郑芳玲
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：陕西师范大学物理学与信息技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 扶手椅型氮化硼纳米带双空位缺陷第一性原理研究被引量：1
- 2011年
- 在广义梯度近似下,采用密度泛函理论框架下的第一性原理投影缀加波赝势方法,研究了扶手椅型氮化硼(BN)纳米带(锯齿边缘)双空位缺陷效应.结果表明:垂直双空位结构优化后形成一个14环,斜向双空位在奇数宽度纳米带中形成4—10—4环,而在偶数宽度纳米带中形成5—8—5环.这两种双空位的形成过程是吸热的,垂直双空位的形成能比斜向双空位的形成能高.随着BN纳米带宽度的增加,两种双空位的形成能均有减少.双空位的存在虽不改变BN纳米带的半导体特性,但改变了费米能级附近的能带结构.
- 郑芳玲张建民
- 关键词：电子结构第一性原理
- 石墨纳米带和碳化硅纳米带的第一性原理研究
- 自2001年王中林教授等人成功的合成半导体氧化物纳米带之后,由于其电子学、光学、催化作用以及压电现象,特别是在电子器件方面的潜在应用,纳米带引起人们的极大关注。在过去的几年,许多其它材料的金属、金属氧化物和非金属纳米带被...
- 郑芳玲
- 关键词：石墨纳米带态密度第一性原理
- 文献传递
