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米文博

作品数：69 被引量：24H指数：2
供职机构：天津大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇会议论文
  • 29篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 16篇一般工业技术
  • 16篇理学
  • 7篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇天文地球
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 24篇溅射
  • 19篇磁性
  • 14篇SUB
  • 14篇磁电
  • 14篇磁电阻
  • 14篇磁控
  • 14篇磁控溅射
  • 11篇反应溅射
  • 10篇磁性质
  • 9篇自旋
  • 9篇磁电阻效应
  • 8篇镀膜
  • 8篇镀膜机
  • 8篇仪器
  • 8篇微观结构
  • 8篇科学仪器
  • 8篇超高真空
  • 7篇输运
  • 6篇电子结构
  • 6篇子结构

机构

  • 69篇天津大学
  • 1篇河北师范大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇河北工业大学

作者

  • 69篇米文博
  • 23篇白海力
  • 5篇段秀峰
  • 4篇姜恩永
  • 4篇金朝
  • 3篇李鹏
  • 2篇肖殷
  • 2篇张乐陶
  • 2篇王立英
  • 2篇张岩
  • 2篇李志青
  • 2篇刘国柱
  • 2篇王勇
  • 1篇李养贤
  • 1篇叶天宇
  • 1篇申俊杰
  • 1篇匡登峰
  • 1篇刘新典
  • 1篇封秀平
  • 1篇刘庆纲

传媒

  • 4篇第十六届全国...
  • 1篇金属学报
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇大学物理
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇TFC'07...
  • 1篇第十届固体薄...
  • 1篇中国物理学会...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2017
  • 7篇2016
  • 8篇2015
  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 8篇2012
  • 5篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 3篇2003
共 69 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种对向靶反应溅射外延Mn<Sub>4</Sub>N薄膜的制备方法
本发明涉及一种对向靶反应溅射制备外延Mn<Sub>4</Sub>N薄膜的方法，结构为Mn<Sub>4</Sub>N/MgO。所述Mn<Sub>4</Sub>N/MgO结构为：在MgO(001)单晶基片上外延生长了Mn<S...
米文博张泽宇
文献传递
铬铝钛氮合金涂层及制备方法
本发明专利涉及一种铬铝钛氮合金涂层及制备方法；基底为单面抛光的GH3128高温合金基底，基底厚度为1.5mm，基底面积为10mm×10mm，铬铝钛氮合金涂层厚度为1.2μm。本发明从工业化生产角度和实际应用角度出发，利用...
米文博刘国柱
Fe3O4/BiFeO3超晶格的磁性和电子结构
杨华米文博白海力
关键词：多铁性超晶格
对向靶反应溅射多晶四氧化三铁薄膜的设备及操作方法
本发明涉及一种对向靶反应溅射多晶四氧化三铁薄膜的制备方法，是采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的DPS－III型超高真空对向靶磁控溅射镀膜机。本发明采用对向靶直流反应磁控溅射的技术，通过控制氧气和氩气的流量比达到控制真空...
白海力申俊杰李鹏米文博姜恩永
文献传递
掺杂3d过渡族金属原子的锑烯的电性和磁性研究
在二维半导体中的黑磷出现并成功应用之后,Zhang等以第一性原理预测了砷稀和锑烯是宽禁带间接带隙半导体。由于二维半导体大多都无磁性,一定程度上限制其在纳米器件中的应用,因此人们会研究很多关于缺陷,如空位、掺杂和吸附等对其...
杨丽芳米文博
关键词：稀磁半导体半金属自旋轨道耦合
L10结构FePt复合薄膜的微观结构和磁性质
采用对向靶磁控溅射法制备了FePt-C系列复合薄膜，并对样品进行了退火处理。研究了样品中C含量、Pt含量和薄膜厚度对样品磁性质的影响。结构分析表明制备态样品均由～2-3nm的非晶金属颗粒镶嵌在非晶态C母体中;退火后，样品...
米文博李志青吴萍姜恩永白海力侯登录李秀玲
关键词：微观结构磁性质矫顽力
文献传递
一种应力调控磁化强度的柔性外延Fe<Sub>4</Sub>N薄膜及制备方法
本发明专利涉及一种应力调控磁化强度的柔性外延Fe<Sub>4</Sub>N薄膜及制备方法；基底为云母基底，基底厚度为40‑60μm，基底面积为4mm×4mm，Fe<Sub>4</Sub>N薄膜的厚度为3‑48nm。本发明...
米文博史晓慧王立英
文献传递
FexGe100-x颗粒膜的异常Hall效应
铁磁性金属颗粒薄膜在自旋电子学器件方面的具有潜在的应用前景[1]。上个世纪九十年代,人们在铁磁性金属颗粒薄膜中发现了巨磁电阻效应和巨 Hall 效应。近来刘等[2]发现超薄非晶 Fe-Ge 颗粒薄膜具有很大的霍耳电阻灵敏...
米文博刘宜伟宋威姜恩永白海力
C6H6,C5H5和SC4H4与Fe4N界面处的空间自旋极化反转
自从Xiong等人[1]在La0.67Sr0.33MnO3与Alq3的界面中获得了40％的磁电阻以来,人们也更多的投入到有机半导体与磁性材料界面的研究.有机半导体之所以受到众多的关注,主要是由于有机半导体有着较弱的自旋轨...
张迁米文博
对向靶反应溅射外延四氧化三铁薄膜的设备及操作方法
本发明涉及一种对向靶反应溅射外延四氧化三铁薄膜的制备方法，是采用中科院沈阳科学仪器研制中心生产的DPS－III型超高真空对向靶磁控溅射镀膜机。本发明采用对向靶直流反应磁控溅射的技术，通过控制氧气和氩气的流量比达到控制真空...
白海力李鹏张乐陶米文博姜恩永
文献传递
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