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罗贤树

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇微盘激光器
  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇半导体
  • 3篇刻蚀
  • 3篇刻蚀深度
  • 2篇晶格
  • 2篇激射
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇TM模
  • 1篇有效折射率
  • 1篇有效折射率法
  • 1篇折射率
  • 1篇散射
  • 1篇散射矩阵
  • 1篇上光
  • 1篇品质因子
  • 1篇微腔
  • 1篇谐振腔

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇罗贤树
  • 3篇黄永箴
  • 3篇陈沁
  • 2篇杨跃德

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
半导体微盘谐振腔的模式特性研究
半导体微腔激光器具有高集成度、低阈值、低功耗等优点，在光通信、光互联和光神经网络等方面有广阔的应用前景。半导体微盘激光器作为最早发展起来的微腔激光器，已成为各国科学家研究的热点。　　 半导体微盘激光器的数值分析是器件制...
罗贤树
关键词：微盘激光器散射矩阵有效折射率法
基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器
本发明一种基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器，其特征在于，该结构包括：一衬底；一下限制层，该下限制层生长或键合在衬底上，采用同种材料或晶格匹配的材料，该下限制层的上半部经刻蚀成为圆柱形结构；一有源区，该有源区制作在下...
杨跃德黄永箴罗贤树陈沁
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基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器
本发明一种基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器，其特征在于，该结构包括：一衬底；一下限制层，该下限制层生长或键合在衬底上，采用同种材料或晶格匹配的材料，该下限制层的上半部经刻蚀成为圆柱形结构；一有源区，该有源区制作在下...
杨跃德黄永箴罗贤树陈沁
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制作半导体微盘激光器的方法
本发明一种制作半导体微盘激光器的方法，包括如下步骤：(1)在清洗干净的结构片表面涂上光刻胶；(2)通过光刻和显影技术，将所需的图形转移到光刻胶上；(3)通过非选择性湿法腐蚀或者干法刻蚀，根据模式频率及品质因子与刻蚀深度的...
罗贤树黄永箴陈沁
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