贺敬凯
- 作品数：28 被引量：41H指数：5
- 供职机构：深圳信息职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术建筑科学政治法律更多>>
- 一种说话手套
- 本实用新型涉及智能仪器领域，尤其涉及一种说话手套，包括两只普通手套，还包括：设置于所述普通手套上的感应手指与手掌移动信息的手套传感器组；与所述手套传感器组连接，将手指与手掌的移动信息由模拟信号转换成数字信号的模数转换器；...
- 贺敬凯周志文王瑞春张竞丹张跃宗
- 文献传递
- 双线总线的设计与应用初探
- 2010年
- 本文首先分析了在单片机应用系统中节约IO资源的意义,然后提出了一种双线总线技术,并分析了双线总线的原理,给出了系统实现框图,最后通过模拟交通控制和数字钟这两个系统说明了双线总线的应用。本文提出的双线总线,具有新颖性和通用性,既简单又实用。
- 贺敬凯周志文万学元
- 关键词：接口技术单片机
- 将C算法转换为Verilog HDL实现的一种改进方法
- 2014年
- 本文在分析软件算法和硬件实现的不同特点的基础上,结合C语言算法和HDL硬件实现的特点,提出了将C算法转换为HDL实现的一种改进方法。通过求最大公因数的例子,说明了改进前后的方法在资源利用和最大工作频率方面的差距并不是很明显,但改进后的方法比改进前的方法简洁实用,易于理解和操作。本文提出的改进方法优势明显,具有更广泛的应用前景,对于一般C语言算法的硬件实现具有适用性和指导意义。
- 贺敬凯
- 关键词：HDL硬件实现
- 高职电子信息专业就业导向的实践教学被引量：1
- 2011年
- 实践教学是以就业为导向的高职教育改革中的关键环节。根据市场对人才需求的特点,明确了电子信息专业人才培养的目标和定位,提出了高素质劳动者和技能型人才培养方案实施过程中实践课程体系改革的具体措施,为高职实践教学提供指导。
- 周志文贺敬凯
- 关键词：实践教学就业导向电子信息
- 将C算法转换为Verilog实现的一种改进方法
- 硬件设计借鉴软件设计技术的意义重大,本文提出一种方法可用于在硬件设计中借鉴软件设计的技术。本文首先分析了C语言三种基本结构与Verilog实现的对应关系,并给出了用硬件来实现C语言算法的步骤,然后举了一个求最大公因数的例...
- 贺敬凯周志文王瑞春
- 关键词：电子设计自动化硬件描述语言最大公约数
- 文献传递
- SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制被引量：7
- 2010年
- 研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器。采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生长探测器材料。测试表明,器件的暗电流主要来源于表面漏电流,暗电流密度随着尺寸的增加而减小,在2V偏压时暗电流密度可达17.2mA/cm2;器件在波长1.31μm处的响应度高达0.22A/W,对应量子效率为20.8%。无偏压时,器件的响应光谱在1.2～1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分别位于1.25、1.35、1.45和1.55μm左右,峰值半高宽约为50nm,共振增强效应是由SOI衬底的高反射率引起的。采用传输矩阵法模拟的响应光谱与实验测量结果吻合良好。
- 周志文贺敬凯王瑞春李成余金中
- 关键词：光电探测器
- 将C算法转换为Verilog实现的一种方法被引量：1
- 2010年
- 硬件设计借鉴软件设计的经验意义重大。首先简要介绍了状态机理论,并给出了用硬件来实现程序算法的步骤以及状态图的化简原则,然后列举了一个求最大公因数的例子来详细阐述这种方法以及实现步骤。给出的方法,通用性强,方便借鉴成熟的软件设计技术,可以大大提升数字系统的设计效率。
- 贺敬凯王瑞春万学元潘晓宁郑芙蓉李晓堂
- 关键词：有限状态机电子设计自动化硬件描述语言
- 一种算法转换的方法及装置
- 本发明适用于电子设计自动化技术领域，提供了一种算法转换的方法，所述方法包括：将C语言程序或C语言程序的流程图转化为状态图；将所述的状态图简化得到简化的状态图，所述简化的状态图包括控制逻辑和运算逻辑；将所述简化的状态图中的...
- 贺敬凯
- 文献传递
- 多机串口通讯协议的设计被引量：2
- 2011年
- 本文首先介绍了电子设计大赛题目"模拟路灯控制系统"的设计任务及其实现,并详细介绍了多机通信时串口通讯协议的设计方法,并在Proteus中对该串口通讯协议进行了仿真验证,仿真结果表明,该串口通讯协议实现了相应的功能,同时该设计也在电子设计大赛的实践中得到了验证,效果良好。
- 贺敬凯潘晓宁王瑞春
- 关键词：多机通信通讯协议
- Si基Ge光电探测器的研制及性能分析
- 2012年
- 以Si衬底上外延Ge薄膜为吸收区,研究了Si基Ge光电探测器的材料生长与器件制作工艺,并对材料晶体质量和器件性能进行表征分析。Ge薄膜是采用低温缓冲层技术在超高真空化学气相沉积系统上生长的。1μm厚Ge薄膜的表面仅出现纳米量级的岛,表面粗糙度只有1.5 nm。Ge薄膜的X射线衍射峰形对称,峰值半高宽低于100 arc sec。Ge薄膜中存在0.14%的张应变。Si基Ge光电探测器在-1 V偏压时暗电流密度为13.7 mA/cm2,在波长1.31μm处的响应度高达0.38 A/W,对应外量子效率为36.0%,响应波长扩展到1.6μm以上。
- 周志文叶剑锋贺敬凯
- 关键词：光电探测器锗
