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袁璟

作品数:7 被引量:19H指数:3
供职机构:清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇显示器
  • 6篇场发射显示
  • 5篇场发射显示器
  • 3篇有限元
  • 3篇有限元方法
  • 3篇元方法
  • 2篇机械强度
  • 1篇真空获得
  • 1篇支撑方案
  • 1篇排气
  • 1篇平板显示
  • 1篇平板显示器
  • 1篇驱动电路
  • 1篇显示器件
  • 1篇消气剂
  • 1篇芯片
  • 1篇离子溅射
  • 1篇离子注入
  • 1篇漏率
  • 1篇计算机

机构

  • 7篇清华大学

作者

  • 7篇袁璟
  • 6篇李德杰
  • 6篇杜秉初
  • 4篇张军
  • 1篇胡思正

传媒

  • 4篇真空科学与技...
  • 1篇电子技术(上...
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 4篇2002
  • 3篇2001
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
场发射显示器件中真空获得和维持工艺的改进被引量:2
2002年
真空的获得和维持是目前FED研究工作中存在的主要困难之一。本文研究了在现有的传统封接排气以及消气工艺的实验条件下 ,进行了多种工艺改进 :设计了一种新型的三层FED器件结构 ,在这种结构中 ,实现了蒸散型消气剂和非蒸散型消气剂的共同使用 ;并采用了气体保护 ,以及电子轰击去气等有效措施 ,实现了FED器件内部持久的高真空度 ,为FED阴极高稳定。
张军袁璟杜秉初李德杰
关键词:场发射显示器件场发射显示排气
场发射显示器中消气剂使用的若干问题
2002年
在场发射显示器 (FED)中使用消气剂 ,是维持FED内部真空度的最主要的手段 ,对延长FED的工作寿命起着重要作用。本文首先从抽气平衡方程推导得到了检验FED漏率是否合格的判别公式 ,并从此判别公式出发 ,对真空环境和FED工作寿命之间的关系进行了计算。文中提出了一种新型的器件封装结构的方案 ,实现了蒸散型和非蒸散型消气剂 (NEG)的同时使用 ,对延长FED ,特别是大屏幕FED的工作寿命 。
袁璟杜秉初李德杰
关键词:场发射显示器消气剂漏率工作寿命封装结构
场发射阵列发射性能下降机制分析被引量:6
2002年
场发射阵列 (FEA)发射性能的下降是场发射显示 (FED)研究中普遍遇到的一个问题 ,研究FEA发射性能下降的机制对于推进FED进展具有重要意义。阴极氧化、溅射损伤和离子注入是目前提出的三种解释。对这三种解释进行了进一步的分析和讨论 ,认为目前的实验工作还不足以充分说明哪种机制在FEA发射性能下降中占据主导地位 。
袁璟杜秉初李德杰
关键词:场发射显示离子注入离子溅射
大面积场发射显示器支撑方案的计算机模拟被引量:5
2001年
场发射显示器 (FED)的支撑结构用来抵抗器件外部大气压对阴阳极板造成的形变影响。预先确定和优化支撑系统方案 ,对于降低大面积FED器件制造成本是十分重要的。本文通过有限元分析方法 ,对 40英寸 ,长宽比 4∶3,采用墙式支撑条和 2mm厚阴阳板的FED器件的支撑方案进行了模拟计算。通过给出 170mm支撑墙在不同摆放位置情况下的极板应力以及形变分布 ,最后确定了二种可实际用于器件的支撑方案。
袁璟张军李德杰杜秉初
关键词:场发射显示器有限元方法
场发射显示器支撑墙机械强度的计算与分析被引量:3
2002年
计算了几种不同材料支撑墙在不同承压和允许倾斜角度范围内的应力和形变分布。计算结果表明 ,采用热压氮化硅或氧化锆陶瓷制作的支撑墙具有足够高的机械强度 ,是支撑墙材料的较好选择。
袁璟张军李德杰杜秉初
关键词:场发射显示器机械强度场发射显示有限元方法
场发射显示器支撑墙机械强度的计算与分析
计算了几种不同材料支撑墙在不同承压和允许倾斜角度范围内的应力和形变分布.计算结果表明,采用热压氮化硅或氧化锆陶瓷制作的支撑墙具有足够的机械强度,是支撑墙材料的较好选择.
袁璟张军李德杰杜秉初
关键词:有限元方法场发射显示器机械强度
文献传递
高压串并转换器芯片HV5308在新型平板显示器驱动电路中的应用被引量:4
2001年
文章介绍了高压串并转换器芯片HV530 8的基本特性和工作原理 ,以及其在新型场助热电子发射显示器驱动电路中的应用。
张军胡思正袁璟
关键词:驱动电路平板显示器
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