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王萍

作品数:8 被引量:5H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇高温超导
  • 3篇超导
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶体
  • 2篇倒扣
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇坩埚
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体取向
  • 2篇固态
  • 2篇管式
  • 2篇管式炉
  • 2篇高温超导薄膜
  • 2篇RHEED
  • 2篇超导薄膜
  • 1篇电阻
  • 1篇异质外延生长
  • 1篇实时监控

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇王萍
  • 6篇李洁
  • 6篇陈莺飞
  • 6篇郑东宁
  • 3篇黎松林
  • 3篇彭炜
  • 3篇田海燕
  • 2篇崔丽敏
  • 2篇徐晓平
  • 2篇张玉
  • 2篇陈珂
  • 2篇潘军
  • 1篇李绍
  • 1篇李林
  • 1篇储海峰
  • 1篇王瑞兰
  • 1篇朱小红
  • 1篇陈珂

传媒

  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2003
8 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
高气压反射式高能电子衍射仪监控脉冲激光外延氧化物薄膜被引量:5
2003年
在超高真空分子束外延 (MBE)生长技术中 ,反射式高能电子衍射仪 (RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程 ,给出薄膜表面结构和平整度的信息 ,成为MBE必备的原位表面分析仪 .为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2 Cu3 O7)、铁电薄膜 (Sr1 -xBaxTiO3 )及它们的同质和异质外延结构的生长机理 ,获得高质量的符合各种应用需要的氧化物多层薄膜结构 ,在常规的制备氧化物薄膜的脉冲激光沉积 (PLD)设备上配备适合在高气压制膜条件下使用的高气压反射式高能电子衍射仪 (high pressureRHEED) ,在国内首先实现氧化物薄膜生长过程的实时监控 .详细介绍了高气压反射式高能电子衍射仪的结构和特性 ,给出了碳酸锶 (SrTiO3 )基片上同质外延碳酸锶铌 (SrTiO3 +2 %Nb)和异质外延钇钡铜氧 (Y1 Ba2 Cu3 O7)薄膜生长过程中衍射图形和零级衍射强度震荡 .
陈莺飞彭炜李洁陈珂朱小红王萍曾光郑东宁李林
关键词:高温超导薄膜RHEED脉冲激光氧化物薄膜
制备大面积双面铊系薄膜的退火方法
本发明公开了制备大面积双面铊系薄膜的退火方法,包括采用数块相同厚度、与双面前驱薄膜的基片具有相同材料和晶体取向的单晶体小块,上下对称地将两块形状相同并经高温固态反应烧结的铊源与一片待退火的具有双面前驱薄膜的样品在垂直方向...
陈莺飞王萍李洁徐晓平黎松林田海燕潘军郑东宁
文献传递
高温超导及庞磁电阻薄膜的异质外延生长和物理性质的研究
具有钙钛矿或类钙钛矿晶体结构的过渡金属氧化物以其强关联电子体系的特征表现出丰富的物理现象,如高温超导电性和庞磁电阻效应。因此,将其与其它的功能材料相结合并制备性能优异的电子学器件是目前努力的方向和研究的目标。薄膜技术作为...
王萍
关键词:脉冲激光沉积异质外延生长过渡金属氧化物高温超导薄膜物理性质
制备大面积双面铊系薄膜的退火方法
本发明公开了制备大面积双面铊系薄膜的退火方法,包括采用数块相同厚度、与双面前驱薄膜的基片具有相同材料和晶体取向的单晶体小块,上下对称地将两块形状相同并经高温固态反应烧结的铊源与一片待退火的具有双面前驱薄膜的样品在垂直方向...
陈莺飞王萍李洁徐晓平黎松林田海燕潘军郑东宁
文献传递
LD外延氧化物薄膜和异质结构的高气压RHEED研究
李洁陈莺飞陈珂彭炜王萍储海峰张玉崔丽敏郑东宁
高气压反射式高能电子衍射仪的研制--氧化物薄膜生长的实时监控
陈莺飞郑东宁李洁陈珂彭炜王萍储海蜂张玉崔丽敏曾光
一种在高温超导ReBa<Sub>2</Sub>Cu<Sub>3</Sub>O<Sub>7</Sub>薄膜上非原位镀制贵金属膜的方法
本发明公开了一种在高温超导ReBa<Sub>2</Sub>Cu<Sub>3</Sub>O<Sub>7</Sub>薄膜上非原位镀制贵金属膜的方法,其中Re为Y、Gd、Nd、Dy、Eu等稀土元素,包括以下步骤:1)在高于5×...
王萍李洁陈莺飞田海燕王瑞兰黎松林李绍郑东宁
文献传递
共1页<1>
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