王章涛
- 作品数：70 被引量：25H指数：4
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- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 一种TFT阵列基板及液晶显示器
- 本实用新型实施例提供的TFT阵列基板以及液晶显示器，涉及液晶显示器的制造领域，解决了在焊垫区域上，因栅、数据两层金属的段差而造成的粘合不良问题。该TFT阵列基板，依次包括栅线层、第一绝缘层、数据线层、第二绝缘层和透明导电...
- 李鑫王章涛时凌云
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- 一种TFT阵列结构及其制造方法
- 本发明公开了一种TFT阵列结构，包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，栅线和栅电极的上方依次覆盖有栅绝缘层、半导体层和欧姆接触层；一绝缘层，形成在栅线及栅电极、栅绝缘层、半导体层和欧姆接触层的两侧；一沟道，截断欧姆接触...
- 王章涛邱海军闵泰烨林承武
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- TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法
- 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，阵列基板结构包括形成在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极，并在交叉处形成薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极层和钝...
- 张弥王章涛
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- 一种制备有源驱动TFT矩阵中金属连线的方法
- 本发明提供了一种制备有源驱动TFT矩阵中金属连线的方法，包括如下步骤：首先，在衬底上均匀涂敷上一层负性光刻胶，通过曝光显影，使保留下来的负性光刻胶有倒梯形的截面；然后，在衬底和负性光刻上连续沉积所需要的金属层；最后，采用...
- 王章涛邱海军陈旭闵泰烨林承武
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- TFT－LCD阵列基板及其制造方法
- 本发明涉及一种TFT－LCD阵列基板及其制造方法，制造方法包括：在基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线图形；连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，通过第二次构图工艺形成源电极、漏电极、数...
- 王章涛邱海军刘翔
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- 液晶阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究被引量：5
- 2008年
- 光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻胶灰化速率和均匀度的影响趋势。研究表明,纯O2气体对光刻胶有很好的灰化作用,但其会导致下一层金属Mo的表面发生氧化,从而阻止下层金属的刻蚀。在灰化气体中加入少量SF6,能有效地去除生成的金属氧化物,提高下层金属的刻蚀速率。在优化的灰化工艺条件下,制作的TFT具有良好的电学特性。
- 刘翔王章涛崔祥彦邓振波邱海军
- 关键词：薄膜晶体管灰化光刻胶
- 液晶面板及其制造方法
- 本发明涉及一种液晶面板及其制造方法。液晶面板包括对盒设置的两显示基板，第一显示基板上形成有栅扫描线和数据线，围设成像素单元，像素单元内设有TFT，其中：第二衬底基板的各像素区域中分别形成有像素电极和公共电极；第一显示基板...
- 闵泰烨王章涛邱海军
- 液晶显示装置的阵列基板
- 本发明涉及一种液晶显示装置的阵列基板，包括基板、位于基板上面的栅线、与栅线交叉的数据线、与栅线和数据线电连接的薄膜晶体管、以及与薄膜晶体管电连接的像素电极位于由栅线和数据线的交叉排列所定义的区域，基板和栅线之间还设有段差...
- 闵泰烨邱海军王章涛赵继刚
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- 液晶阵列工艺中金属钼的干法刻蚀研究被引量：1
- 2007年
- 为了简化液晶面板制造工序,本文初步研究了在1.1 m×1.3 m的玻璃基板上,采用Cl2/O2气体对薄膜晶体管中沟道处的金属钼进行反应离子刻蚀。经过一组正交实验,分析了功率、气压、气体比例等参数对刻蚀速率、均匀度和选择比的影响关系,并给出了刻蚀后的扫描电镜(SEM)图和不同功率参数下薄膜电学特性曲线图。结果表明,本试验中气压是影响幅度最大的因素;另外,较高的功率会使钼对下层选择比严重变差。
- 荀本鹏邱海军姜斌王章涛
- TFT-LCD阵列基板及其制造方法
- 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其中，方法包括：步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道的图形；所述数据线包括主干部分和分支部分；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积...
- 邱海军王章涛闵泰烨赵继刚
