翟文杰
- 作品数：75 被引量：232H指数：8
- 供职机构：哈尔滨工业大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省博士后基金哈尔滨市科技创新人才研究专项资金更多>>
- 相关领域：机械工程金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 铜互连芯片高效平整的微观摩擦电化学机理与技术关键
- 翟文杰
- 针对铜互连芯片基材，采用电化学测试方法定量研究了不同浓度络合剂基液及腐蚀抑制剂下不同极化条件对铜阳极钝化膜的影响，优选了电解液配方及极化条件。通过在该电解液中的ECMP模拟实验，对铜ECMP工艺进行了优化，揭示了电化学工...
- 关键词：
- 人工髋臼厚度优化设计（二）
- 2010年
- 对于厚度6mm的人工髋臼，改变配合间隙，经有限元分析后得到最大接触应力及接触区域与间隙之间的关系（表1），其中Фt为交际接触边缘点所对应的Ф角。
- 朱宝全翟文杰Ji-yuan Wang
- 关键词：优化设计厚度髋臼有限元分析接触应力接触区
- 圆平动化学机械研抛过程的流体动力性能分析被引量：1
- 2006年
- 根据圆平动化学机械研抛(C ircular-translational-moving Chem icalMechan ical Polishing,CTM-CMP)的运动关系,建立了极坐标下非稳态流体膜厚方程和非稳态下牛顿流体在CTM-CMP过程中的润滑方程。利用有限差分法数值求解获得了瞬时工件与研抛盘间的压力分布和膜厚分布,分析了压力积分载荷、倾覆力矩与研抛速率及姿态角的变化关系。结果表明CTM-CMP过程易于形成负压,有利于提高研磨效率。随着研抛速率的增加,承载能力和倾覆力矩线性增加;随着倾角的增加,承载能力和倾覆力矩非线性增大。分析结果有助于指导CTM-CMP的应用。
- 刘昌雄翟文杰
- 关键词：化学机械抛光流体润滑负压
- 硬脂酸铝液润滑下的GCr15/45副的电摩擦性能被引量：8
- 2004年
- 通过辅助电极 ,考察了不同极性、不同幅值的电压对 0 4%硬脂酸铝液润滑下的GCr15 /4 5副的电摩擦性能。结果表明 :工作电极上施加负电压时 ,系统的摩擦系数显著升高。随着负电压幅值增高 ,摩擦系数的增加幅度也相应加大 ;而施加正电压对摩擦系数没有影响。随着外加电压幅值增加 ,GCr15钢球的磨痕直径增大 ;正电压作用下 ,磨痕直径比同幅值下负电压作用时的小。用电化学反应所生成的皂化膜的吸附特性解释了系统的电摩擦性能。
- 翟文杰田颖王闯
- 关键词：边界膜润滑
- 一种水基切削液的电控摩擦性能
- 2003年
- 在改进的球盘式摩擦磨损试验机上,采用辅助电极的加压方法,考察了不同极性、不同幅值的电压对一种水基切削液润滑的GCr15/45钢副摩擦系统摩擦磨损性能的影响。结果表明该水基切削液具有较好的电控摩擦性能。外加电压的极性和幅值对摩擦副电摩擦性能有明显的影响,其作用效果主要取决于系统电化学反应形成的边界膜的性质。
- 田颖翟文杰
- 关键词：水基切削液边界膜
- T91钢的多颗粒冲蚀磨损仿真研究
- 用光滑质点动力学(SPH)方法建立多个SiC颗粒对高温锅炉用钢T91冲蚀的SPH-FEM耦合模型,并对冲蚀次数、冲蚀角、冲蚀速度对T91冲蚀特性的影响规律进行了仿真分析.结果表明:冲蚀率随冲蚀速度增加而增大;冲蚀坑深度随...
- 翟文杰刘鲁宁
- 关键词：残余应力
- 文献传递
- 考虑双电层作用的电化学边界摩擦模型被引量：3
- 2004年
- 以外加电作用下的边界摩擦系统为对象 ,提出了考虑双电层作用的电化学边界摩擦理论模型 ,为涉及电加工等场合下的摩擦磨损研究提供了理论依据。
- 王闯翟文杰
- 关键词：电化学双电层电加工润滑模型
- 电势对硅片摩擦电化学材料去除特性的影响被引量：3
- 2014年
- 为了提高硅片抛光效率,改善抛光表面质量,采用电化学交流阻抗谱法实验研究了极化电势对硅片表面钝化作用的影响规律,结合摩擦电化学实验探讨了极化电势对硅片表面摩擦系数及材料去除特性的影响.结果表明,在碱性CeO2抛光液中,对硅片施加1 V阳极极化电势能够促进其表面形成抑制腐蚀的钝化层,极化电势过高会破坏表面钝化层,过低则抑制钝化层形成.良好的硅片表面钝化层能够有效增大其摩擦系数,提高摩擦电化学实验过程中的材料去除率.
- 王金虎翟文杰
- 关键词：硅片钝化
- 外加交变电势对摩擦力影响的试验研究被引量：5
- 1997年
- 对（Ｃｕ－４３Ｎｉ）／Ｃｒ，（Ｃｕ－４３Ｎｉ）／ＴｉＮ和（Ｃｕ－４３Ｎｉ）／ＮｉＰ这３种摩擦副摩擦产生的热电势信号作了频谱分析，并对三者进行了施加不同特性的交变电势信号的摩擦试验．结果表明，将交变电势施加于３种摩擦副均可降低摩擦力，降低程度与所加电势的幅值、波形及频率特性有关．
- 陈仁际齐毓霖翟文杰
- 关键词：热电势摩擦力金属摩擦副
- 碳化硅超声-电化学机械抛光试验研究被引量：5
- 2019年
- 为探究超硬脆碳化硅(Si C)材料的高效研抛方法,分别应用铸铁抛光盘、聚氨酯抛光盘、半固结磨粒抛光盘在自来水、KOH溶液、芬顿反应液3种研抛液中通过控制变量法对Si C进行了超声-电化学机械研抛试验,得到以试件材料去除率和表面质量为评价指标的优化抛光工艺参数.试验结果表明:使用铸铁抛光盘时材料去除率高,但表面质量差;使用半固结磨粒抛光盘时表面质量最好,但材料去除率低;芬顿反应液对提高试件的材料去除率效果最好;在试件与抛光盘之间的电压为+10 V时,试件的材料去除率最高,比无电压时提高了55.1%;当试件保持环施加超声振动后,比无超声时材料去除率提高了91.7%,可见超声振动对Si C试件抛光起主要作用.
- 翟文杰翟权
- 关键词：碳化硅超声电场机械抛光材料去除率表面粗糙度
