蔡建旺
- 作品数：76 被引量：237H指数：8
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 多层膜中非易失性斯格明子的生成方法
- 本发明提供了一种多层膜中非易失性斯格明子的生成方法，所述多层膜包括依次堆叠的第一重金属层、铁磁层和第二重金属层，所述第一重金属层和第二重金属层为两种不同的金属膜，所述第一重金属层和第二重金属层在与所述铁磁层的界面处诱导产...
- 张颖何敏李刚蔡建旺谷林沈保根
- 文献传递
- 具有叠层铁磁层的钉扎薄膜
- 本实用新型涉及具有叠层铁磁层的钉扎薄膜，该钉扎薄膜包括一由硅或玻璃做成的基片和在基片上设置的一由Ta或(Ni<Sub>X</Sub>Fe<Sub>100－X</Sub>)<Sub>Y</Sub>Cr<Sub>100－Y<...
- 代波蔡建旺赖武彦
- 文献传递
- 重金属缓冲层和覆盖层对TbFeCo超薄膜磁性及热稳定性的影响
- 2023年
- 非晶态稀土-过渡金属合金亚铁磁薄膜具有很强的垂直磁各向异性、超快的磁矩翻转速度以及磁矩和角动量补偿的特性,是当前自旋电子学以及超快信息存储领域的重要研究对象.本文采用磁控溅射制备了系列X/Tb_(x)(Fe_(0.75)Co_(0.25))_(1-x)/X三明治结构薄膜(0.13≤x≤0.32,X=SiO_(2),Pt和W),系统地研究了重金属Pt,W作为TbFeCo超薄膜的缓冲层和覆盖层(统称包覆层)对其室温下磁性和热稳定性的影响.实验结果显示,被SiO_(2)包覆的TbFeCo薄膜具有垂直磁各向异性,磁矩补偿成分在0.21
- 刘骏杭朱照照毕林竹王鹏举蔡建旺
- 关键词：垂直磁各向异性热稳定性
- 磁电子学与全金属计算机被引量：1
- 1997年
- 本文介绍了磁学研究前沿———基于磁性金属多层膜的磁电子学，将对基于半导体的微电子学带来的影响。较详细地说明了磁电子器件在随机存取存储器、读出磁头、自旋晶体管及逻辑元件方面的应用。从而说明不用半导体集成电路的全金属计算机的出现。从原理上是完全可能的。
- 蔡建旺赵见高
- 关键词：磁电子学磁性多层膜
- 人工反铁磁spin flop导致的大磁场下的高灵敏各向异性磁电阻
- 邹吕宽蔡建旺
- 磁电子学器件应用原理被引量：50
- 2006年
- 本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理,包括巨磁电阻与隧穿磁电阻传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素,目前大都还处在概念型阶段,本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。
- 蔡建旺
- 关键词：巨磁电阻隧穿磁电阻自旋转移
- 磁性斯格明子的电流调控研究
- 具有拓扑稳定行为的纳米磁性斯格明子(skyrmion)具有极低的驱动电流和极高的运动速度，其自旋拓扑磁结构有望成为高密度、高速度、低能耗的磁信息存储单元。我们的中心对称结构MnNiGa合金材料在极宽温区100K-340K...
- 彭丽聪张颖何敏王文洪蔡建旺沈保根
- 关键词：SKYRMION
- 一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法
- 本发明涉及一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该钉扎材料包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一第二铁磁层及设在其上的一保护层，其中还包括一设于缓冲层上的引导层、一设于引导层上的反铁磁层、一设于反铁磁层上的第一...
- 代波蔡建旺赖武彦
- 文献传递
- 一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法
- 本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎体系及其制备方法，该钉扎体系包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一被钉扎的铁磁层以及一作为钉扎材料的反铁磁层和设于其上的保护层。其制备方法是在基片上依次沉积各层并通过真空退火得到该钉...
- 代波蔡建旺赖武彦
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- W-B合金材料及基于自旋-轨道力矩的自旋电子器件
- 本发明提供一种W‑B合金材料，其具有以下化学式：W<Sub>1‑x</Sub>B<Sub>x</Sub>，其中0.03≤x≤0.3。本发明还提供一种基于自旋‑轨道力矩的自旋电子器件，包括基片、核心层、非晶铁磁层和氧化物势...
- 李刚蔡建旺
- 文献传递
