马剑平
- 作品数：39 被引量：92H指数：6
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金香港特区政府研究资助局资助项目陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 单晶炉勾形磁场的优化设计与分析被引量：7
- 2005年
- 本文采用有限元法对勾形磁场的分布进行了模拟分析,结果表明磁场强度径向分量Bx随径向距离r增大可视为线性增大,并且在线圈中心面上下20mm靠近坩埚内壁的窄小区域内最强。通过对磁场强度的影响因素的分析表明,磁场Bx随电流增大呈线性增加,并随匝数增加呈非线性增大。最后依据模拟结果及其分析,取得了磁场的设计参数。
- 安涛高勇马剑平李守智李留臣
- 关键词：有限元法分析方法单晶炉磁场强度
- 圆型平面非平衡磁控溅射靶的优化设计被引量：2
- 2008年
- 非平衡磁控溅射技术的关键就是设计非平衡磁控溅射靶的靶面磁场分布。改善靶面横向磁场分布的均匀性是提高靶材利用率的有效途径。通过磁场的有限元分析,得到了圆型平面非平衡磁控溅射靶结构参数对靶面磁场均匀性和强度的影响,给出了非平衡磁控溅射靶的优化设计结构,并与实验结果进行了对比分析,靶面磁场强度和分布均匀性得以明显改善。
- 马剑平刘艳涛
- 关键词：磁控溅射有限元
- Si衬底上外延3C-SiC薄层结构及光学常数分析被引量：1
- 1999年
- 采用热丝化学气相淀积生长法，在Ｓｉ衬底上外延生长３Ｃ－ＳｉＣ薄层获得成功．生成源为ＣＨ４＋ＳｉＨ４＋Ｈ２混合气体，热丝温度约为１８００～２０００℃，碳化和生长时衬底温度低于１０００℃．用Ｘ射线衍射，变角椭偏法等分析手段研究了外延层的晶体结构和光学常数．Ｘ射线衍射结果显示出３Ｃ－ＳｉＣ薄层的外延生长特征，变角椭偏法测量出外延层的折射率为２．６８６。
- 雷天民陈治明陈治明余明斌马剑平王建农
- 关键词：碳化硅薄层光学常数
- 毕业设计质量管理与控制体系的探索与实践被引量：11
- 2006年
- 毕业设计是高等学校本科教育的一个综合性实践环节,是本科专业人才培养的一个重要组成部分。本文针对毕业设计中的质量管理与控制问题,利用系统论和控制论的方法,对毕业设计质量与控制体系的基本构成、实施内容、关键环节的管理与控制方法等进行了深入地研究,为建立和完善高等学校毕业设计质量监控体系提出了基本思路和方法。
- 刘玉萍马剑平潘永湘
- 3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析被引量：2
- 2004年
- 3C SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料。本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长 3C SiC及抑制其相变的研究进展。采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析 ,结果表明所制备的样品为 3C
- 封先锋陈治明马剑平蒲红斌李留臣
- 关键词：液相外延生长RAMAN散射SIC单晶电学性能熔体
- 增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法
- 本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径...
- 封先锋陈治明蒲红斌马剑平臧源
- 文献传递
- 用碳饱和硅熔体制备的3C-SiC薄片及其光致发光被引量：2
- 2001年
- 将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化 ,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体 ,在石墨表面形成SiC多晶薄层并通过改变工艺条件使薄层变厚形成厚约 0 5mm的SiC多晶薄片 .X射线衍射 (XRD)、Raman散射等分析表明所制备样品为 3C SiC多晶体 .采用He Cd激光 3 2 5nm线在不同温度下对实现样品进行了光致发光 (PL)测试分析 .PL实验结果表明随着温度的变化 ,PL发光中心发生蓝移 ,其中心由 2 13eV移至 2 .3 9eV .
- 马剑平卢刚陈治明杭联茂雷天民封先锋
- 关键词：熔体3C-SIC薄片光致发光半导体薄膜
- 物理气相传输法生长氧化锌晶体
- 2014年
- 以高纯氧化锌粉为升华源,采用物理气相传输法(PVT)法在1500℃下生长出了ZnO多晶体,生长速率达0.24 mm/h。样品XRD测试和拉曼分析表明,无籽晶自发成核生长的ZnO多晶体不仅具有六方纤锌矿结构,而且具有c轴方向择优生长特征。实验结果表明了PVT法可以进行大尺寸ZnO晶体的生长,并且可以达到0.2 mm/h以上的生长速率。
- 马剑平刘洋藏源
- 关键词：ZNO晶体
- Si(111)碳化层中的SiC结晶被引量：8
- 1997年
- 为采用HFCVD技术在Si（111）衬底上外延3C－SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理．实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理，热丝温度约为2000℃，衬底温度在950℃到1100℃之间．用X射线衍射、电子衍射和俄歇能谱等分析手段研究了碳化层的组分及结构，发现碳化层可由合碳硅结晶层、3C－SiC结晶层和富碳的3C－SiC结晶层组成．适当控制碳化条件可以调整3C－SiC结晶层的比例．
- 雷天民陈治明马剑平余明斌
- 关键词：硅碳化硅
- 全文增补中
- 基于Atemga128的磁控溅射镀膜机
- 介绍应用于石英晶体谐振器制造的双靶真空镀膜机,以Atemga128单片机为核心,与上位机进行数据传递,真空镀膜包括真空获得、电离清洗、磁控溅射等工艺过程,可实现多种金属电极的镀膜要求,并实现谐振器的制造工艺要求。
- 刘艳涛马剑平
- 关键词：磁控溅射真空ATMEGA128
- 文献传递
