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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇光纤
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇选择性
  • 1篇通信
  • 1篇陀螺
  • 1篇金属化
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  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀技术
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  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇INGAAS...

机构

  • 3篇重庆光电技术...

作者

  • 3篇计敏
  • 2篇朱志文
  • 2篇杨璠
  • 1篇李金良
  • 1篇罗江财
  • 1篇陈其道
  • 1篇易向阳
  • 1篇唐祖荣

传媒

  • 3篇半导体光电

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1991
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
1.3μm InGaAsP/InP全金属化耦合封装侧面发光二极管
1991年
本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。
朱志文李金良计敏伍锋邓履清杨璠
关键词:光纤通信发光二极管金属化封装
InGaAsP/InP系选择性刻蚀技术
1994年
比较了用于了InGaAsP/InP系的几种腐蚀液的选择性刻蚀效果并给出了最佳选择性刻蚀条件。
计敏
关键词:刻蚀技术INGAASPINP选择性
1.3μm波长超辐射发光二极管组件被引量:5
1995年
光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管(SLD)。采用SLD作为光源,光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。SLD是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验,确定了器件的结构,在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用14针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括SLD、光监视用PIN光探测器、热敏电阻和半导体致冷器,可通过外电路对组件实现温控、光控,以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于300μW,最大超过700μW,光谱宽度大于30nm。
朱志文蔡开清杨璠计敏易向阳唐祖荣陈其道罗江财
关键词:发光二极管传感器光纤陀螺半导体器件
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