韩丽芳
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：广西大学物理科学与工程技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- Si基半导体中微观缺陷和微量元素行为的正电子湮没研究
- 测量了不同C或B含量经不同温度下烧结制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B...
- 韩艳玲陈玉辉韩丽芳黄宇阳邓文
- 关键词：掺硼正电子湮没
- 文献传递
- 金属氧化物掺杂对ZnO-TiO_2-Bi_2O_3-CuO基压敏陶瓷电子密度和电性能的影响
- 2013年
- 测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。
- 徐守磊王昊韩丽芳陈玉辉黄宇阳邓文
- 关键词：电子密度电性能
- 微量元素和烧结温度对硅基半导体中微观缺陷的影响
- 2011年
- 测量了不同C或B含量经不同烧结温度制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO2的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B,C和O原子序数的增加,与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高;含100ppm的B的样品的谱峰次之;含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高,含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低,正电子寿命增长,缺陷开空间和浓度升高。
- 韩艳玲陈玉辉韩丽芳黄宇阳邓文
- 关键词：掺硼正电子湮没
- TiO_2和CuO掺杂对ZnO导电陶瓷中电子密度和电阻率的影响被引量：3
- 2014年
- 测量了ZnO-TiO2和ZnO-CuO导电陶瓷的正电子寿命谱及其电阻率,研究了TiO2和CuO掺杂对ZnO陶瓷中电子密度和电阻率的影响。结果表明:在ZnO中加入少量的TiO2,随着ZnO陶瓷中TiO2含量的增加,样品中的自由电子密度升高,电阻率降低;在ZnO中加入少量的CuO,随着ZnO陶瓷中CuO含量的增加,样品中的自由电子密度降低,电阻率升高。
- 韩丽芳王昊徐守磊陈玉辉雷镇全邓文
- 关键词：电子密度电阻率
