翟章印
- 作品数：65 被引量：11H指数：2
- 供职机构：淮阴师范学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺机械工程文化科学更多>>
- 一种氧化镉基透光波段可调的导电薄膜制备方法
- 本发明提供了一种氧化镉（CdO）基透光波段可调的导电薄膜制备方法。该方法的核心技术是导电薄膜的透光波段与导电薄膜中铟（In）组分的含量相关，In组分含量的变化与磁控溅射靶材、溅射功率，与靶材和基片之间的距离相关，导电薄膜...
- 陈贵宾翟章印贾建明于海春华正和赵金刚
- 文献传递
- 一种光敏电阻的散热结构
- 本实用新型公开了一种光敏电阻的散热结构，它包含陶瓷基座(1)，该陶瓷基座(1)的外面套设有一圈金属壳(2)，所述陶瓷基座(1)的底部设置有一个底板(3)，所述金属壳(2)的底部向外径向延伸出一圈定位槽(4)，该定位槽(4...
- 翟章印马春林陈贵宾
- 文献传递
- 一种光学镜片入框装置
- 本实用新型公开了一种光学镜片入框装置，包括安装箱、控制按钮、第一电机、载入机构、镜托、连接弹簧、定位套和固定机构，所述安装箱的顶部嵌入安装有控制按钮，所述安装箱的一侧通过连接弹簧安装有定位套，所述控制按钮的一侧通过螺栓安...
- 臧婷玉翟章印
- 文献传递
- Er^3+单掺与Er^3+/Yb^3+共掺NBT-CT无铅压电陶瓷的上转换发光性能研究被引量：2
- 2021年
- 采用固相烧结法制备一系列Er^3+单掺与Er^3+/Yb^3+共掺0.96Na0.5Bi0.5TiO3-0.04CaTiO3(NBT-CT∶xEr^3+/y Yb^3+,x=0.002~0.015,y=0.010)无铅压电陶瓷。通过X射线衍射仪和荧光光谱仪分别对样品的物相结构和上转换发光特性进行表征和分析。结果表明,样品的主晶相为NBT晶相。在波长为980 nm的近红外光激发下,Er^3+单掺与Er^3+/Yb^3+共掺NBT-CT陶瓷均呈现强的以绿光为主的Er^3+特征上转换发光。在NBT-CT∶xEr^3+中,当x=0.010时上转换发光性能最佳;Yb^3+能够起到敏化作用,明显增强Er^3+的上转换发光强度。
- 马春林周越马晨宇董倩文吴瑾范雨香翟章印
- 关键词：无铅压电陶瓷ER^3+/YB^3+固相烧结法上转换发光
- 氧化镉镁合金透明导电薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种氧化镉镁合金透明导电薄膜，该薄膜采用磁控溅射技术，设计合理的溅射参数制备而成。磁控溅射的靶材为氧化镉和氧化镁，薄膜中镁的原子数百分比组分含量值x为：0≤x＜0.5；薄膜厚度为：170—290nm。本发明研...
- 陈贵宾贾建明于海春翟章印华正和赵金刚
- 文献传递
- 一种用于中型望远镜高度调节装置
- 本发明涉及望远镜设备技术领域，公开了一种用于中型望远镜高度调节装置，包括支撑架、伸缩杆、安装杆；位于竖板上方的支撑架的上部设置有一组横向的安装杆，所述竖板的左侧壁中下部转动连接有一组朝向安装杆左侧倾斜的电动伸缩杆一,电动...
- 边心田左芬程菊翟章印
- 文献传递
- 一种新品n型半绝缘GaAs欧姆接触电极材料及其制备方法
- 本发明提出了一种新品n型半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料及其制备方法。该方法所述电极底层采用未掺杂的n型半绝缘GaAs基片，基片上的两个电极区上，采用脉冲激光沉积法镀有钴（Co）掺杂的非晶碳膜（a-C），非晶碳膜层上再采...
- 翟章印胡小飞陈贵宾
- 文献传递
- 用于测定距离的光学测量系统
- 本发明公开了用于测定距离的光学测量系统，涉及测量器具技术领域，本方案通过误差修正器与检测端的配合，核定器能够获取环境误差数据并进行多点平均校准，从而消除大气干扰，提高了测量的准确性和可靠性。同时，整合了高精度的光学系统，...
- 边心田左芬程菊翟章印
- 一种光学器件真空防尘装置
- 本实用新型提供一种光学器件真空防尘装置，包括第一搭扣锁、密封塞、密封盖、轴承座以及电动液压支腿，第一搭扣锁固定在放置箱前端面左侧，密封盖安装在放置箱上端面，密封盖通过合页与放置箱转动连接，该设计解决了原有光学器件储存装置...
- 臧婷玉翟章印
- n型GaAs欧姆接触电极制备工艺
- 2022年
- 目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500℃时可得到很小的比接触电阻率(10^(-6)Ω·cm^(2)),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。
- 左芬翟章印
- 关键词：砷化镓欧姆接触离子溅射比接触电阻率
