- 高频晶闸管
- 高频晶闸管，属于功率开关器件技术领域。为了解决现有高频晶闸管工作电流无法达到1200A，不能满足大功率逆变设备要求的问题，本发明提供了一种高频晶闸管，包括硅片、蒸发在所述硅片上的门极、放大门极和阴极，其特征在于：所述放大...
- 周伟松王培清志大器王均平张斌
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- 高频晶闸管
- 高频晶闸管，属于功率开关器件技术领域。为了解决现有高频晶闸管工作电流无法达到1200A，不能满足大功率逆变设备要求的问题，本实用新型提供了一种高频晶闸管，包括硅片、蒸发在所述硅片上的门极、放大门极和阴极，其特征在于：所述...
- 周伟松王培清志大器王均平张斌
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- 基于扩散/外延技术高压大功率NPN开关晶体管技术研究
- 目前,制造高压N-/N+材料有三种方法：硅-硅键合技术、扩散减簿技术和外延技术。本文用扩散减簿技术和外延技术研制出了适于400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（GiantTransistor,简称GTR）的材料。...
- 陈思敏刘道广周伟松王均平黄新张斌王培清
- 关键词：大功率晶体管开关晶体管电参数测试
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- 大功率软恢复隧道二极管SPBD管芯结构
- 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区。基区为N区。阴极区由N<Sup>+</Sup>区及镶嵌...
- 张清纯张斌陈永麒王均平
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- 超大电流密度低压二极管研究被引量：2
- 2002年
- 论述了低压大电流行业所用整流二极管的超大电流密度、超低功耗设计的重要性。介绍了设计方法、工艺措施及实验结果。分析表明,只要保证基区宽度不大于小电流下的载流子扩散长度,保证足够的表面扩散浓度,就能保证二极管在1000A/cm2的特大电流密度下仍有很低的压降。
- 张斌张海涛王均平
- 关键词：低电压整流二极管
- 大功率软恢复隧道二极管管芯结构
- 本发明属于半导体二极管设计领域。本发明(SPBD)包括阳极区、基区、阴极区以及金属层形成两电极。阳极区由P区和均匀分布在P区中的呈圆形的P<Sup>+</Sup>区。基区为N区。阴极区由N<Sup>+</Sup>区为镶嵌...
- 张清纯张斌陈永麒王均平
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- 采用缓冲层结构的软恢复二极管研究被引量：11
- 2003年
- 介绍了一种采用缓冲基区结构的快速软恢复二极管。二极管基区由传统的轻掺杂衬底基区N-与扩散形成的较重掺杂的N区 (缓冲基区 )两部分组成。实验结果表明 ,该二极管不仅具有传统PIN二极管的高电压、低压降特性 ,而且反向恢复软度因子提高到了 1.0左右 ,大约是传统的电子辐照PIN二极管的 3倍。
- 张海涛张斌王均平
- 关键词：二极管电力电子技术
- 反应堆快中子辐照硅的深能级及退火分析被引量：1
- 2003年
- 利用反应堆快中子辐照控制电力半导体器件的少子寿命 ,器件电特性优于现有的扩金、扩铂、电子辐照和Co60 γ辐照等少子寿命控制技术。介绍了反应堆快中子辐照场特性及其在N型NTD硅中产生的深能级位置及退火特性 ,论证了主要复合能级应是Ec- 0 .4 4eV能级 。
- 张斌温婷婷王均平
- 关键词：快中子辐照
- 150A/150V低导通电阻VDMOS器件的研究
- 本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试，获得导通电阻小于 13 毫欧，VDS大于150V，ID大于150A的好结果。
- 刘道广王均平黄新陈思敏周伟松张斌王培清
- 关键词：导通电阻电力电子器件绝缘栅双极晶体管VDMOS器件
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- 电力半导体器件快中子辐照的安全评价
- 2002年
- 介绍了快中子辐照降低电力半导体器件少子寿命与中子活化的机理及区别 ,为避免活化所采取的工艺措施 ,活化分析及安全评价。结果表明 ,对于快速晶闸管或整流管 ,现有的快中子辐照及后处理工艺对人体是绝对安全的。
- 张斌王均平
- 关键词：电力半导体器件中子辐照安全性
