许桂生
- 作品数：69 被引量：112H指数：7
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市科学技术发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>
- 用于弛豫铁电单晶生长的料棒的制造装置及弛豫铁电单晶制造装置
- 本实用新型涉及一种用于弛豫铁电单晶生长的料棒的制造装置，所述装置包括原料熔融区和浇铸控制区，所述原料熔融区具有容纳弛豫铁单晶原料的容纳部和对所述容纳部进行加热的第一加热部；所述浇铸控制区包括供熔体流通过的浇铸控制主体和对...
- 刘锦峰许桂生朱秀陈梅林
- 文献传递
- 钛镁酸铋-钛酸铅基高温压电材料及其制备方法
- 本发明涉及一种钛镁酸铋‑钛酸铅基高温压电材料及其制备方法，所述钛镁酸铋‑钛酸铅基高温压电材料具有ABO<Sub>3</Sub>钙钛矿型复合氧化物结构，组成的化学式为(1‑x)Bi(Mg<Sub>1/2</Sub>Ti<S...
- 陈夏夏许桂生刘锦峰杨丹凤刘莹
- 文献传递
- 高居里温度弛豫基铁电单晶的研究进展
- 传统压电铁电材料已不能满足工业发展的需要,高居里温度弛豫基铁电单晶将是下一步铁电压电材料发展的趋势。PINT、PYNT、BSPT和BS-BG-PT单晶等几种高居里温度弛豫基铁电单晶的研究已经开展,它们均表现出优良的性能;...
- 段子青许桂生王晓锋杨丹凤
- 关键词：高居里温度单晶
- 文献传递
- 新型压电单晶PMNT的生长与铁电性能研究
- 该文在比较现有各种生长弛豫铁电单晶方法的技术特点与难点的基础上,认为目前在实验室阶段普遍使用的高温溶液法或其改进方法在通向产业化的目标上都将面临难以逾越的障碍;必须另辟蹊径,方可使弛豫铁电单晶在尺寸、质量与数量上满足新一...
- 许桂生
- 关键词：PMNT电畴结构铁电性能铁电相变
- 四方相PMNPT单晶的生长和结构
- 1997年
- 四方相ＰＭＮＰＴ单晶的生长和结构许桂生罗豪沈关顺齐振一乐秀宏李金龙仲维卓殷之文（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＧｒｏｗｔｈａｎｄＳｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＰＭＮＰＴＸｕＧｕｉｓｈｅｎｇＬｕｏＨａｏｓｕＳｈｅｎＧ...
- 许桂生沈关顺齐振一乐秀宏李金龙仲维卓殷之文
- 关键词：压电晶体晶体生长铁电体铌镁酸铅
- Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3单晶紫外可见近红外光学性质
- 2015年
- 通过温度依赖的透射和反射光谱研究了在准同型相界附近的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3(PMN-0.3PT)单晶光学性质.这种禁带宽度随温度范围不同变化规律不同现象,揭示了PMN-PT单晶温度依赖的复杂相结构.禁带宽度Eg在303 K是3.25 e V,临界点Ea是3.93 e V,临界点Eb是4.65 e V,它们随着温度的上升而下降,在453 K禁带宽度Eg是3.05 eV,临界点Ea是3.57 eV,临界点Eb是4.56 eV.这三个跃迁能量Eg、Ea、Eb分别对应从O 2p到Ti d、Ni d、Pb 6p轨道跃迁.它们随温度上升而下降的变化规律可以用晶格热膨胀和电子声子相互作用理论来解释.通过Tauc-Lorentz色散模型拟合得到了303 K到453 K温度范围的Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O3-0.3PbTiO_3单晶光学常数及其随温度的变化规律,发现折射率n随着温度的升高而升高.
- 诸佳俊张金中许桂生张小龙余温雷胡志高褚君浩
- 关键词：铁电单晶透射光谱反射光谱禁带宽度光学常数
- PMNPT晶体的结晶基元与生长机理被引量：2
- 1997年
- ＰＭＮＰＴ晶体的结晶基元与生长机理罗豪沈关顺齐振一许桂生王评初乐秀宏李金龙仲维卓殷之文（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＧｒｏｗｔｈＵｎｉｔｓａｎｄＧｒｏｗｔｈＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＰＭＮＰＴＣｒｙｓｔａｌｓＬｕｏＨａｏｓｕＳｈｅｎＧ...
- 沈关顺齐振一许桂生王评初乐秀宏李金龙仲维卓殷之文
- 关键词：晶体生长铁电体
- 新型压电单晶PMNT的下降法生长及晶体完整性
- 2000年
- 新型压电单晶PMNT具有十分优异的压电性能 ,用Bridgman法生长的PMNT单晶的电容率ε可达 5 5 0 0左右 ,纵向压电应变常量d3 3 可达 2 5 0 0pC/N以上 ,机电耦合因数k3 3 可达 93% ,kt可达 6 4 % ,机械品质因数Qm 低至 5 0～ 6 0。用该晶体取代传统的PZT系陶瓷制作成接受型超声换能器探头中的压电元件 ,可望使器件的图像分辨率与频带宽度大为提高 ,进而产生更新换代的变化。因此该类弛豫型铁电单晶在国际铁电界与晶体生长界引起了广泛的关注。然而 ,由于生长体系的组分复杂、晶相的热稳定性差 ,也由于传统生长方法的缺陷 ,包括PMNT ,PZNT与PSNT在内的这类单晶的生长仍处于实验室阶段 ,单晶的尺寸与性能难以保持稳定 ,从而阻碍了晶体的大规模开发与应用。本文在对PMN PT体系相图、相结构与相稳定性的分析与测试的基础上 ,结合对晶体生长机制的理论分析 ,找到了适宜PMNT单晶生长的方法———Bridgman法。该方法通过利用籽晶生长有效地控制了自发成核 ;通过对固液界面形状与位置的控制保持了晶体生长过程的稳定。尺寸达40× 80mm的、纯钙钛矿相的、三方或四方结构的PMNT单晶已生长出来。对PMNT单晶的完整性进行了分析研究。该晶体的组分不均匀性通过铁电性能 ,如电容率ε及压电常量d3 3 等灵敏地显示出来 ,?
- 许桂生罗豪更生齐振一徐海清仲维卓殷之文
- 关键词：PMNT布里奇曼法
- 一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的制备方法
- 本发明涉及一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的制备方法，所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1-<i>x</i>)Bi(Mg<Sub>1/2</Sub>Ti<Sub>1/2</S...
- 刘锦峰许桂生杨丹凤陈夏夏
- 文献传递
- PMNPT单晶的电畴结构
- 1997年
- 弛豫型铁电体ＰＭＮＰＴ晶体，它是由铌镁酸铅［（Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，简写为ＰＭＮ］和钛酸铅（ＰｂＴｉＯ３简写为ＰＴ）组成的固溶体晶体材料。ＰＭＮＰＴ具有钙钛矿结构，晶体的高温顺电相为立方结构；低温铁电相的结构和组成与ｘＰＭＮ－（１－ｘ）ＰＴ中ｘ的大小有关，从晶体中负离子配位多面体角度分析，由于晶体中的ＮｂＯ６和ＭｇＯ６八面体的多少可以在晶体中出现一个四方－三方相共存的准同型相界结构，在ＮｂＯ６和ＭｇＯ６八面体数量较多时晶体为四方结构，数量较小时为三方相结构。增加ＰＴ的含量，可以提高ＰＭＮＰＴ弛豫型铁电相变的居里温度（Ｔｃ）。通过调节ＰＴ的含量大小量，我们生长出了Ｔｃ约１８０℃的ＰＭＮＰＴ晶体，它的低温铁电相为四方结构。由于生长出来的ＰＭＮＰＴ晶体降温通过居里点时，发生弛豫性铁电相变，晶体内部的载流子浓度不能完全补偿相变时，多种八面体沿晶体ａ、ｂ或ｃ轴相反方向拉伸所产生自发极化而造成的晶体内部电场的变化，便形成ＰＭＮＰＴ晶体内自发极化方向相反的１８０℃多畴结构。另一方面ＰＭＮＰＴ晶体结构中，ＮｂＯ６，ＭｇＯ６和ＴｉＯ６八面体在发生顺电－铁电相变过程中，由于它们沿晶体ａ、ｂ或ｃ轴不断拉伸，使晶格发生?
- 张冰阳沈关顺齐振一许桂生王评初乐秀宏李金龙仲维卓殷之文
- 关键词：铁电体电畴结构弛豫型铁电体铌镁酸铅
