薛守迪
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺电气工程更多>>
- 退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响被引量：4
- 2011年
- 采用射频反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,采用X线衍射(XRD)、X线光电子能谱(XPS)分析方法研究了退火对ZnO薄膜结构及缺陷的影响。结果表明,随着退火温度的上升,薄膜的择优取向及取向一致性更好,晶化程度增高,晶粒尺寸变大。退火使更多的Zn间隙原子回到晶格位置,并弥补薄膜中氧的不足,且高温退火易引起氧的解析,三者相互作用使晶面间距随着退火温度的上升而逐渐变小,压应力变大,ZnO中的O含量逐渐减少,Zn/O的原子比逐渐接近于1。
- 解群眺毛世平薛守迪
- 关键词：ZNO薄膜退火温度
- 衬底温度对AlN薄膜结构及电阻率的影响被引量：3
- 2011年
- 采用直流反应磁控溅射法在Si(111)基片上制备了AlN薄膜,利用XRD、原子力显微镜(AFM)、电流-电压(I-V)测试仪等对不同衬底下制备薄膜的结构、形貌及电阻率等进行了分析表征。结果表明:随着衬底温度的升高,晶粒逐渐长大,AlN(002)择优取向明显改善,600℃达到最佳。一定范围内提高温度使晶粒均匀、致密,有利于改善表面粗糙情况和提高电阻率,550℃时表面粗糙度达到最低(2.8 nm)且有最大的电阻率(3.35×1012Ω.cm);同时薄膜应力随温度升高有增大趋势。
- 薛守迪杨成韬解群眺毛世平
- 关键词：AIN薄膜衬底温度XRD
- 基于FPGA自适应数字频率计的研究与设计
- 介绍一种基于计数法测频原理和FPGA设计思想，利用VHDL硬件描述语言设计自适应数字频率计的方法。此系统设计自顶向下，采用模块化单元构建，实现自动清零，自动换量程和超量程报警功能，被测频率在1KHZ以上时测试精度达到99...
- 解群眺叶璟欣李珣薛守迪
- 关键词：可编程逻辑器件VHDL语言系统设计
- 文献传递
- LY12铝合金表面阳极氧化膜的制备、分析及耐磨性被引量：2
- 2010年
- 为了进一步提高铝合金的表面性能,以微弧氧化为参考,改进传统阳极氧化工艺,制备了氧化膜。对氧化膜的厚度、微观形貌、元素进行了测试和分析,并定性研究了4种工艺参数对膜质量的影响,最后通过磨损试验对膜的耐磨性进行了验证。结果表明:在交流电电流密度为4.5A/dm2,电解液(H2SO4)质量分数为15%,温度为10～15℃时反应40min,获得到的氧化膜耐磨性优良。
- 薛守迪杨成韬孟璐璐
- 关键词：硬质阳极氧化铝合金耐磨性微观形貌
