陈谷然
- 作品数：9 被引量：6H指数：1
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 不同退火温度下晶化硅薄膜的电学输运性质被引量：6
- 2009年
- 采用等离子体化学气相沉积技术制备氢化非晶硅薄膜,经过不同温度下的热退火处理,使薄膜由非晶结构向晶化结构转变,得到含有纳米晶粒的晶化硅薄膜.在晶化过程中,采用Raman技术对样品的结构进行表征.通过变温电导率的测试,对薄膜的电学输运性质进行了分析.研究结果表明:退火温度为700℃时,样品中开始有纳米晶形成,随着退火温度的增加,样品的晶化比增大,在1000℃时,薄膜的晶化比达到90%以上.在700℃退火时,薄膜中晶化成分较低,载流子的传输特性主要受到与硅悬挂键有关的缺陷态影响,表现为带尾定域态的跳跃电导.随着晶化度的提高,在1000℃时薄膜的电输运过程主要为晶化硅的扩展态电导,同时量子隧穿输运对薄膜的电输运过程也有一定的影响.
- 宋超陈谷然徐骏王涛孙红程刘宇李伟陈坤基
- 关键词：氢化非晶硅退火纳米硅电输运
- 激光晶化制备可控纳米硅材料的分子动力学模拟与实验研究
- 随着人类社会进入21世纪，社会的发展和科学技术的进步使人类对信息传输、处理的要求越来越高。而用光子作为信息的载体，采用光通信将是下一代通信的解决方案。这也使得发展与硅微加工技术兼容的光电子集成电路技术成为当代科学研究的热...
- 陈谷然
- 关键词：激光晶化分子动力学电致发光
- 一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
- 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，...
- 徐骏万能徐岭陈坤基林涛陈谷然甘新慧郭四华孙红程刘宇
- 文献传递
- 一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法
- 本发明涉及一种低温下制备小尺寸氧化铟锡纳米线材料的方法，属于光电子器件材料技术领域。其主要步骤为在电子束蒸发仪腔体中装入靶材和衬底，关闭电子束蒸发仪的腔体，将腔体内抽真空并烘烤腔体，调节电子束斑，使之打在ITO靶材表面，...
- 徐骏万能徐岭陈坤基林涛陈谷然甘新慧郭四华孙红程刘宇
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- 一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法
- 本发明涉及一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法，属于纳米光电子器件技术领域。该方法包括制备掺杂非晶硅薄膜、制备掺杂非晶硅多层膜、以及借助激光照射制备掺杂纳米硅量子点等步骤。本发明提供一种了便捷有效的纳米硅量子点的可控掺杂制...
- 徐骏宋超陈谷然黄信凡李伟陈坤基马忠元徐岭
- 文献传递
- 可控非对称掺杂势垒纳米硅基发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退...
- 韦德远徐骏王涛陈德媛韩培高孙红程刘宇陈谷然陈坤基马忠元李伟徐岭
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- 脉冲激光晶化超薄非晶硅膜的分子动力学研究
- 2010年
- 利用准分子脉冲激光晶化非晶硅薄膜是制备高密度尺寸可控的硅基纳米结构的有效方法之一.本文将脉冲激光对非晶硅超薄膜的影响处理为热传导问题,采用了基于Tersoff势函数的分子动力学方法模拟了在非晶氮化硅衬底上2.7nm超薄非晶硅膜的脉冲激光晶化过程.研究了不同激光能量对非晶硅薄膜晶化形成纳米硅的影响,发现在合适的激光能量窗口下,可以获得高密度尺寸可控的纳米硅薄膜,进而模拟了在此能量作用下非晶硅膜中成核与生长的机理与微观过程,并对晶化所获得的纳米硅薄膜的微结构进行了分析.
- 陈谷然宋超徐骏王旦清徐岭马忠元李伟黄信凡陈坤基
- 关键词：非晶硅分子动力学
- 一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法
- 本发明涉及一种实现纳米硅量子点可控掺杂的方法，属于纳米光电子器件技术领域。该方法包括制备掺杂非晶硅薄膜、制备掺杂非晶硅多层膜、以及借助激光照射制备掺杂纳米硅量子点等步骤。本发明提供了一种便捷有效的纳米硅量子点的可控掺杂制...
- 徐骏宋超陈谷然黄信凡李伟陈坤基马忠元徐岭
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- 可控非对称掺杂势垒纳米硅基发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退...
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