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罗恩泽

作品数:54 被引量:62H指数:4
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 44篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 28篇电子电信
  • 18篇理学
  • 7篇电气工程
  • 7篇一般工业技术
  • 2篇自然科学总论

主题

  • 17篇真空微电子
  • 14篇场致发射
  • 10篇导体
  • 9篇电子器件
  • 9篇真空微电子器...
  • 9篇微电子
  • 9篇微电子器件
  • 9篇高温超导
  • 9篇高温超导体
  • 9篇超导
  • 9篇超导体
  • 7篇真空微电子学
  • 7篇微电子学
  • 7篇显示屏
  • 7篇场发射
  • 5篇金属
  • 5篇二极管
  • 4篇阴极
  • 3篇电流
  • 3篇电子能

机构

  • 40篇西安电子科技...
  • 10篇西北工业大学
  • 7篇山东工程学院
  • 5篇山东理工大学
  • 3篇西安电子工程...
  • 2篇西安交通大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 50篇罗恩泽
  • 12篇刘云鹏
  • 12篇张连俊
  • 11篇刘卫东
  • 4篇刘卫东
  • 4篇郑茂盛
  • 3篇李存志
  • 2篇彭荣群
  • 2篇徐力
  • 2篇郑修麟
  • 2篇王鼎盛
  • 2篇吴正军
  • 1篇刘永强
  • 1篇刘卫东
  • 1篇田丰
  • 1篇赵彤
  • 1篇郑茂盛
  • 1篇赵立芳

传媒

  • 12篇电子器件
  • 6篇低温与超导
  • 5篇真空电子技术
  • 4篇现代显示
  • 3篇电子学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇云南大学学报...
  • 2篇大学物理
  • 2篇第七届中国真...
  • 2篇第五届全国场...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国科学(A...
  • 1篇计算物理
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇山东电子
  • 1篇微电子学
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇彩色显像管
  • 1篇第八届中国场...
  • 1篇第七届中国真...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
  • 7篇1999
  • 4篇1998
  • 2篇1997
  • 3篇1996
  • 14篇1994
  • 5篇1993
  • 3篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
  • 1篇1985
54 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高温超导体光场发射研究
1999年
】在低于场致发射电场阈值的场强作用下,发射体受脉冲激光照射时将会产生光场发射。文中对高温超导体临界温度以上光场发射电流做了一定的研究,并与一般的场致发射电流做了一些比较。
张连俊田丰罗恩泽
关键词:超导体场致发射高TC
Fowler-Nordheim公式用于实际场发射体的修正被引量:4
1996年
Fowler-Nordheim公式是一个在理想条件下推导的计算场致发射电流的公式。对场发射体的实验测量表明:实测结果往往比根据Fowler-Nordheim公式计算的结果大很多,说明这一理想化了的公式应用于实际场发射体时,必须给予修正。本文讨论了产生这一问题的原因,并提出了合理的定量修正方法。
罗恩泽刘云鹏刘卫东陈陆君郑茂盛
关键词:场致发射
键座渗流与稀磁体系的相变
1991年
本文首先将键渗流和座渗流中的普适关系加以推广,建立了键座渗流的相界关系;接着研究了稀磁体系的相变问题,应用Potts模型,推出稀磁体系的铁磁-顺磁和反铁磁-顺磁相交的相界关系。与已往文献中处理这类问题所采用的级数法、有限集团近似、数值模拟和重整化群等方法相比,本文所给出的解析式具有使用方便、简单、物理概念清晰,且较为精确等优点.
郑茂盛刘云鹏罗恩泽
关键词:相变POTTS模型
高温超导体的场致发射研究被引量:1
1997年
考虑到场穿透引起的逸出功变化,修正了高温超导体材料的场致发射电流密度公式和高温超导体材料的场致发射电子能量分布公式。当考虑到发射体表面的原子级不平整对电场的影响时,利用公式计算的结果与实验结果基本符合。
张连俊罗恩泽
关键词:高温超导体电流密度电子能谱场致发射
楔形发射体的电子场发射理论
1994年
本文提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例;该理论以单原子发射点假设为基础,用经典电动力学方法计算楔形发射体的隧道势垒,然后用Numerov方法计算其透射系数,最后用到场发射体伏安特性。
刘卫东郑修麟刘云鹏罗恩泽
关键词:场发射真空微电子学
真空微电子器件的场发射理论计算模型被引量:1
1994年
本文建立了个真空微电子器件场发射理论计算模型;
刘卫东郑修麟刘云鹏罗恩泽
关键词:场发射真空微电子器件
Spindt三极管静电场分析被引量:3
1994年
本文利用计算机数值分析,得到了一组Spindt三极管的发射尖端几何因子的计算公式;计算了器件内的场分布,对一组较典型的结构参数绘出了等势线。
刘永强刘卫东刘云鹏罗恩泽
关键词:真空微电子学
稀磁体系相变的相界关系
1990年
本文将纯键和纯座逾渗的普适关系作了推广,建立了键座混合逾渗的相界关系,并讨论了稀磁体系相变问题,给出了稀磁体系相变的相界关系,与以往文献中所给出的级数展开、有限集团近似,以及数值模拟等方法相比较,本文所给出的关系式简单、直观、物理概念清晰,且较为精确。
郑茂盛刘云鹏罗恩泽
关键词:相变相界
非平衡态对高温超导体场致发射电子能谱的影响被引量:1
2002年
高温超导体场致发射时伴随体内正常态部分空穴的产生 ,引起高温超导体内电子平衡态的化学势偏移导致出现非平衡状态 ,将影响高温超导体场致发射的性质。
张连俊彭荣群罗恩泽
关键词:高温超导体场致发射电子能谱
高温超导体场致发射器件探讨被引量:1
1997年
用高温超导体材料做成真空微电子器件的发射尖端,可消除焦耳热效应对场发射尖端的影响。另外是Nottingham效应也影响温升。
张连俊罗恩泽
关键词:高温超导体
共5页<12345>
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