rTMS治疗后,MMN波幅及P300靶波幅P3较治疗前有所恢复(P<0.05)。结论联合应用P300和MMN,可作为抗精神病药物合并rTMS治疗精神分裂症的疗效监测指标。; 孙复林吴荣琴黄军斌陈兴时; 关键词：重复经颅磁刺激 P300 精神分裂症

在事件相关脑电位导向下的重复经颅磁刺激研究进展被引量：1: 2014年; 精神分裂症发病率的继续上升,这无疑将给二十一世纪的中国社会带来巨大的压力和挑战.但是,本病的病因和发病机理尚未探明,并缺乏辅助的诊断和治疗手段.事件相关脑电位（Event related potentials,ERP）和重复经颅磁刺激（repetive transcranial magneticstimulate,rTMS）是神经生理的两个新技术,下面对近年发展作一综述.; 吴荣琴孙复林黄军斌; 关键词：重复经颅磁刺激事件相关脑电位精神分裂症发病机理神经生理发病率

儿童失神癫痫的事件相关脑电位N400实验研究: 2016年; 目的探讨儿童失神癫痫(CAE)的事件相关脑电位N400的变异。方法应用中国润杰WJ-1型ERP仪,采用汉语正常句子结尾词(匹配)与句子结尾歧义词(非匹配)的模式,对45例CAE和42名正常儿童进行N400检测。结果 1潜伏期:CAE组的N400潜伏期在3个脑区明显延迟于对照组。CAE组在Cz脑区,匹配指标(P<0.01)、非匹配指标(P<0.01)均延迟于对照组;CAE组在Fz、Pz脑区也有类似变化。2波幅:CAE组的N400波幅在5个脑区明显低于对照组。CAE组在Cz脑区,匹配指标(P<0.01)、非匹配指标(P<0.01)均低于对照组。结论句子结尾词是引起N400的良好刺激材料,可用于神经精神科临床,特别适合CAE的辅助诊断。; 徐璐吴荣琴吕坚黄军斌唐佳琳陈兴时陈冲; 关键词：儿童失神癫痫正常儿童事件相关脑电位 N400

首发未服药精神分裂症患者的惊跳反射弱刺激抑制和P50检测被引量：7: 2015年; 目的应用惊跳反射弱刺激抑制（PPI）和P50两项新技术共同评价精神分裂症感觉门抑制及其变异特点.方法应用德国Brain Products公司的ERP记录与分析系统,PPI采用单独强刺激和弱刺激＋强刺激范式,P50采用S1和S2范式,对82例首发精神分裂症患者（患者组,来源于2007年9月至2014年2月上海市精神卫生中心）和78名健康成人（健康对照组,来源于同时期医院工作人员及附近居民）作了PPI和P50检测.并用阳性和阴性症状量表（PANSS）评定患者精神症状.结果（1）患者组[（97±17）ms]比健康对照组[（89±14） ms]单独强刺激的惊跳反射潜伏期长（P＜0.05）.患者组[（96±20） ms,（41±29）μV],比健康对照组[（92±21） ms,（24±14） μV]弱刺激＋强刺激的惊跳反射潜伏期长,波幅增高（P ＜0.05,P＜0.01）.患者组（41％±37％） PPI抑制率低于健康对照组（67％±32％,P＜0.05）.（2）与健康对照组相比,患者组P50中的S2波幅增高[（5±3）μV比（3±2）μV,P＜0.05],S2和S1波幅的比值升高[（82％±41％）比（43％±22％）,P＜0.05],P50抑制明显减弱.结论精神分裂症的PPI同P50一样,也存在异常.PPI抑制率和P50中的S2/S1波幅比值的结合,可作为本病的脑电生物学标记.; 吴荣琴宋立升吕坚黄军斌孙复林李桦陈兴时陈冲; 关键词：精神分裂症 P50

重复经颅磁刺激对精神分裂症患者事件相关电位的影响被引量：5: 2014年; 目的:探讨重复经颅磁刺激(rTMS)对精神分裂症患者失匹配负波(MMN)及P300的影响。方法:应用美国脑电生理仪器,对78例精神分裂症患者在rTMS治疗前后进行P300和MMN检测,观察rTMS治疗前后P300和MMN的变化。结果:与正常组比较,精神分裂症组MMN潜伏期延迟,和波幅降低(P<0.05或P<0.01),P300中的靶波幅P3降低(P<0.05)。患者组经过25次rTMS治疗后MMN波幅及P300靶波幅P3明显提高(P<0.05或P<0.01)。结论:rTMS治疗可以提高精神分裂症患者事件相关电位的MMN及P3波幅。; 孙复林吴荣琴黄军斌陈兴时; 关键词：重复经颅磁刺激 P300 精神分裂症 P300

注意缺陷多动障碍儿童的错误相关负电位的检测被引量：1: 2012年; 目的探讨注意缺陷多动障碍(ADHD)患儿的错误相关负电位(ERN)的变化特点。方法应用事件相关脑电位仪,对30例ADHD患儿和30名健康儿童做ERN检测并比较。结果与健康儿童相比,ADHD患儿的正确反应率明显降低、正确反应和错误反应的反应时明显延长;ERN潜伏期(Cz、Fz、C3和C4)明显延迟、波幅(Cz、C3、Fz和Pz)降低。结论 ADHD患儿的ERN潜伏期和波幅异常,可能反映了患者内在错误监控机制存在缺陷。; 吕坚黄军斌吴荣琴李桦孙复林徐璐钱玲萍陈兴时; 关键词：注意缺陷多动障碍事件相关电位

30名健康儿童的感觉门控P_(50)研究: 2012年; 目的应用诱发电位新技术探讨健康儿童感觉门控(SG)P50特点。方法应用美国Nicolet脑电生理仪,采用条件刺激(S1)-测试刺激(S2)模式对30名健康儿童进行听觉P50检测。结果健康儿童Cz脑区S1-P50潜伏期(60.7±11.9)ms,波幅(5.7±3.3)μV;S2-P50潜伏期(65.4±22.0)ms,波幅(2.4±1.3)μV。S2-P50波幅显著低于S1-P50(P<0.01)。S2/S1比值为(42.8±21.0)%;S1-S2波幅和100(1-S2/S1)波幅分别为(3.3±2.6)μV和(57.9±21.0)μV。结论听觉P50电位具有抑制性特征,其变化可反映大脑健康儿童SG的功能状态。; 吕坚黄军斌吴荣琴李桦孙复林徐璐钱玲萍陈兴时; 关键词：健康儿童诱发电位 P50 感觉门控

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黄军斌

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