江民林
- 作品数：5 被引量：22H指数：3
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 相关领域：动力工程及工程热物理电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- TiO_2/SiO_2双层减反膜在太阳电池上的应用被引量：11
- 2009年
- 利用二氧化硅(SiO_2)对太阳电池表面的钝化作用,对传统的二氧化钛(TiO_2)单层减反膜进行了改良。基于理论模拟分析了光反射率随膜层(TiO_2/SiO_2)厚度变化规律,结合实验上SiO_2最佳厚度经验值,制备了晶体硅太阳电池(即TiO_2/SiO_2/Si),并和SiN_x/Si结构的晶体硅太阳电池相比较。分别测试了少子寿命、反射率、电性能参数等,结果表明这种改良后的TiO_2减反膜也可以取得很好的减反效果和钝化效果。镀有TiO_2/SiO_2双层膜与SiN_x减反膜绒面晶体硅片的积分反射率分别为4.9%和3.9%;使用以上两种不同减反膜制备的太阳电池的开路电压均可达到0.62V。可见这种TiO_2/SiO_2双层膜有望在将来的生产中得到具体应用。
- 余跃波孟凡英郭群超江民林胡宇
- 关键词：TIO2减反膜钝化太阳电池
- 低温沉积氧化锌薄膜电学特性被引量：2
- 2009年
- 利用金属有机物化学气相沉积系统在玻璃衬底上沉积氧化锌薄膜,在约160℃的低温生长条件下,通过改变n型掺杂气体硼烷的流量来调制薄膜电阻率和光学透过率。基于Hall效应测试分析,研究了掺杂剂硼烷流速对氧化锌薄膜电阻率,载流子浓度,Hall迁移率以及光学透过率的影响,此外还研究了薄膜电学特征参量随薄膜厚度的变化规律。经过一系列优化实验,在玻璃衬底上能够获得低温生长的氧化锌薄膜电阻率约2×10^(-3)Ω·cm,光学透过率的截止波长发生蓝移,从380nm延伸到近340nm。
- 孟凡英吕肖前李晖胡宇施旸余跃波江民林
- 关键词：氧化锌薄膜电阻率蓝移
- 硫化镉薄膜的制备及其在铜铟镓硒薄膜太阳电池上的应用
- CIGS(CuIn1-xGaxSe2)薄膜太阳电池因其较高的转换效率和相对较低的制造成本，越来越受到人们的关注。为了与p 型的CIGS 吸收层形成p-n 结从而分离光生载流子，需要在其表面制备一层n 型半导体薄膜。由于化...
- 江民林
- 关键词：薄膜太阳电池半导体薄膜
- 文献传递
- 低温生长SiO_2钝化膜在太阳电池上的应用被引量：3
- 2009年
- 主要研究在晶体硅衬底上采用干氧氧化法生长SiO_2薄膜,通过改变非晶SiO_2薄膜的生长温度、时间以及气体流量等参数优化工艺条件,增强对硅片的钝化作用,提高光生少数载流子寿命。实验发现在840℃长的非晶SiO_2薄膜对硅片钝化效果最佳,可将硅片少子寿命提高约90%。此外,为优化SiO_2/SiN_x双层膜的减反射作用,采用Matlab程序计算SiO_2/SiN_x双层膜的反射谱,从理论上获得最优的膜系组合。实验发现生长有SiO_2钝化膜的SiO_2/SiN_x双层膜太阳电池相对单层SiN_x膜太阳电池,短路电流和开路电压分别提高了0.2A和8mV,转换效率提高约9%。
- 胡宇孟凡英董经兵江民林余跃波杨乐王栩生王景霄崔容强
- 关键词：钝化双层膜太阳电池
- 用MOCVD方法制备ZnO：B透明导电薄膜及其性能优化被引量：5
- 2008年
- 采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法在石英衬底上生长氧化锌(ZnO)薄膜。改变薄膜材料的生长温度和掺杂气体硼烷(B_2H_6)的流速,制备一系列薄膜样品。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透过率、反射率、电阻率和原子力显微镜(AFM)等测试分析,研究了材料生长温度和B_2H_6流速对薄膜生长速度、微观结构、薄膜晶向、光学透过率、光学禁带宽度、电阻率、表面粗糙度等特征参量的影响,经过优化实验条件,获得薄膜电阻率在10^(-3)Ω·cm量级,可见光区域光学透过率在85%以上,成功制备低电阻率高光学透过率的ZnO透明导电薄膜。
- 孟凡英江民林余跃波胡宇
- 关键词：电阻率MOCVD
