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计敏
作品数:
3
被引量:5
H指数:1
供职机构:
重庆光电技术研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杨璠
重庆光电技术研究所
朱志文
重庆光电技术研究所
唐祖荣
重庆光电技术研究所
易向阳
重庆光电技术研究所
陈其道
重庆光电技术研究所
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发光二极管
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半导体
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INGAAS...
机构
3篇
重庆光电技术...
作者
3篇
计敏
2篇
朱志文
2篇
杨璠
1篇
李金良
1篇
罗江财
1篇
陈其道
1篇
易向阳
1篇
唐祖荣
传媒
3篇
半导体光电
年份
1篇
1995
1篇
1994
1篇
1991
共
3
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1.3μm InGaAsP/InP全金属化耦合封装侧面发光二极管
1991年
本文报导1.3μm InGaAsP/InP内条限制部分注入全金属化耦合封装侧面发光二极管的结构、制作及器件特性。在100mA工作电流下,器件尾纤出纤功率典型值40μW,最大超过60μW,光谱宽度70nm,上升/下降时间小于2.5ns。该器件是中短距离,中小容量光纤通信系统和光测量系统的理想光源。
朱志文
李金良
计敏
伍锋
邓履清
杨璠
关键词:
光纤通信
发光二极管
金属化
封装
InGaAsP/InP系选择性刻蚀技术
1994年
比较了用于了InGaAsP/InP系的几种腐蚀液的选择性刻蚀效果并给出了最佳选择性刻蚀条件。
计敏
关键词:
刻蚀技术
INGAASP
INP
选择性
1.3μm波长超辐射发光二极管组件
被引量:5
1995年
光纤陀螺用关键器件之一是超辐射发光二极管(SLD)。采用SLD作为光源,光纤陀螺可达到高精度、高灵敏度、高稳定性、低噪声的目的。SLD是一种以内部单程增益为特征的光发射器件。表征器件性能的主要技术参数指标是输出功率和光谱宽度。通过理论分析和实验,确定了器件的结构,在研制过程中解决了外延生长、端面镀膜等关键技术。组件采用14针双列直插式管壳、标准单模光纤耦合封装。组件包括SLD、光监视用PIN光探测器、热敏电阻和半导体致冷器,可通过外电路对组件实现温控、光控,以便组件能长期稳定工作。组件尾纤输出功率大于300μW,最大超过700μW,光谱宽度大于30nm。
朱志文
蔡开清
杨璠
计敏
易向阳
唐祖荣
陈其道
罗江财
关键词:
发光二极管
传感器
光纤陀螺
半导体器件
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