洪根深
- 作品数：139 被引量：73H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>
- 一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法
- 本发明公开一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法，属于半导体功率器件技术领域。在N型外延片生长氧化层、淀积氮化硅层和TEOS层，挖出若干个Trench结构；在Trench结构中制作一层氧化层，并填充...
- 廖远宝洪根深吴建伟徐政吴锦波徐海铭
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- 抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法
- 本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于...
- 刘国柱洪根深赵文斌吴建伟朱少立徐静刘佰清
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- 部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应被引量：5
- 2005年
- 介绍了部分耗尽SOIMOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果。
- 彭力洪根深
- 关键词：SOIMOSFET浮体效应KINK效应
- 一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺
- 本发明涉及一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并所述衬底表面形成第一二氧化硅层；b、在上述第一二氧化硅层上设置复合材料层；c、对上述复合材料层进行刻蚀，形成场区隔离结构；d、淀积多晶硅，通过...
- 吴建伟肖志强高向东洪根深
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- STI场区加固NMOS器件总剂量效应被引量：10
- 2016年
- 基于0.18μm CMOS工艺开发了浅槽隔离(STI)场区抗总剂量辐射加固技术,采用离子注入技术使STI/衬底界面处的P型硅反型阈值提高,从而增强NMOS器件的抗辐射能力。实验表明,加固NMOS器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压无明显漂移,漏电流保持在10-12量级,其抗辐射性能明显优于非加固NMOS器件。通过STI场区加固工艺的研究,可有效提高电路的抗总剂量辐射能力,同时避免设计加固造成芯片面积增大的问题。
- 谢儒彬吴建伟陈海波李艳艳洪根深
- 关键词：总剂量效应
- 一种基于STT-MRAM的FPGA开关单元
- 本发明公开一种基于STT‑MRAM的FPGA开关单元，属于集成电路技术领域。所述基于STT‑MRAM的FPGA开关单元包括STT‑MRAM元件组、控制单元、反相器和开关单元；其中，STT‑MRAM元件组产生电位至反相器，...
- 张海良施辉曹利超宋思德吴建伟洪根深
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- 一种抗辐射ONO反熔丝单元结构及其制备方法
- 本发明涉及一种抗辐射ONO反熔丝单元结构及其制备方法，属于微电子的技术领域。按照本发明提供的技术方案，抗辐射ONO反熔丝单元结构包括ONO反熔丝单元，ONO反熔丝单元制作在SOI硅衬底的顶层硅膜上，并被STI隔离槽全介质...
- 刘国柱洪根深郑若成吴建伟刘佰清汤赛楠
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- MTM反熔丝器件编程单元的空间应用适应性评估被引量：1
- 2017年
- 文章结合航天应用空间环境要求以及MTM反熔丝器件的特点,对MTM反熔丝器件编程单元的航天应用特性进行了分析,提出了MTM反熔丝单元的可靠性评估方法,并对MTM反熔丝单元编程前后的可靠性进行了评估;从抗总剂量和抗单粒子效应两方面对MTM反熔丝器件的空间环境适应性进行试验验证。结果表明:MTM反熔丝工艺满足空间环境应用需要,采用该工艺的器件应用于航天器具有较高的可靠性和空间环境适应性。
- 王亚男王文炎李鹏伟梅博洪根深
- 关键词：MTM可靠性评估
- 一种MOSFET功率器件的制备方法
- 本发明提供了一种MOSFET功率器件的制备方法，属于集成电路技术领域。对器件敏感区域注入光刻，形成RH光罩的图形；按照RH光罩的图形注入非活性杂质离子。使得MOSFET功率器件的敏感区增加了外延硅层的缺陷数量，降低其在单...
- 徐海铭吴素贞洪根深吴建伟徐政刘国柱李燕妃
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- 一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法
- 本发明公开一种抗单粒子烧毁的垂直型氮化镓功率器件的制作方法，属于功率开关器件技术领域。通过在n<Sup>+</Sup>型GaN衬底和n<Sup>‑</Sup>型GaN外延层中间插入一定厚度的高掺杂的n型GaN缓冲层，并结...
- 吴素贞徐政徐海铭洪根深贺琪赵文彬吴建伟谢儒彬
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